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CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
增强规范
表面安装超小型
补充
硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述:
中央半导体
CMPT5087E和CMPT5088E ,是Silicon
在环氧模塑表面贴装晶体管
封装设计提高了规格
用于要求高增益和低的应用程序
噪声。
标记代码:
CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25
o
C)
标识代码: C2QE
标识代码: C1QE
单位
V
V
V
mA
mW
C
C / W
o
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
50
50
5.0
100
350
-65到+150
357
典型值
PNP
o
电气特性:
(TA=25
o
C除非另有说明)
符号
ICBO
IEBO
测试条件
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
IE=100A
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 0.1毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 500μA , F = 20MHz的
VCB = 5.0V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
350
VCE = 5.0V , IC = 100μA , RS = 10kΩ的F = 10Hz至15.7kHz
50
50
5.0
135
65
8.7
45
110
700
300
300
300
50
100
4.0
15
1400
3.0
dB
430
435
430
125
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
兆赫
pF
pF
100
400
800
900
NPN
最大
50
50
单位
nA
nA
V
V
V
mV
mV
mV
BVCBO
BVCEO
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
的hFE
的hFE
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
fT
COB
兴业银行
的hFE
NF
加强规范。
额外的增强规范。
R0 ( 2004年28月)
中央
TM
CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
增强规范
表面安装超小型
补充
硅晶体管
半导体公司
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
标记代码:
CMPT5087E : C2QE
CMPT5088E : C1QE
R0 ( 2004年28月)
CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CMPT5087E
和CMPT5088E ,是在环氧树脂中的硅晶体管
模塑表面贴装封装具有增强
专为需要高规格的应用
增益和低噪音。
标记代码: CMPT5087E : C2QE
CMPT5088E : C1QE
SOT- 23 CASE
最大额定值:
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PD
TJ , TSTG
Θ
JA
单位
V
V
V
mA
mW
°C
° C / W
50
50
5.0
100
350
-65到+150
357
电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
测试条件
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
VCB=20V
VEB=3.0V
IC=100A
IC=1.0mA
IE=100A
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 10毫安, IB = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 0.1毫安
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安
VCE = 5.0V , IC = 10毫安
VCE = 5.0V , IC =百毫安
VCE = 5.0V , IC = 500μA , F = 20MHz的
VCB = 5.0V , IE = 0 , F = 1.0MHz的
VBE = 0.5V , IC = 0 , F = 1.0MHz的
VCE = 5.0V , IC = 1.0毫安, F = 1.0kHz
VCE = 5.0V , IC = 100μA , RS = 10kΩ的F = 10Hz至15.7kHz
350
50
50
5.0
典型值
NPN PNP
最大
50
50
单位
nA
nA
V
V
V
135
65
8.7
45
110
700
150
105
7.5
50
225
700
390
380
350
75
100
400
800
900
BVEBO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
的hFE
的hFE
的hFE
mV
mV
mV
300
300
300
50
100
430
435
430
125
的hFE
fT
COB
兴业银行
的hFE
NF
兆赫
4.0
15
1400
3.0
dB
pF
pF
增强规范
额外的增强规范
R1 ( 2010年1月)
CMPT5087E PNP
CMPT5088E NPN
增强规范
表面贴装
补充
硅晶体管
SOT- 23案例 - 机械外形
前导码:
1)基础
2 )辐射源
3 )集电极
标记代码:
CMPT5087E : C2QE
CMPT5088E : C1QE
R1 ( 2010年1月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
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    CMPT5087E
    -
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    -
    -
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CMPT5087E
CENTRAL
2019
79600
SOT-23
原装正品 钻石品质 假一赔十
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原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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SOT-23
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CMPT5087E
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★正规进口原厂正品★绝对优势热卖★
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CMPT5087E
CENTRAL
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绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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CMPT5087E
CENTRAL
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
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CMPT5087E
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CMPT5087E
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