CM400C1Y-24S
Powerex公司,公司, 173馆里,扬伍德,宾夕法尼亚州15697 ( 724 ) 925-7272
www.pwrx.com
双( AC开关)
IGBT S系列模块
350安培/ 1200伏
A
D
L
(4处)
K
K
K
V
G
C2E1
E2
C1
G2
E2
Bé
E1
G1
H
N·J
M
( 3处)
G
F
Q
P
P
F
Q
Z
U
P
V
W S
X
Y
AA
AB ( TAB # 110 )
C
T
LABEL
R
G2
E2 ( 3.0)
C2E1
Tr2
Di2
Di1
E2
Tr1
C1
E1 (沙一段)
G1
宽容另有规定
维司
公差
0.5
3
±0.2
过度
3
6
±0.3
过度
6
30
±0.5
在30至120
±0.8
在120 400
±1.2
描述:
Powerex的双IGBT模块是
在开关设计用于
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管的
与每个半桥配置
有一个晶体管反接
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连从隔离
该散热底座,提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点:
低驱动电源
低V
CE ( SAT )
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
运动/伺服控制
UPS
焊接电源
激光电源
订货信息:
例如:选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM400C1Y - 24S是一
1200V (V
CES
) , 350安培双
AC开关IGBT功率模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
350
V
CES
伏( ×50 )
24
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
英寸
4.33
3.15
1.14+0.04/-0.02
3.66±0.01
2.44±0.01
0.98
0.24
0.59
0.81
0.55
0.26直径。
M6公制
1.18
0.71
MILLIMETERS
110.0
80.0
29.0+1.0/-0.5
93.0±0.25
62.0±0.25
25.0
6.0
15.0
20.5
14.0
6.5直径。
M6
30.0
18.0
尺寸
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
AA
AB
英寸
0.28
0.84
0.33
1.10
0.16
0.11
0.29
0.21
0.26
0.85
0.47
t = 0.02
MILLIMETERS
7.0
21.2
8.5
28.0
4.0
2.8
7.5
5.3
6.7
21.5
12.0
t = 0.5
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1
Powerex公司,公司, 173馆里,扬伍德,宾夕法尼亚州15697 ( 724 ) 925-7272
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CM400C1Y-24S
双( AC开关) IGBT S系列模块
350安培/ 1200伏
绝对最大额定值,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极电压(G -E短路)
栅极 - 发射极电压(C -E短路)
集电极电流( DC ,T
C
= 124°C)
*2,*4
集电极电流(脉冲,重复)
*3
总功率耗散(T
C
= 25°C)
*2,*4
发射极电流
*2,*4
发射极电流(脉冲,重复)
*3
隔离电压(码头至底座, RMS中,f = 60Hz的, AC 1分钟)
最高结温
最大外壳温度
*2
工作结温
储存温度
* 1代表的评分和反并联的特点,发射极 - 集电极回流
二极管( FWDI ) 。
* 2外壳温度(T
C
)和散热片温度(T
s
)被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下(安装面) 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 3脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度(T
j
)
不超过
J(下最大)
投资评级。
* 4结温(T
j
)不应该增加超过最大结
温度(T
J(下最大)
)的评级。
24.6
37.8
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CRM
P
合计
I
E
*1
I
企业风险管理
*1
V
ISO
T
J(下最大)
T
C(最大值)
T
J(下OPR )
T
英镑
65.8
79.0
等级
1200
±20
350
800
2670
350
800
2500
175
125
-40到+150
-40到+125
单位
伏
伏
安培
安培
瓦
安培
安培
伏
°C
°C
°C
°C
0
0
0
30.7
44.2
Tr2
Di2
Tr2
Di2
Di1
Di1
Tr1
Tr1
35.3
48.8
标签的一面
TR1 / Tr2的: IGBT
DI1 / DI2: FWDI
2
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双( AC开关) IGBT S系列模块
350安培/ 1200伏
电气特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
GES
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
(终奌站)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE ( SAT )
(片)
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
发射极 - 集电极电压
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
EC
*1
(终奌站)
发射极 - 集电极电压
V
EC
*1
(片)
反向恢复时间
反向恢复电荷
开启每个脉冲的能量转换
关断每个脉冲的能量转换
每个脉冲反向恢复能量
内部栅极电阻
t
rr
*1
Q
rr
*1
E
on
E
关闭
E
rr
*1
r
g
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
*5
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C
*5
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 150°C
*5
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 25°C
*5
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 125°C
*5
I
E
= 400A ,V
GE
= 0V ,T
j
= 150°C
*5
V
CC
= 600V ,我
E
= 400A ,V
GE
=
±15V
R
G
= 0Ω ,感性负载
V
CC
= 600V ,我
C
= I
E
= 400A,
V
GE
=
±15V,
R
G
= 0,
T
j
= 150 ° C,电感性负载
每个交换机
V
CC
= 600V ,我
C
= 400A ,V
GE
=
±15V,
R
G
= 0Ω ,感性负载
V
CC
= 600V ,我
C
= 400A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V ,G -E短路
测试条件
V
CE
= V
CES
,G -E短路
V
GE
= V
GES
,C -E短路
I
C
= 40毫安,V
CE
= 10V
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
*5
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
*5
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 150°C
*5
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 25°C
*5
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 125°C
*5
I
C
= 400A ,V
GE
= 15V ,T
j
= 150°C
*5
分钟。
—
—
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
6.0
1.85
2.05
2.10
1.70
1.90
1.95
—
—
—
934
—
—
—
—
1.85
1.85
1.85
1.70
1.70
1.70
—
21.4
39.8
44.9
35.2
4.9
马克斯。
1
0.5
6.6
2.30
—
—
2.15
—
—
40
8.0
0.66
—
800
200
600
300
2.30
—
—
2.15
—
—
300
—
—
—
—
—
单位
mA
A
伏
伏
伏
伏
伏
伏
伏
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
伏
伏
伏
伏
伏
伏
ns
C
mJ
mJ
mJ
* 1代表的评分和反并联的特点,发射极 - 集电极回流
二极管( FWDI ) 。
* 5脉冲宽度和重复速率应是这样的,使得可以忽略的温度上升。
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双( AC开关) IGBT S系列模块
350安培/ 1200伏
热阻特性,
T
j
= 25 ° C除非另有说明
特征
热阻,结到外壳
*2
热阻,结到外壳
*2
接触热阻,
案件散热器
*2
符号
R
日(J -C )
Q
R
日(J -C )
D
R
TH ( C- S)
测试条件
每个IGBT
每IFWDi
导热硅脂应用
(每1/2模块)
*6
分钟。
—
—
—
典型值。
—
—
18
马克斯。
56
95
—
单位
K /千瓦
K /千瓦
K /千瓦
机械特性
特征
安装力矩
重量
底板的平整度
符号
M
t
M
s
m
e
c
在中线X,Y
*7
测试条件
主端子,螺钉M6
安装到散热器, M6螺纹
分钟。
31
31
—
-100
典型值。
35
35
580
—
马克斯。
40
40
—
+100
单位
在磅
在磅
克
m
推荐工作Conditons ,
T
a
= 25°C
特征
(DC )电源电压
门(发射极驱动)电压
外部栅极电阻
符号
V
CC
V
GE (上)
R
G
测试条件
在C1 -E2应用
在整个G1 -ES1 / G2 -ES2适用
每个交换机
24.6
37.8
65.8
79.0
分钟。
—
13.5
0
典型值。
600
15.0
—
马克斯。
850
16.5
10
单位
伏
伏
* 2外壳温度(T
C
)和散热片温度(T
s
)被测量的表面上
底板和散热器侧刚芯片下(安装面) 。
参考图示为芯片定位的权利。
散热器的热阻应该只是芯片下进行测定。
* 6典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9 [W / (米 K) ] 。
* 7底板(安装侧)的平坦度的测量点(x,y )示于下图。
0
0
0
30.7
- 凹
+凸
Tr2
Di2
Tr2
Di2
Di1
Di1
Tr1
Tr1
35.3
48.8
44.2
Y
X
3 mm
底部
标签的一面
TR1 / Tr2的: IGBT
DI1 / DI2: FWDI
底部
标签的一面
底部
- 凹
+凸
4
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CM400C1Y-24S
双( AC开关) IGBT S系列模块
350安培/ 1200伏
输出特性
( CHIP - 典型值)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
( CHIP - 典型值)
800
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE ( SAT )
(伏)
3.5
V
GE
= 20V
15
13.5
12
700
集电极电流,I
C
(安培)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
600
500
400
300
200
100
0
0
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
11
10
9
T
j
= 25°C
2
4
6
8
10
0 100 200 300 400 500 600 700 800
集电极电流,I
C
(安培)
集电极 - 发射极电压,V
CE
(伏)
集电极 - 发射极
饱和电压特性
( CHIP - 典型值)
续流二极管
正向特性
( CHIP - 典型值)
10
集电极 - 发射极
饱和电压VCE (SAT) , (伏)
10
3
T
j
= 25°C
发射极电流,I
E
(安培)
8
6
4
2
0
I
C
= 800A
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 150°C
I
C
= 400A
I
C
= 160A
10
2
6
8
10
12
14
16
18
20
10
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
栅极 - 发射极电压V
GE
(伏)
发射极 - 集电极电压V
EC
(伏)
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5