订购数量： EN7225A
CPH6122
三洋半导体
数据表
CPH6122
应用
PNP外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪存。
特点
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化终产物（安装高度： 0.9毫米） 。
高允许功耗。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 巴斯电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
低音电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
安装在陶瓷板上（ 600毫米
×0.8mm)
2
条件
评级
-
-30
-
-30
--5
--3
--5
--600
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
条件
VCB = -
-30V ， IE = 0A
VEB = -
-4V ， IC = 0A
VCE = -
-2V ， IC = - 500毫安
VCE = -
-10V ， IC = - 500毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
200
400
25
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
560
兆赫
pF
单位
A
A
标记： AW
接下页。
描述或包含没有规范的任何及所有三洋半导体产品
能够处理要求极高水平的可靠性，如生命支持系统的应用，
该机的控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致
严重的身体和/或财产损失。请咨询您的三洋半导体的代表
最近你在这样的描述或包含usingany三洋半导体的产品在此之前，
应用程序。
三洋半导体不对而导致的产品使用的设备故障不承担任何责任
AT值超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列范围或其他参数）
本文描述或包含的产品。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
O1106EA SY IM / TS 72602 IM TA- 100026 No.7225-1 / 4
CPH6122
从接下页。
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 巴斯击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 10μA ， IE = 0A
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0A
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
--30
--30
--5
50
270
27
评级
民
典型值
--180
--120
--0.83
最大
--270
--180
--1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7018A-002
0.6
2.9
0.15
开关时间测试电路
6
5
4
0.2
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
IB1
IB2
RB
产量
2.8
1.6
0.05
24
+
470F
VCC = --12V
+
0.6
1
2
0.95
3
0.4
100F
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
VBE=5V
0.2
--20IB1 = 20IB2 = IC = --500mA
0.9
--2.0
IC - VCE
--4
--50m
0m
A
--3
0
0m
--2
--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
m
A
A
A
--1.8
--10mA
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--8mA
--6mA
--4mA
--2.5
--2.0
--2mA
--1.0
--0.5
IB=0mA
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
IT04555
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
IT04554
5
的hFE - IC
低音 - 发射极电压， VBE - V
FT - IC
VCE = --2V
增益带宽积， FT - 兆赫
Ta=75°C
25
°C
--25
°C
直流电流增益， hFE参数
3
2
3
100
7
5
3
2
2
100
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流， IC - 一个
5 7 --10
IT04556
7
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--1.5
VCE = --10V
7 --1.0
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
IT04557
No.7225-2/4
CPH6122
任何规范，并且所有三洋半导体产品描述或此处包含的规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，
并且不保证的性能，特性和功能的产品说明
如地安装在客户的产品或设备。要验证的症状，并指出不能
在一个独立的设备进行评估，客户必须不断的评估和测试设备的安装
在客户的产品或设备。
三洋半导体有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何
和所有的半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障
可能引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起冒烟或
火，或可能造成损害的其他财产。在设计产品时，必须采用安全指标
从而就不会发生这些意外事件或事件。这些措施包括但不限于
保护电路及安全设计，多余的设计和结构设计，电路错误预防。
倘任何或所有三洋半导体产品（包括技术数据和服务）
或此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规，控制，
产品在没有得到来自有关的部门的出口许可证出口
按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或任何方式，包括电子
或机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，没有三洋半导体有限公司的事先书面许可，
任何与描述或此处包含的所有信息可能未经通知而发生变化
产品/技术的提高，等等。当设计产品时，请参考"Delivery Specification"
为三洋半导体产品，你打算使用。
本文信息（包括电路图和电路参数）例如仅它不是
为保证批量生产。三洋半导体相信本文资料是准确的
并对其使用在任何违反可靠，但不保证作出或暗示的保证
知识产权或其它第三方权利。
本产品目录提供的信息截至10月， 2006年规范和信息此处如有
更改，恕不另行通知。
PS No.7225-4 / 4
注文コード第N 7 2 2 5
CPH6122
N7225
72602
CPH6122
用途
特長
· MBITプロセス采用。
PNP エピタキシャルプレーナ½シリコントランジスタ
DC / DCコンバータ用
リレードライブ , ランプドライブ , モータドライブ、ストロボ。
電流容量が大きい。
コレクタエミッタ½和電圧が½い。
スイッチングスピードが速い。
超小型パッケージのため、セットの小型化、薄型化が可½である(実装高 0.9mm)。
許容損失が大きい。
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
コレクタベース電圧
VCBO
コレクタエミッタ電圧
エミッタベース電圧
コレクタ電流
コレクタ電流(パルス)
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
セラミック基板(600mm
2
× 0.8mm)装着時
单位
V
V
A
A
A
mA
W
℃
℃
最大
0.1
0.1
200
400
25
560
兆赫
pF
次ページへ続く。
单位
A
A
30
30
5
3
5
600
1.3
150
55 ＋ 150
民
典型值
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
単½品名表示：AW
外½図2146A
（单位：毫米）
6
5
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = - 30V ， IE = 0
VEB = - 4V ， IC = 0
VCE = - 2V ， IC = - 500毫安
VCE = - 10V ， IC = - 500毫安
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
COB
4
0.6
0.05
1.6
2.8
1
2
0.4
0.7
0.9
0.2
3
0.95
0.6
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
72602 TS IM ◎½藤 TA-100026 No.7225-- 1/3
0.2
2.9
0.15
CPH6122
前ページより続く。
民
コレクタエミッタ½和電圧
ベースエミッタ½和電圧
コレクタベース降伏電圧
コレクタエミッタ降伏電圧
エミッタベース降伏電圧
ターンオン時間
蓄積時間
下降時間
スイッチングタイム測定回路図
PW=20s
D.C.≦1%
输入
VR
50
+
100F
VBE=5V
+
470F
VCC = --12V
IB1
IB2
RB
产量
典型值
180
120
0.83
最大
270
180
1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
30
30
5
VBE （ SAT ）
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
V（ BR ） CBO IC = - 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = - 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IE = - 10μA ， IC = 0
吨
TSTG
tf
指定回路において
〃
〃
50
270
27
ns
ns
ns
24
--20IB1 = 20IB2 = IC = --500mA
--2.0
IC - VCE
--40
--50m
mA
A
--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
-3
--1.8
--1.6
mA
--20
0m
A
--10mA
--8mA
--2.5
コレクタ电流， IC - 一个
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--6mA
--4mA
コレクタ电流， IC - 一个
--2.0
--2mA
--1.0
--0.5
IB=0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6 --0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
コレクタ·エミッタ电圧， VCE - V
1000
7
5
IT04554
5
的hFE - IC
--
0.2
--
0.4
--
0.6
--
0.8
ベース·エミッタ电圧， VBE - V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--1.5
--
1.0
IT04555
FT - IC
VCE = --2V
VCE = --10V
Ta=75°C
25
°C
--25
°C
利得帯域幅积， FT - 兆赫
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
IT04556
3
直流电流増幅率， hFE参数
3
2
100
7
5
3
2
2
100
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
7
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
コレクタ电流， IC -
A
コレクタ电流， IC -
A
IT04557
No.7225- 2/3
-
CPH6122
100
コレクタエミッタ½和電圧, VCE(sat) -- mV
COB - VCB
f=1MHz
--1000
7
5
3
2
VCE （SAT） - IC
IC / IB = 20
7
出力容量，COB - pF的
5
3
--100
25
°
C
7
5
3
2
T
7
a=
C
5
°
°
C
5
-2
2
10
--1.0
2
3
5
7
--10
2
3
--10
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5 7
IT04559
コレクタ·ベース电圧， VCB - V
IT04558
2
コレクタエミッタ½和電圧, VCE(sat) -- mV
2
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
--0.01
ベースエミッタ½和電圧, VBE(sat) -- V
3
VCE （SAT） - IC
コレクタ電流,
IC - 一个
VBE （星期六） - IC
IC / IB = 50
IC / IB = 50
C
25
°
°
C
=75
Ta
°
C
--25
--1.0
7
°
C
TA
--25
25
°
C
75
°
C
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
コレクタ电流， IC - 一个
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
5 7 --10
IT04560
5
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
ASO
コレクタ电流， IC - 一个
1.4
IT04561
PC - TA
ICP = --5A
IC = --3A
＜50s
1m
1.3
1.2
s
s
0
0
50
10
s
セ
コレクタ电流， IC - 一个
10
DC
op
er
ATI
0m
ms
コレクタ损失，PC - 含
10
ラ
ミ
1.0
ッ
ク
s
基
板
0.8
(6
00
m
on
0.6
m
2
×
0.
8m
0.4
m
)装
着
時
--0.01
--0.1
Tc=25°C
1パルス
セラミック基板(600mm
2
×0.8mm)装着時
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT04562
コレクタ·エミッタ电圧， VCE - V
周囲温度，钽 -
°C
IT04563
PS No.7225-- 3/3
订购数量： ENN7225
CPH6122
PNP外延平面硅晶体管
CPH6122
DC / DC转换器应用
应用
包装尺寸
单位：mm
2146A
[CPH6122]
6
5
4
0.6
0.2
继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，选通。
特点
0.4
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 巴斯电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
低音电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
TJ
TSTG
安装在陶瓷板上（ 600毫米
×0.8mm)
2
0.7
0.9
0.2
通过MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
超小型封装有利于小型化到底
产品（安装高度： 0.9毫米） 。
高允许功耗。
2.9
0.15
0.05
1.6
2.8
1
2
3
0.95
0.6
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
条件
评级
--30
--30
--5
--3
--5
--600
1.3
150
--55到150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
VCB = -
-30V ， IE = 0
VEB = -
-4V ， IC = 0
VCE = -
-2V ， IC = - 500毫安
VCE = -
-10V ， IC = - 500毫安
VCB = -
-10V ， F = 1MHz的
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
200
400
25
--180
--120
--270
--180
条件
评级
民
典型值
最大
--0.1
--0.1
560
兆赫
pF
mV
mV
单位
A
A
标记： AW
接下页。
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
72602 TS IM TA- 100026 No.7225-1 / 4
CPH6122
从接下页。
参数
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 巴斯击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
条件
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 10μA ， IE = 0
IC = - 1mA时， RBE = ∞
IE = - 10μA ， IC = 0
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
评级
民
--30
--30
--5
50
270
27
典型值
--0.83
最大
--1.2
单位
V
V
V
V
ns
ns
ns
开关时间测试电路
PW=20s
D.C.≤1%
输入
VR
50
+
100F
VBE=5V
+
470F
VCC = --12V
IB1
IB2
RB
产量
24
--20IB1 = 20IB2 = IC = --500mA
--2.0
IC - VCE
--4
--50m
0m
A
A
--3
0m
--2
--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
0m
A
A
--1.8
--10mA
集电极电流， IC - 一个
集电极电流， IC - 一个
--1.6
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--8mA
--6mA
--4mA
--2.5
--2.0
Ta=75
°
C
0
--0.2
--0.4
--0.6
--1.5
--2mA
--1.0
--0.5
IB=0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.8
--1.0
IT04555
集电极 - 发射极电压VCE - V
1000
7
5
IT04554
5
的hFE - IC
低音 - 发射极电压， VBE - V
FT - IC
VCE = --2V
增益带宽积， FT - 兆赫
Ta=75°C
25
°C
--25
°C
直流电流增益， hFE参数
3
2
3
100
7
5
3
2
2
100
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
集电极电流， IC - 一个
5 7 --10
IT04556
7
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
25
°
C
--25
°
C
VCE = --10V
2
3
5
集电极电流， IC - 一个
IT04557
No.7225-2/4
CPH6122
任何说明和所有SANYO产品描述或包含此规定的性能，
特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
的性能，特点，以及所述的产品用作安装在客户的
产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个独立的装置来评估，
客户应始终评估和测试设备安装在客户的产品或设备。
三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
半导体产品都有一定的失效概率。这是可能的，这些概率的故障可能
事故或事件，危及人的生命，这可能导致冒烟或起火引起，
或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用安全的措施，
确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不限于保护性
电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
在任何或所有SANYO产品（包括技术参数和服务）的事件或描述
此处包含的是在任何当地出口管制法律和法规控制，
这样的产品不能鞋子箱包的出口泰德不受当局获得的鞋子箱包的出口吨执照
有关在按照上述规律。
本出版物的任何部分进行复制或以任何形式或通过任何手段，电子或
机械，包括影印和记录，或任何信息存储或检索系统，
或以其他方式，而不三洋电机有限公司的事先书面许可，
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为SANYO产品，你打算使用。
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PS No.7225-4 / 4
注文コード第N 7 2 2 5
CPH6122
N7225
72602
CPH6122
用途
特長
· MBITプロセス采用。
PNP エピタキシャルプレーナ½シリコントランジスタ
DC / DCコンバータ用
リレードライブ , ランプドライブ , モータドライブ、ストロボ。
電流容量が大きい。
コレクタエミッタ½和電圧が½い。
スイッチングスピードが速い。
超小型パッケージのため、セットの小型化、薄型化が可½である(実装高 0.9mm)。
許容損失が大きい。
絶対最大定格
绝对最大额定值/ TA = 25 ℃
コレクタベース電圧
VCBO
コレクタエミッタ電圧
エミッタベース電圧
コレクタ電流
コレクタ電流(パルス)
ベース電流
コレクタ損失
接合部温度
保存周囲温度
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
セラミック基板(600mm
2
× 0.8mm)装着時
单位
V
V
A
A
A
mA
W
℃
℃
最大
0.1
0.1
200
400
25
560
兆赫
pF
次ページへ続く。
单位
A
A
30
30
5
3
5
600
1.3
150
55 ＋ 150
民
典型值
電気的特性
电气特性/ TA = 25 ℃
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
利得帯域幅積
出力容量
単½品名表示：AW
外½図2146A
（单位：毫米）
6
5
ICBO
IEBO
的hFE
fT
VCB = - 30V ， IE = 0
VEB = - 4V ， IC = 0
VCE = - 2V ， IC = - 500毫安
VCE = - 10V ， IC = - 500毫安
VCB = - 10V ， F = 1MHz的
COB
4
0.6
0.05
1.6
2.8
1
2
0.4
0.7
0.9
0.2
3
0.95
0.6
1 ：收藏家
2 ：收藏家
3 ：基本
4 ：发射器
5 ：收藏家
6 ：收藏家
三洋： CPH6
〒370-0596 群馬県邑½郡大泉町坂田一丁目1番1号
72602 TS IM ◎½藤 TA-100026 No.7225-- 1/3
0.2
2.9
0.15
CPH6122
前ページより続く。
民
コレクタエミッタ½和電圧
ベースエミッタ½和電圧
コレクタベース降伏電圧
コレクタエミッタ降伏電圧
エミッタベース降伏電圧
ターンオン時間
蓄積時間
下降時間
スイッチングタイム測定回路図
PW=20s
D.C.≦1%
输入
VR
50
+
100F
VBE=5V
+
470F
VCC = --12V
IB1
IB2
RB
产量
典型值
180
120
0.83
最大
270
180
1.2
单位
mV
mV
V
V
V
V
VCE （ SAT ）
VCE （ SAT ）
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
IC = - 1.5A ， IB = - 75毫安
30
30
5
VBE （ SAT ）
IC = - 1.5A ， IB = - 30毫安
V（ BR ） CBO IC = - 10μA ， IE = 0
V（ BR ） CEO IC = - 1mA时， RBE = ∞
V（ BR ） EBO IE = - 10μA ， IC = 0
吨
TSTG
tf
指定回路において
〃
〃
50
270
27
ns
ns
ns
24
--20IB1 = 20IB2 = IC = --500mA
--2.0
IC - VCE
--40
--50m
mA
A
--3.0
IC - VBE
VCE = --2V
-3
--1.8
--1.6
mA
--20
0m
A
--10mA
--8mA
--2.5
コレクタ电流， IC - 一个
--1.4
--1.2
--1.0
--0.8
--0.6
--0.4
--0.2
0
0
--6mA
--4mA
コレクタ电流， IC - 一个
--2.0
--2mA
--1.0
--0.5
IB=0
--0.1
--0.2 --0.3
--0.4
--0.5
--0.6 --0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
コレクタ·エミッタ电圧， VCE - V
1000
7
5
IT04554
5
的hFE - IC
--
0.2
--
0.4
--
0.6
--
0.8
ベース·エミッタ电圧， VBE - V
Ta=75
°
C
25
°
C
--25
°
C
--1.5
--
1.0
IT04555
FT - IC
VCE = --2V
VCE = --10V
Ta=75°C
25
°C
--25
°C
利得帯域幅积， FT - 兆赫
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
IT04556
3
直流电流増幅率， hFE参数
3
2
100
7
5
3
2
2
100
10
--0.01
2
3
5 7 --0.1
7
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
コレクタ电流， IC -
A
コレクタ电流， IC -
A
IT04557
No.7225- 2/3
-
CPH6122
100
コレクタエミッタ½和電圧, VCE(sat) -- mV
COB - VCB
f=1MHz
--1000
7
5
3
2
VCE （SAT） - IC
IC / IB = 20
7
出力容量，COB - pF的
5
3
--100
25
°
C
7
5
3
2
T
7
a=
C
5
°
°
C
5
-2
2
10
--1.0
2
3
5
7
--10
2
3
--10
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5 7
IT04559
コレクタ·ベース电圧， VCB - V
IT04558
2
コレクタエミッタ½和電圧, VCE(sat) -- mV
2
--1000
7
5
3
2
--100
7
5
3
2
--10
--0.01
ベースエミッタ½和電圧, VBE(sat) -- V
3
VCE （SAT） - IC
コレクタ電流,
IC - 一个
VBE （星期六） - IC
IC / IB = 50
IC / IB = 50
C
25
°
°
C
=75
Ta
°
C
--25
--1.0
7
°
C
TA
--25
25
°
C
75
°
C
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
コレクタ电流， IC - 一个
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
5 7 --10
IT04560
5
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
ASO
コレクタ电流， IC - 一个
1.4
IT04561
PC - TA
ICP = --5A
IC = --3A
＜50s
1m
1.3
1.2
s
s
0
0
50
10
s
セ
コレクタ电流， IC - 一个
10
DC
op
er
ATI
0m
ms
コレクタ损失，PC - 含
10
ラ
ミ
1.0
ッ
ク
s
基
板
0.8
(6
00
m
on
0.6
m
2
×
0.
8m
0.4
m
)装
着
時
--0.01
--0.1
Tc=25°C
1パルス
セラミック基板(600mm
2
×0.8mm)装着時
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
IT04562
コレクタ·エミッタ电圧， VCE - V
周囲温度，钽 -
°C
IT04563
PS No.7225-- 3/3
QQ：2881677436 复制
