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CHENMKO ENTERPRISE CO。 ， LTD。
表面贴装
PNP硅晶体管
电压80伏特
应用
*电话和proferssional communction设备。
*其他开关应用。
CHT4033XPT
当前1安培
特征
*小型扁平封装。 （ SC - 62 / SOT- 89 ）
*适用于高封装密度。
*高饱和电流能力。
*电压控制的小信号开关。
4.6MAX.
1.7MAX.
SC-62/SOT-89
1.6MAX.
0.4+0.05
2.5+0.1
+0.08
0.45-0.05
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
+0.08
0.40-0.05
1.50+0.1
1
1 BASE
2
3
电路
2集电极（散热器）
3发射器
0.8MIN.
* PNP硅晶体管
4.6MAX.
施工
1
B
2
C
3
E
单位：毫米
SC-62/SOT-89
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
2004-7
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
条件
发射极开路
开基
集电极开路
T
AMB
≤
25
°C;
注1
分钟。
马克斯。
80
80
5.0
1.0
1.5
1.2
+150
150
+150
V
V
V
A
A
单位
W
°C
°C
°C
65
65
额定值特性曲线（ CHT4033XPT ）
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 0.1毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5V
I
C
= 500毫安; V
CE
=5V
I
C
= 1.0A ; V
CE
= 5V
75
100
70
25
300
分钟。
马克斯。
50
10
单位
nA
nA
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
357
单位
K / W
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
I
C
= 150毫安;我
B
= 15μm的
-500毫安;我
B
= 50μm的
I
C
=
I
C
= 150毫安;我
B
?? 15毫安
-500毫安;我
B
= 50μm的
I
C
=
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 1 0 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
BE
= 500 mV的;
F = 1 MHz的
I
C
= 50毫安; V
CE
= 1 0 V;
F = 1.0 MHz的
100
0.15
0.5
0.9
1.1
20
110
V
V
V
V
pF
pF
兆赫
V
BESAT
C
ob
C
ib
f
T
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CLT-112-02-L-D-BE
供货商
型号
厂家
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