赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
SCCS029 - 1994年5月 - 修订2000年3月
8位缓冲器/线路驱动器
功能说明
该FCT540T反相缓冲器/线路驱动器和FCT541T
非反相缓冲器/线路驱动器被设计成用作
存储器地址驱动器，时钟驱动器和总线面向
发射器/接收器。该器件提供速度和驱动器
功能相当于其最快双极逻辑
同行的同时降低功耗。输入和
输出电平可以直接接口TTL ， NMOS ，
和CMOS器件无需外部元件。
输出设计有断电禁用功能
允许电路板带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT兼容，
F逻辑
FCT -C速度4.1 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -A在4.8 ns的最大速度。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
关闭电源关闭功能
ESD > 2000V
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ），48 MA（ MIL）
源出电流
32毫安（ Com'l ），12 MA（ MIL）
扩展商业范围
40C
至+ 85°C
逻辑框图， FCT540T
OE
A
OE
B
销刀豆网络gurations
CERDIP / SOIC / QSOP
顶视图
OE
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FCT540T
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
逻辑框图， FCT541T
OE
A
OE
B
CERDIP / DIP / SOIC / QSOP
顶视图
OE
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FCT541T
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
功能表FCT540T
[1]
输入
OE
A
L
L
H
OE
B
L
L
H
D
L
H
X
产量
H
L
Z
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -65℃ C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压........................................... -0.5V到+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
产量
L
H
Z
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
功能表
OE
A
L
L
H
FCT541T
[1]
D
L
H
X
输入
OE
B
L
L
H
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
T， AT ， CT
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -32毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -12毫安
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大,. V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
–60
–120
0.2
–0.7
–1.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 48毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
注意事项：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
2
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
（ TTL输入）
动态电源电流
[9]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源电流
[10]
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.3
2.6
[11]
mA
3.3
10.6
[11]
mA
3
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT540T/FCT541T
广告
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
描述
传播延迟
数据输出（ FCT540 ）
传播延迟
数据输出（ FCT541 ）
输出使能时间
输出禁止时间
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
8.5
8.0
10.0
9.5
FCT540AT/FCT541AT
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.8
4.8
6.2
5.6
单位
ns
ns
ns
ns
图。号
[13]
1, 2
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
FCT540CT/FCT541CT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
描述
传播延迟
数据输出（ FCT540 ）
传播延迟
数据输出（ FCT541 ）
输出使能时间
输出禁止时间
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.7
4.6
6.5
5.7
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.1
4.1
5.8
5.2
FCT540DT/
FCT541DT
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3.8
3.8
5.2
5.0
单位
ns
ns
ns
ns
图。
号
[13]
1, 2
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
4
赛普拉斯半导体公司获得的数据表。
数据表莫迪网络版删除不提供设备。
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
SCCS029 - 1994年5月 - 修订2000年3月
8位缓冲器/线路驱动器
功能说明
该FCT540T反相缓冲器/线路驱动器和FCT541T
非反相缓冲器/线路驱动器被设计成用作
存储器地址驱动器，时钟驱动器和总线面向
发射器/接收器。该器件提供速度和驱动器
功能相当于其最快双极逻辑
同行的同时降低功耗。输入和
输出电平可以直接接口TTL ， NMOS ，
和CMOS器件无需外部元件。
输出设计有断电禁用功能
允许电路板带电插入。
特点
功能，引脚排列和驱动器FCT兼容，
F逻辑
FCT -C速度4.1 ns（最大值） 。 （ Com'l ）
FCT -A在4.8 ns的最大速度。 （ Com'l ）
降低V
OH
（通常= 3.3V ）版本的等效
FCT功能
边沿速率控制电路，用于显着改善
噪声特性
关闭电源关闭功能
ESD > 2000V
匹配的上升和下降时间
与TTL输入和输出逻辑电平完全兼容
灌电流
64毫安（ Com'l ），48 MA（ MIL）
源出电流
32毫安（ Com'l ），12 MA（ MIL）
扩展商业范围
40C
至+ 85°C
逻辑框图， FCT540T
OE
A
OE
B
销刀豆网络gurations
CERDIP / SOIC / QSOP
顶视图
OE
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FCT540T
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
逻辑框图， FCT541T
OE
A
OE
B
CERDIP / DIP / SOIC / QSOP
顶视图
OE
A
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
FCT541T
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
V
CC
OE
B
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
GND
D
0
D
1
D
2
D
3
D
4
D
5
D
6
D
7
O
0
O
1
O
2
O
3
O
4
O
5
O
6
O
7
版权
2000年，德州仪器
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
功能表FCT540T
[1]
输入
OE
A
L
L
H
OE
B
L
L
H
D
L
H
X
产量
H
L
Z
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -65℃ C至+ 135°C的
电源电压对地电位............... -0.5V至+ 7.0V
直流输入电压........................................... -0.5V到+ 7.0V
直流输出电压......................................... -0.5V至7.0 V
直流输出电流（最大灌电流/针） ...... 120毫安
功耗................................................ .......... 0.5W
产量
L
H
Z
静电放电电压............................................ >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
功能表
OE
A
L
L
H
FCT541T
[1]
D
L
H
X
输入
OE
B
L
L
H
工作范围
范围
广告
军事
[4]
范围
T， AT ， CT
所有
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-55 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
5%
5V
±
10%
最大额定值
[2, 3]
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
描述
输出高电压
测试条件
V
CC
=最小值，我
OH
= -32毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -15毫安
V
CC
=最小值，我
OH
= -12毫安
V
OL
V
IH
V
IL
V
H
V
IK
I
I
I
IH
I
IL
I
OZH
I
OZL
I
OS
I
关闭
输出低电压
输入高电压
输入低电压
迟滞
[6]
输入钳位二极管电压
输入高电流
输入高电流
输入低电平电流
关状态的高电平输出
当前
关状态的低电平
输出电流
输出短路电流
[7]
关机关闭
所有的输入
V
CC
=最小值，我
IN
= -18毫安
V
CC
=最大，V
IN
= V
CC
V
CC
=最大，V
IN
= 2.7V
V
CC
=最大，V
IN
= 0.5V
V
CC
=最大，V
OUT
= 2.7V
V
CC
=最大，V
OUT
= 0.5V
V
CC
=最大,. V
OUT
= 0.0V
V
CC
= 0V, V
OUT
= 4.5V
–60
–120
0.2
–0.7
–1.2
5
±1
±1
10
–10
–225
±1
V
CC
=最小值，我
OL
= 64毫安
V
CC
=最小值，我
OL
= 48毫安
Com'l
Com'l
米尔
Com'l
米尔
2.0
0.8
分钟。
2.0
2.4
2.4
3.3
3.3
0.3
0.3
0.55
0.55
典型值。
[5]
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
mA
A
注意事项：
1. H =高电压电平
L =低电压等级
X =无关
Z =高阻抗
2.除非另有说明，这些限制在工作自由空气的温度范围内。
3.未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电压电平，最好是无论是V
CC
或地面。
4. T
A
是外壳温度的「即时」 。
5，典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
A
= + 25°C的环境。
6.此参数是特定网络版，但未经测试。
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短的时间不应超过一秒钟。使用高速测试设备和/或样品
并保持的技术是优选的，以便最小化内部芯片加热，更准确地重新佛罗里达州ECT操作值。否则长时间短路
高输出可提高芯片的温度远高于正常，从而导致无效的读数在其他参数测试。在参数的任何序列
测试中，我
OS
试验应在最后完成。
2
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
典型值。
[5]
5
9
马克斯。
10
12
单位
pF
pF
电源特性
参数
I
CC
I
CC
I
CCD
描述
静态电源电流
静态电源电流
（ TTL输入）
动态电源电流
[9]
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
≤
0.2V, V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大，V
IN
= 3.4V ，女
1
= 0时，输出打开
[8]
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
一位切换在f
1
= 10兆赫，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
≤
0.2V或V
IN
≥
V
CC
–0.2V
V
CC
=最大值，占空比为50％ ，输出打开，
八位切换在f
1
= 2.5 MHz时，
OE
A
= OE
B
= GND ，或OE
A
= GND ， OE
B
=V
CC,
V
IN
= 3.4V或V
IN
= GND
注意事项：
8.每TTL驱动输入（V
IN
= 3.4V ） ;所有其他输入在V
CC
或GND 。
9.此参数是不能直接检验的，但导出的总电源计算中使用。
= I
静
+ I
输入
+ I
动态
10. I
C
I
C
= I
CC
+I
CC
D
H
N
T
+I
CCD
(f
0
/2 + f
1
N
1
)
I
CC
=静态电流CMOS输入电平
I
CC
=电源电流为TTL高电平输入（V
IN
=3.4V)
D
H
=占空比为TTL输入高电平
N
T
=的TTL输入的D号
H
I
CCD
=动态所造成的输入转换对（ HLH或LHL ）电流
=时钟频率为注册设备，否则为零
f
0
=输入信号的频率
f
1
N
1
=改变在f输入数
1
所有电流都毫安，所有频率在兆赫。
11.重视这些条件是我的例子
CC
公式。这些限制是特定网络版，但未经测试。
典型值。
[5]
0.1
0.5
0.06
马克斯。
0.2
2.0
0.12
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
I
C
总电源电流
[10]
0.7
1.4
mA
1.0
2.4
mA
1.3
2.6
[11]
mA
3.3
10.6
[11]
mA
3
CY54/74FCT540T
CY54/74FCT541T
开关特性
在整个工作范围
[12]
FCT540T/FCT541T
广告
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
描述
传播延迟
数据输出（ FCT540 ）
传播延迟
数据输出（ FCT541 ）
输出使能时间
输出禁止时间
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
8.5
8.0
10.0
9.5
FCT540AT/FCT541AT
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.8
4.8
6.2
5.6
单位
ns
ns
ns
ns
图。号
[13]
1, 2
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
FCT540CT/FCT541CT
军事
参数
t
PLH
t
PHL
t
PLH
t
PHL
t
PZH
t
PZL
t
PHZ
t
PLZ
描述
传播延迟
数据输出（ FCT540 ）
传播延迟
数据输出（ FCT541 ）
输出使能时间
输出禁止时间
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.7
4.6
6.5
5.7
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
4.1
4.1
5.8
5.2
FCT540DT/
FCT541DT
广告
分钟。
1.5
1.5
1.5
1.5
马克斯。
3.8
3.8
5.2
5.0
单位
ns
ns
ns
ns
图。
号
[13]
1, 2
1, 3
1, 7, 8
1, 7, 8
阴影区域包含的初步信息。
注意事项：
12.最低限度的特定网络版，但不是在传输延迟测试。
13.见“参数测量信息”中的一般信息部分。
4
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