CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
15 - V数字或
±7.5-V
峰 - 峰值
开关
125 Ω典型导通电阻为15 -V
手术
开关导通状态电阻匹配
在5
在15 -V信号输入范围
导通电阻平坦，全
峰 - 峰值信号范围
高开/关输出电压比： 80分贝
典型在f
is
= 10千赫，R
L
= 1 k
高线性度： <0.5 ％失真
典型在f
is
= 1千赫，V
is
= 5 V P-P ，
V
DD
– V
SS
≥
10 V ，R
L
= 10 k
极低的关闭状态漏电开关，
导致极低的失调电流和
高效断态电阻： 10 pA的
典型的V
DD
– V
SS
= 10 V ，T
A
= 25°C
极高的控制输入阻抗
（控制电路隔离与信号
电路） ： 10
12
典型
交换机之间的低串扰： -50分贝
典型在f
is
= 8兆赫，R
L
= 1 k
D
D
D
D
D
D
匹配的控制，输入到信号输出
电容式：减少输出信号
瞬变
频率响应，开关通= 40 MHz的
典型
100 ％测试静态电流为20 V
5 -V ， 10 - V和15 -V的参数等级
符合JEDEC暂定的所有要求
标准第13号-B ，
标准规格
为“B”系列CMOS描述
器件
应用范围：
- 模拟信号开关/多路复用：
信号选通，调制器，静噪
控制，解调器，斩波器，
换向开关
数字信号切换/复用
- 传输门逻辑实现
- 模拟 - 数字和数字 - 模拟
转变
- 频率的数字控制，阻抗，
相，和模拟信号增益
E， F，M ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
SIG A IN / OUT
SIG A OUT / IN
SIG B OUT / IN
SIG B IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
对照A
对照物D
SIG D IN / OUT
SIG D OUT / IN
SIG C OUT / IN
SIG C IN / OUT
描述/订购信息
该CD4066B是四双向开关用于模拟或数字信号的传输或多路复用。
它是针对引脚与CD4016B兼容，但是表现出低得多的导通状态电阻。此外，该
通态电阻是比较恒定的，在整个信号输入范围。
该CD4066B由四个双边开关，每个独立的控制。既在p和n器件
在一个给定的开关被偏置打开或关闭同时由所述控制信号。如示于图1的井
各交换机的n沟道器件是依赖于任一输入端（当开关导通时），或者到V
SS
（下转时，
是关闭的） 。这种结构消除了开关晶体管的阈值电压与输入信号和变型中，
因此，保持导通状态电阻低，在整个工作信号范围。
在单信道交换机的优点包括峰值输入信号的电压摆幅等于全供应
电压和更恒定的导通阻抗状态，在输入信号范围。然而，对于采样和保持
应用中， CD4016B建议。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
版权
2003年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
CDIP - F
PDIP - ê
SOIC - M
SOP - NS
TSSOP - PW
包装
25管
25管
50管
–55°C 125°C
-55℃至125℃
2500卷
250的卷轴
2000年卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
CD4066BF3A
CD4066BE
CD4066BM
CD4066BM96
CD4066BMT
CD4066BNSR
CD4066BPW
CD4066BPWR
CD4066B
CM066B
CD4066BM
TOP- SIDE
记号
CD4066BF3A
CD4066BE
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
开关
控制
In
VIS
p
n
p
n
OUT
VOS
控制
VC =
n
VSS
VDD
VSS
所有的控制输入由CMOS防护网保护。
注意事项： A.所有的P衬底连接到VDD 。
B.正常操作控制线偏置：开关（逻辑1 ） ， VC = VDD ;关闭（逻辑0） ，VC = VSS
C.信号电平范围：VSS
≤
VIS
≤
VDD
92CS-29113
的一对四的相同开关图1.原理图和相关的控制电路
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
直流电源电压范围，V
DD
（电压参考V
SS
终奌站） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5到20V
输入电压范围，V
is
（所有输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+
0.5 V
直流输入电流，I
IN
（任何一个输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ： E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
引线温度（焊接时） ：
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59
±
0,79毫米）的情况下， 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VDD
TA
电源电压
工作自由空气的温度
3
–55
最大
18
125
单位
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性
限制了指定温度
参数
测试条件
VIN
(V)
0, 5
国际直拨电话
静态器件
当前
0, 10
0, 15
0, 20
信号输入（ VIS）和输出（ VOS）
VC = VDD ，
k
RL = 10千回
V
DD
*
V
SS
to
,
2
可见= VSS至VDD
导通状态电阻
区别
任意两台主机
总谐波
失真
-3 - dB截止
频率
（开关）
-50 dB的馈通
频率（关闭）
IIS
输入/输出泄漏
当前（关闭）
（最大）
-50 dB的串扰
频率
5
10
15
5
RL = 10 kΩ的，VC = VDD
k
10
15
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，
VIS （ P-P ） = 5 V（集中在0 V正弦波）
RL = 10 kΩ的， FIS = 1 - kHz正弦波
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = 0 V ，可见= 18 V，沃斯= 0 V ;
和
VC = 0 V ，可见= 0 V ，沃斯= 18 V
VC （ A） = VDD = 5 V ，
VC （ B） = VSS = -5V ，
VIS （ A） = 5 Vp-p的， 50 Ω源，
RL = 1 kΩ的
RL = 200 kΩ的，VC = VDD ，
VSS = GND ， CL = 50 pF的，
VIS = 10 V
（方波集中在5 V ） ，
TR ， TF = 20 ns的
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
18
±0.1
±0.1
±1
±1
800
310
200
850
330
210
1200
500
300
1300
550
320
470
180
125
15
10
5
0.4
%
1050
400
240
VDD
(V)
5
10
15
20
–55°C
0.25
0.5
1
5
–40°C
0.25
0.5
1
5
85°C
7.5
15
30
150
125°C
7.5
15
30
150
25°C
典型值
0.01
0.01
0.01
0.02
最大
0.25
0.5
1
5
A
A
单位
罗恩
导通状态电阻
（最大）
r
on
r
THD
40
兆赫
1
±10
–5
±0.1
兆赫
A
8
兆赫
5
10
15
20
10
7
8
8
0.5
40
20
15
pF
pF
pF
ns
tPD的
传播延迟
（信号输入到
信号输出）
输入电容
输出电容
穿心
CIS
COS
首席信息官
4
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CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性（续）
限制了指定温度
特征
控制（ VC ）
Vilc
控制输入
低电压（最大）
| iis的| < 10
A,
可见= VSS ， VOS = VDD ，并
可见= VDD ， VOS = VSS
5
10
15
5
VIHC
控制输入
高压
输入电流（最大值）
串音（控制输入
到信号输出）
导通和关断
传播延迟
参见图6
VIS
≤
VDD ， VDD - VSS = 18 V ，
VCC
≤
VDD - VSS
VC = 10V （方波）
TR ， TF = 20纳秒， RL = 10 kΩ的
VIN = VDD ， TR ， TF = 20纳秒，
CL = 50 pF的， RL = 1 kΩ的
可见= VDD ， VSS = GND ，
RL = 1 kΩ到GND ， CL = 50 pF的，
VC = 10V （方波
集中在5 V ） ， TR ， TF = 20纳秒，
沃斯= 1/2沃斯在1 kHz
10
15
IIN
18
10
5
10
15
5
10
15
±0.1
±0.1
1
2
2
1
2
2
1
2
2
3.5 （MIN）
图7（ MIN）的
11 （ MIN ）
±1
±1
±10
–5
50
35
20
15
6
9
9.5
5
7.5
pF
兆赫
70
40
30
ns
±0.1
A
mV
V
1
2
2
1
2
2
V
测试条件
VDD
(V)
–55°C
–40°C
85°C
125°C
25°C
典型值
最大
单位
最大控制输入
重复率
CI
输入电容
开关特性
开关量输入
VDD
(V)
5
5
10
10
15
15
VIS
(V)
0
5
0
10
0
15
IIS（毫安）
–55°C
0.64
–0.64
1.6
–1.6
4.2
–4.2
–40°C
0.61
–0.61
1.5
–1.5
4
–4
25°C
0.51
–0.51
1.3
–1.3
3.4
–3.4
85°C
0.42
–0.42
1.1
–1.1
2.8
–2.8
125°C
0.36
–0.36
0.9
–0.9
2.4
–2.4
13.5
9.5
1.5
4.6
0.5
开关
OUTPUT ，沃斯
(V)
民
最大
0.4
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达拉斯，德克萨斯州75265
5
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
D
15 - V数字或
±7.5-V
峰 - 峰值
D
D
D
D
D
D
开关
125 Ω典型导通电阻为15 -V
手术
开关导通状态电阻匹配
在5
在15 -V信号输入范围
导通电阻平坦，全
峰 - 峰值信号范围
高开/关输出电压比： 80分贝
典型在f
is
= 10千赫，R
L
= 1 k
高线性度： <0.5 ％失真
典型在f
is
= 1千赫，V
is
= 5 V P-P ，
V
DD
V
SS
≥
10 V ，R
L
= 10 k
极低的关闭状态漏电开关，
导致极低的失调电流和
高效断态电阻： 10 pA的
典型的V
DD
V
SS
= 10 V ，T
A
= 25°C
极高的控制输入阻抗
（控制电路隔离与信号
电路） ： 10
12
典型
交换机之间的低串扰： -50分贝
典型在f
is
= 8兆赫，R
L
= 1 k
D
匹配的控制，输入到信号输出
D
D
D
D
电容式：减少输出信号
瞬变
频率响应，开关通= 40 MHz的
典型
100 ％测试静态电流为20 V
5 -V ， 10 - V和15 -V的参数等级
符合JEDEC暂定的所有要求
标准第13号-B ，
标准规格
为“B”系列CMOS描述
器件
应用范围：
- 模拟信号开关/多路复用：
信号选通，调制器，静噪
控制，解调器，斩波器，
换向开关
数字信号切换/复用
- 传输门逻辑实现
- 模拟 - 数字和数字 - 模拟
转变
- 频率的数字控制，阻抗，
相，和模拟信号增益
D
D
D
E， F，M ， NS ，或PW包装
（ TOP VIEW ）
SIG A IN / OUT
SIG A OUT / IN
SIG B OUT / IN
SIG B IN / OUT
控制B
对照C
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
DD
对照A
对照物D
SIG D IN / OUT
SIG D OUT / IN
SIG C OUT / IN
SIG C IN / OUT
描述/订购信息
该CD4066B是四双向开关用于模拟或数字信号的传输或多路复用。
它是针对引脚与CD4016B兼容，但是表现出低得多的导通状态电阻。此外，该
通态电阻是比较恒定的，在整个信号输入范围。
该CD4066B由四个双边开关，每个独立的控制。既在p和n器件
在一个给定的开关被偏置打开或关闭同时由所述控制信号。如示于图1的井
各交换机的n沟道器件是依赖于任一输入端（当开关导通时），或者到V
SS
（下转时，
是关闭的） 。这种结构消除了开关晶体管的阈值电压与输入信号和变型中，
因此，保持导通状态电阻低，在整个工作信号范围。
在单信道交换机的优点包括峰值输入信号的电压摆幅等于全供应
电压和更恒定的导通阻抗状态，在输入信号范围。然而，对于采样和保持
应用中， CD4016B建议。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2003年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
CDIP - F
PDIP - ê
包装
25管
25管
50管
-55 ° C至125°C
SOIC - M
SOP - NS
TSSOP - PW
2500卷
250的卷轴
2000年卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
CD4066BF3A
CD4066BE
CD4066BM
CD4066BM96
CD4066BMT
CD4066BNSR
CD4066BPW
CD4066BPWR
CD4066B
CM066B
CD4066BM
TOP- SIDE
记号
CD4066BF3A
CD4066BE
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计
准则可在www.ti.com/sc/package 。
开关
控制
In
VIS
p
n
p
n
OUT
VOS
控制
VC =
n
VSS
VDD
VSS
所有的控制输入由CMOS防护网保护。
注意事项： A.所有的P衬底连接到VDD 。
B.正常操作控制线偏置：开关（逻辑1 ） ， VC = VDD ;关闭（逻辑0） ，VC = VSS
C.信号电平范围：VSS
≤
VIS
≤
VDD
92CS-29113
的一对四的相同开关图1.原理图和相关的控制电路
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
在工作自由空气的温度绝对最大额定值（除非另有说明）
直流电源电压范围，V
DD
（电压参考V
SS
终奌站） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5到20V
输入电压范围，V
is
（所有输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5 V到V
DD
+
0.5 V
直流输入电流，I
IN
（任何一个输入）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±10
mA
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注1 ） ： E封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
男包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
NS包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 76 ° C / W
PW包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
引线温度（焊接时） ：
在距离1/16
±
1/32英寸（ 1.59
±
0,79毫米）的情况下， 10秒最大。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 ：该封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
推荐工作条件
民
VDD
TA
电源电压
工作自由空气的温度
3
55
最大
18
125
单位
V
°C
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性
限制了指定温度
参数
测试条件
VIN
(V)
0, 5
国际直拨电话
静态器件
当前
0, 10
0, 15
0, 20
信号输入（ VIS）和输出（ VOS）
VC = VDD ，
RL = 10 kΩ的返回
V
DD
*
V
SS
to
,
2
可见= VSS至VDD
导通状态电阻
区别
任意两台主机
总谐波
失真
-3 - dB截止
频率
（开关）
-50 dB的馈通
频率（关闭）
IIS
输入/输出泄漏
当前（关闭）
（最大）
-50 dB的串扰
频率
5
10
15
5
RL = 10 kΩ的，VC = VDD
10
15
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，
VIS （ P-P ） = 5 V（集中在0 V正弦波）
RL = 10 kΩ的， FIS = 1 - kHz正弦波
VC = VDD = 5V ， VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = VSS = -5V ，可见（ P-P ） = 5 V
（集中在0 V的正弦波） ， RL = 1 kΩ的
VC = 0 V ，可见= 18 V，沃斯= 0 V ;
和
VC = 0 V ，可见= 0 V ，沃斯= 18 V
VC （ A） = VDD = 5 V ，
VC （ B） = VSS = -5V ，
VIS （ A） = 5 Vp-p的， 50 Ω源，
RL = 1 kΩ的
RL = 200 kΩ的，VC = VDD ，
VSS = GND ， CL = 50 pF的，
VIS = 10 V
（方波集中在5 V ） ，
TR ， TF = 20 ns的
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
VDD = 5 V ，VC = VSS = -5V
18
±0.1
±0.1
±1
±1
800
310
200
850
330
210
1200
500
300
1300
550
320
470
180
125
15
10
5
0.4
%
1050
400
240
VDD
(V)
5
10
15
20
25°C
55°C
0.25
0.5
1
5
40°C
0.25
0.5
1
5
85°C
7.5
15
30
150
125°C
7.5
15
30
150
典型值
0.01
0.01
0.01
0.02
最大
0.25
0.5
1
5
A
A
单位
罗恩
导通状态电阻
（最大）
r
on
THD
40
兆赫
1
±10
5
±0.1
兆赫
A
8
兆赫
5
10
15
20
10
7
8
8
0.5
40
20
15
pF
pF
pF
ns
tPD的
传播延迟
（信号输入到
信号输出）
输入电容
输出电容
穿心
CIS
COS
首席信息官
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
CD4066B
CMOS四路双向开关
SCHS051D - 1998年11月 - 修订2003年9月
电气特性（续）
限制了指定温度
特征
控制（ VC ）
Vilc
控制输入
低电压（最大）
| iis的| < 10
A,
可见= VSS ， VOS = VDD ，并
可见= VDD ， VOS = VSS
5
10
15
5
VIHC
控制输入
高压
输入电流（最大值）
串音（控制输入
到信号输出）
导通和关断
传播延迟
参见图6
VIS
≤
VDD ， VDD - VSS = 18 V ，
VCC
≤
VDD - VSS
VC = 10V （方波）
TR ， TF = 20纳秒， RL = 10 kΩ的
VIN = VDD ， TR ， TF = 20纳秒，
CL = 50 pF的， RL = 1 kΩ的
可见= VDD ， VSS = GND ，
RL = 1 kΩ到GND ， CL = 50 pF的，
VC = 10V （方波
集中在5 V ） ， TR ， TF = 20纳秒，
沃斯= 1/2沃斯在1 kHz
10
15
IIN
18
10
5
10
15
5
10
15
±0.1
±0.1
1
2
2
1
2
2
1
2
2
3.5 （MIN）
图7（ MIN）的
11 （ MIN ）
±1
±1
±10
5
50
35
20
15
6
9
9.5
5
7.5
pF
兆赫
70
40
30
ns
±0.1
A
mV
V
1
2
2
1
2
2
V
测试条件
VDD
(V)
25°C
55°C
40°C
85°C
125°C
典型值
最大
单位
最大控制输入
重复率
CI
输入电容
开关特性
开关量输入
VDD
(V)
5
5
10
10
15
15
VIS
(V)
0
5
0
10
0
15
IIS（毫安）
55°C
0.64
0.64
1.6
1.6
4.2
4.2
40°C
0.61
0.61
1.5
1.5
4
4
25°C
0.51
0.51
1.3
1.3
3.4
3.4
85°C
0.42
0.42
1.1
1.1
2.8
2.8
125°C
0.36
0.36
0.9
0.9
2.4
2.4
13.5
9.5
1.5
4.6
0.5
开关
OUTPUT ，沃斯
(V)
民
最大
0.4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
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