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CD54HC194 ， CD74HC194 ，
CD74HCT194
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS164G
1997年9月 - 修订2006年5月
高速CMOS逻辑器件
4位双向通用移位寄存器
描述
的“ HC194和CD74HCT194是4位移位寄存器与
异步主复位（ MR） 。在并行模式（S0
与S1是高电平）时，数据被加载到相关的佛罗里达州的ip-佛罗里达州运
并出现在之后的上升沿输出
时钟输入端（CP） 。在并行加载串行数据溢流就是
抑制。左移和右移都完成
同步对正时钟与串行数据边
在左（ DSL）的串行输入为左移位的移位输入
模式，并在所述右移（DSR）为移位的串行输入
正确的模式。清除寄存器由一个低完成
适用于主复位（ MR）引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC194,
CD74H
CT194)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
四种工作模式
- 右移，左移，保持和复位
同步并行或串行操作
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
异步主复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC194F3A
CD74HC194E
CD74HC194M
CD74HC194MT
CD74HC194M96
CD74HC194NSR
CD74HC194PW
CD74HC194PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC194 （ CERDIP ）
CD74HC194 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT194 （ PDIP ）
顶视图
MR 1
DSR 2
D
0
3
D
1
4
D
2
5
D
3
6
DSL 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 CP
10 S1
9 S0
CD74HC194PWT
CD74HCT194E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2006年，德州仪器
1
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
DSL
DSR
S0
S1
MR
CP
3
4
5
6
7
2
9
10
1
11
15
14
13
12
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
操作
模式
复位（清）
持有（做什么）
左移
CP
X
X
↑
↑
右移
↑
↑
并行加载
↑
MR
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
l
h
h
l
l
h
S0
X
l
l
l
h
h
h
DSR
X
X
X
X
l
h
X
DSL
X
X
l
h
X
X
X
D
n
X
X
X
X
X
X
d
n
Q
0
L
q
0
q
1
q
1
L
H
d
0
产量
Q
1
L
q
1
q
2
q
2
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
2
q
3
q
3
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
3
L
H
q
2
q
2
d
3
H =高电压电平，
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换，
L =低电压电平，
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换，
d
n
(q
n
） =小写字母表示的参考输入（或输出）一个建立时间之前低到高时钟状态
转型，
X =无关，
↑
=转型从低到高级别
2
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
HCT输入负载表
输入
CP
MR
DSL ， DSR ，D
n
Sn
单位负载
0.6
0.55
0.25
1.10
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
马克斯。时钟频率
（图1）
f
最大
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
（图2）
t
W
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
（图1）
t
W
-
2
4.5
6
建立时间
数据时钟（图3 ）
t
SU
-
2
4.5
6
搬迁时间，
MR时钟（图2 ）
t
REM
-
2
4.5
6
建立时间
S1，S0到时钟（图4）
t
SU
-
2
4.5
6
建立时间
DSL ， DSR时钟（图4 ）
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
S1，S0到时钟（图4）
t
H
-
2
4.5
6
保持时间
数据时钟（图3 ）
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
马克斯。时钟频率（图1）
磁共振脉冲宽度（图2）
时钟脉冲宽度（图1）
建立时间，数据时钟
（图3）
拆除时间MR到时钟
（图2）
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
27
16
16
14
-
-
-
-
22
20
20
18
-
-
-
-
18
24
24
21
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
6
30
35
80
16
14
80
16
14
70
14
12
60
12
10
80
16
14
70
14
12
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
100
20
17
90
18
15
75
15
13
100
20
17
90
18
15
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
105
21
19
90
18
15
120
24
20
105
21
18
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
-
4.5
12
-
15
-
18
-
ns
5
CD54HC194 ， CD74HC194 ，
CD74HCT194
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS164G
1997年9月 - 修订2006年5月
高速CMOS逻辑器件
4位双向通用移位寄存器
描述
的“ HC194和CD74HCT194是4位移位寄存器与
异步主复位（ MR） 。在并行模式（S0
与S1是高电平）时，数据被加载到相关的佛罗里达州的ip-佛罗里达州运
并出现在之后的上升沿输出
时钟输入端（CP） 。在并行加载串行数据溢流就是
抑制。左移和右移都完成
同步对正时钟与串行数据边
在左（ DSL）的串行输入为左移位的移位输入
模式，并在所述右移（DSR）为移位的串行输入
正确的模式。清除寄存器由一个低完成
适用于主复位（ MR）引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC194,
CD74H
CT194)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
四种工作模式
- 右移，左移，保持和复位
同步并行或串行操作
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
异步主复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC194F3A
CD74HC194E
CD74HC194M
CD74HC194MT
CD74HC194M96
CD74HC194NSR
CD74HC194PW
CD74HC194PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC194 （ CERDIP ）
CD74HC194 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT194 （ PDIP ）
顶视图
MR 1
DSR 2
D
0
3
D
1
4
D
2
5
D
3
6
DSL 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 CP
10 S1
9 S0
CD74HC194PWT
CD74HCT194E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2006年，德州仪器
1
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
DSL
DSR
S0
S1
MR
CP
3
4
5
6
7
2
9
10
1
11
15
14
13
12
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
操作
模式
复位（清）
持有（做什么）
左移
CP
X
X
↑
↑
右移
↑
↑
并行加载
↑
MR
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
l
h
h
l
l
h
S0
X
l
l
l
h
h
h
DSR
X
X
X
X
l
h
X
DSL
X
X
l
h
X
X
X
D
n
X
X
X
X
X
X
d
n
Q
0
L
q
0
q
1
q
1
L
H
d
0
产量
Q
1
L
q
1
q
2
q
2
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
2
q
3
q
3
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
3
L
H
q
2
q
2
d
3
H =高电压电平，
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换，
L =低电压电平，
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换，
d
n
(q
n
） =小写字母表示的参考输入（或输出）一个建立时间之前低到高时钟状态
转型，
X =无关，
↑
=转型从低到高级别
2
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
HCT输入负载表
输入
CP
MR
DSL ， DSR ，D
n
Sn
单位负载
0.6
0.55
0.25
1.10
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
马克斯。时钟频率
（图1）
f
最大
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
（图2）
t
W
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
（图1）
t
W
-
2
4.5
6
建立时间
数据时钟（图3 ）
t
SU
-
2
4.5
6
搬迁时间，
MR时钟（图2 ）
t
REM
-
2
4.5
6
建立时间
S1，S0到时钟（图4）
t
SU
-
2
4.5
6
建立时间
DSL ， DSR时钟（图4 ）
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
S1，S0到时钟（图4）
t
H
-
2
4.5
6
保持时间
数据时钟（图3 ）
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
马克斯。时钟频率（图1）
磁共振脉冲宽度（图2）
时钟脉冲宽度（图1）
建立时间，数据时钟
（图3）
拆除时间MR到时钟
（图2）
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
27
16
16
14
-
-
-
-
22
20
20
18
-
-
-
-
18
24
24
21
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
6
30
35
80
16
14
80
16
14
70
14
12
60
12
10
80
16
14
70
14
12
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
100
20
17
90
18
15
75
15
13
100
20
17
90
18
15
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
105
21
19
90
18
15
120
24
20
105
21
18
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
-
4.5
12
-
15
-
18
-
ns
5
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS164
CD74HC194,
CD74HCT194
高速CMOS逻辑器件
4位双向通用移位寄存器
描述
哈里斯CD74HC194和CD74HCT194是4位移位
与异步主复位（ MR）注册。在标准杆
等位基因模式（ S0和S1是高电平）时，数据被加载到
相关FL IP- FL运算和位置之后出现在输出端
时钟输入（ CP ）的略去过渡。在并行加载
串行数据溢流受到抑制。左移和右移是
在与时钟上升沿同步完成
在左移位（ DSL）的串行输入串行数据输入
右移模式，并且在右移位（DSR）为串行输入
该左移模式。清零寄存器由完成
低加在主复位（ MR）引脚。
1997年9月
特点
四种工作模式
- 右移，左移，保持和复位
同步并行或串行操作
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
异步主复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
[ /标题
(CD74
HC194,
CD74H
CT194)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
订购信息
产品型号
CD74HC194E
CD74HCT194E
CD74HC194M
注意事项：
1，订货时，使用整个零件编号。添加SUF音响X 96
获得在磁带和卷轴的变种。
2.模具的这一部分数量可满足所有电气
规格。请联系您当地的销售办事处或哈里斯
客户服务的订购信息。
TEMP 。 RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
PKG 。
号
E16.3
E16.3
M16.15
引脚
CD74HC194 ， CD74HCT194
（ PDIP ， SOIC ）
顶视图
MR 1
DSR 2
D
0
3
D
1
4
D
2
5
D
3
6
DSL 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 CP
10 S1
9 S0
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1668.1
1
CD74HC194 ， CD74HCT194
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
DSL
DSR
S0
S1
MR
CP
3
4
5
6
7
2
9
10
1
11
15
14
13
12
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
操作
模式
复位（清）
持有（做什么）
左移
CP
X
X
↑
↑
右移
↑
↑
并行加载
注意事项：
1. H =高电压电平，
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换，
L =低电压电平，
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换，
d
n
(q
n
） =小写字母表示的参考输入（或输出）一个建立时间之前低到高时钟状态
转型，
X =无关，
↑
=转型从低到高级别
2.高到上CD74HC194 S0和S1输入的低电平跳变， CD74HCT194应该只发生而CP是高的
常规操作。
↑
MR
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
L（注2 ）
h
h
L（注2 ）
L（注2 ）
h
S0
X
L（注2 ）
L（注2 ）
L（注2 ）
h
h
h
DSR
X
X
X
X
l
h
X
DSL
X
X
l
h
X
X
X
D
n
X
X
X
X
X
X
d
n
Q
0
L
q
0
q
1
q
1
L
H
d
0
产量
Q
1
L
q
1
q
2
q
2
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
2
q
3
q
3
q
1
q
1
q
2
Q
3
L
q
3
L
H
q
2
q
2
d
3
2
CD74HC194 ， CD74HCT194
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
热电阻（典型，注3 ）
θ
JA
(
o
C / W ）
PDIP封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
90
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
190
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
3.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD74HC194 ， CD74HCT194
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
（注4 ）
注意：
4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
HCT输入负载表
输入
CP
MR
DSL ， DSR ，D
n
Sn
单位负载
0.6
0.55
0.25
1.10
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
4
CD74HC194 ， CD74HCT194
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
马克斯。时钟频率
（图1）
f
最大
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
（图2）
t
W
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
（图1）
t
W
-
2
4.5
6
建立时间
数据时钟（图3 ）
t
SU
-
2
4.5
6
搬迁时间，
MR时钟（图2 ）
t
REM
-
2
4.5
6
建立时间
S1，S0到时钟（图4）
t
SU
-
2
4.5
6
建立时间
DSL ， DSR时钟（图4 ）
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
S1 ， S0到时钟（图4
t
H
-
2
4.5
6
保持时间
数据时钟（图3 ）
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
马克斯。时钟频率（图1）
磁共振脉冲宽度（图2）
时钟脉冲宽度（图1）
建立时间，数据时钟
（图3）
拆除时间MR到时钟
（图2）
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
27
16
16
14
-
-
-
-
22
20
20
18
-
-
-
-
18
24
24
21
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
6
30
35
80
16
14
80
16
14
70
14
12
60
12
10
80
16
14
70
14
12
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
100
20
17
90
18
15
75
15
13
100
20
17
90
18
15
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
105
21
19
90
18
15
120
24
20
105
21
18
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
-
4.5
12
-
15
-
18
-
ns
5
CD54HC194 ， CD74HC194 ，
CD74HCT194
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS164G
1997年9月 - 修订2006年5月
高速CMOS逻辑器件
4位双向通用移位寄存器
描述
的“ HC194和CD74HCT194是4位移位寄存器与
异步主复位（ MR） 。在并行模式（S0
与S1是高电平）时，数据被加载到相关的佛罗里达州的ip-佛罗里达州运
并出现在之后的上升沿输出
时钟输入端（CP） 。在并行加载串行数据溢流就是
抑制。左移和右移都完成
同步对正时钟与串行数据边
在左（ DSL）的串行输入为左移位的移位输入
模式，并在所述右移（DSR）为移位的串行输入
正确的模式。清除寄存器由一个低完成
适用于主复位（ MR）引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC194,
CD74H
CT194)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
四种工作模式
- 右移，左移，保持和复位
同步并行或串行操作
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
异步主复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC194F3A
CD74HC194E
CD74HC194M
CD74HC194MT
CD74HC194M96
CD74HC194NSR
CD74HC194PW
CD74HC194PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC194 （ CERDIP ）
CD74HC194 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT194 （ PDIP ）
顶视图
MR 1
DSR 2
D
0
3
D
1
4
D
2
5
D
3
6
DSL 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 CP
10 S1
9 S0
CD74HC194PWT
CD74HCT194E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2006年，德州仪器
1
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
DSL
DSR
S0
S1
MR
CP
3
4
5
6
7
2
9
10
1
11
15
14
13
12
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
操作
模式
复位（清）
持有（做什么）
左移
CP
X
X
↑
↑
右移
↑
↑
并行加载
↑
MR
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
l
h
h
l
l
h
S0
X
l
l
l
h
h
h
DSR
X
X
X
X
l
h
X
DSL
X
X
l
h
X
X
X
D
n
X
X
X
X
X
X
d
n
Q
0
L
q
0
q
1
q
1
L
H
d
0
产量
Q
1
L
q
1
q
2
q
2
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
2
q
3
q
3
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
3
L
H
q
2
q
2
d
3
H =高电压电平，
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换，
L =低电压电平，
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换，
d
n
(q
n
） =小写字母表示的参考输入（或输出）一个建立时间之前低到高时钟状态
转型，
X =无关，
↑
=转型从低到高级别
2
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
HCT输入负载表
输入
CP
MR
DSL ， DSR ，D
n
Sn
单位负载
0.6
0.55
0.25
1.10
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
马克斯。时钟频率
（图1）
f
最大
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
（图2）
t
W
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
（图1）
t
W
-
2
4.5
6
建立时间
数据时钟（图3 ）
t
SU
-
2
4.5
6
搬迁时间，
MR时钟（图2 ）
t
REM
-
2
4.5
6
建立时间
S1，S0到时钟（图4）
t
SU
-
2
4.5
6
建立时间
DSL ， DSR时钟（图4 ）
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
S1，S0到时钟（图4）
t
H
-
2
4.5
6
保持时间
数据时钟（图3 ）
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
马克斯。时钟频率（图1）
磁共振脉冲宽度（图2）
时钟脉冲宽度（图1）
建立时间，数据时钟
（图3）
拆除时间MR到时钟
（图2）
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
27
16
16
14
-
-
-
-
22
20
20
18
-
-
-
-
18
24
24
21
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
6
30
35
80
16
14
80
16
14
70
14
12
60
12
10
80
16
14
70
14
12
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
100
20
17
90
18
15
75
15
13
100
20
17
90
18
15
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
4
20
23
120
24
20
120
24
20
105
21
19
90
18
15
120
24
20
105
21
18
0
0
0
0
0
0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
TEST
条件V
CC
(V)
民
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
-
4.5
12
-
15
-
18
-
ns
5
CD54HC194 ， CD74HC194 ，
CD74HCT194
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS164G
1997年9月 - 修订2006年5月
高速CMOS逻辑器件
4位双向通用移位寄存器
描述
的“ HC194和CD74HCT194是4位移位寄存器与
异步主复位（ MR） 。在并行模式（S0
与S1是高电平）时，数据被加载到相关的佛罗里达州的ip-佛罗里达州运
并出现在之后的上升沿输出
时钟输入端（CP） 。在并行加载串行数据溢流就是
抑制。左移和右移都完成
同步对正时钟与串行数据边
在左（ DSL）的串行输入为左移位的移位输入
模式，并在所述右移（DSR）为移位的串行输入
正确的模式。清除寄存器由一个低完成
适用于主复位（ MR）引脚。
特点
[ /标题
(CD74
HC194,
CD74H
CT194)
/子
拍摄对象
（高
速度
CMOS
逻辑
4-Bit
四种工作模式
- 右移，左移，保持和复位
同步并行或串行操作
典型F
最大
=在V 60MHz的
CC
= 5V ，C
L
= 15pF的，
T
A
= 25
o
C
异步主复位
扇出（整个温度范围内）
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性：不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 ％
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容，
V
IL
= 0.8V （最大值） ，V
IH
= 2V （最小值）
- CMOS兼容输入，我
l
≤
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC194F3A
CD74HC194E
CD74HC194M
CD74HC194MT
CD74HC194M96
CD74HC194NSR
CD74HC194PW
CD74HC194PWR
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
引脚
CD54HC194 （ CERDIP ）
CD74HC194 （ PDIP ， SOIC ， SOP ， TSSOP ）
CD74HCT194 （ PDIP ）
顶视图
MR 1
DSR 2
D
0
3
D
1
4
D
2
5
D
3
6
DSL 7
GND 8
16 V
CC
15 Q
0
14 Q
1
13 Q
2
12 Q
3
11 CP
10 S1
9 S0
CD74HC194PWT
CD74HCT194E
注：订货时，使用整个零件编号。该SUF网络XES 96
而R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示小量
卷轴250 。
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2006年，德州仪器
1
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
工作原理图
D
0
D
1
D
2
D
3
DSL
DSR
S0
S1
MR
CP
3
4
5
6
7
2
9
10
1
11
15
14
13
12
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
GND = 8
V
CC
= 16
真值表
输入
操作
模式
复位（清）
持有（做什么）
左移
CP
X
X
↑
↑
右移
↑
↑
并行加载
↑
MR
L
H
H
H
H
H
H
S1
X
l
h
h
l
l
h
S0
X
l
l
l
h
h
h
DSR
X
X
X
X
l
h
X
DSL
X
X
l
h
X
X
X
D
n
X
X
X
X
X
X
d
n
Q
0
L
q
0
q
1
q
1
L
H
d
0
产量
Q
1
L
q
1
q
2
q
2
q
0
q
0
d
1
Q
2
L
q
2
q
3
q
3
q
1
q
1
d
2
Q
3
L
q
3
L
H
q
2
q
2
d
3
H =高电压电平，
H =高电平一个建立时间之前低到高时钟转换，
L =低电压电平，
L =低电平一建立时间之前低到高时钟转换，
d
n
(q
n
） =小写字母表示的参考输入（或输出）一个建立时间之前低到高时钟状态
转型，
X =无关，
↑
=转型从低到高级别
2
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
绝对最大额定值
直流电源电压，V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流，I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流，I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
＆ GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流，我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
＆ LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流，I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注2 ） ：
E（ PDIP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M（ SOIC ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS （ SOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW （ TSSOP ）封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
（ SOIC - 只会提示）
工作条件
温度范围（T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围，V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压，V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns （最大值）
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns （最大值）
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns （最大值）
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意：
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
V
OH
V
IH
or
V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
V
OL
V
IH
or
V
IL
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
低电平输出
电压
TTL负载
4
5.2
2
4.5
6
4.5
6
2
4.5
6
4.5
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.26
0.26
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.33
0.33
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.4
0.4
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
（毫安）V
CC
(V)
民
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C
民
最大
-55
o
C至125
o
C
民
最大
单位
3
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
直流电特定网络阳离子
（续）
TEST
条件
参数
输入漏
当前
静态器件
当前
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子： 1机组负荷
注意：
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V ）规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
（注3）
V
CC
to
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
or
V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
-
2
-
2
-
V
符号
I
I
I
CC
V
I
(V)
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
I
O
（毫安）V
CC
(V)
-
6
民
-
25
o
C
典型值
-
最大
±0.1
8
-40
o
C至85
o
C
民
-
最大
±1
80
-55
o
C至125
o
C
民
-
最大
±1
160
单位
A
A
0
6
-
-
-
-
-
-
-
-
0.8
-
0.8
-
0.8
V
V
IH
or
V
IL
-0.02
4.4
-
-
4.4
-
4.4
-
V
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
5.5
-
-
±0.1
8
-
±1
80
-
±1
160
A
A
A
0
5.5
-
-
-
-
-
4.5
5.5
-
100
360
-
450
-
490
HCT输入负载表
输入
CP
MR
DSL ， DSR ，D
n
Sn
单位负载
0.6
0.55
0.25
1.10
注：机组负荷为
I
CC
在直流电气限制特定网络版
特定网络阳离子表，如最大360μA 25
o
C.
4
CD54HC194 ， CD74HC194 ， CD74HCT194
前提切换功能
25
o
C
参数
HC类型
马克斯。时钟频率
（图1）
f
最大
-
2
4.5
6
MR脉冲宽度
（图2）
t
W
-
2
4.5
6
时钟脉冲宽度
（图1）
t
W
-
2
4.5
6
建立时间
数据时钟（图3 ）
t
SU
-
2
4.5
6
搬迁时间，
MR时钟（图2 ）
t
REM
-
2
4.5
6
建立时间
S1，S0到时钟（图4）
t
SU
-
2
4.5
6
建立时间
DSL ， DSR时钟（图4 ）
t
SU
-
2
4.5
6
保持时间
S1，S0到时钟（图4）
t
H
-
2
4.5
6
保持时间
数据时钟（图3 ）
t
H
-
2
4.5
6
HCT类型
马克斯。时钟频率（图1）
磁共振脉冲宽度（图2）
时钟脉冲宽度（图1）
建立时间，数据时钟
（图3）
拆除时间MR到时钟
（图2）
f
最大
t
W
t
W
t
SU
t
REM
-
-
-
-
4.5
4.5
4.5
4.5
27
16
16
14
-
-
-
-
22
20
20
18
-
-
-
-
18
24
24
21
-
-
-
-
兆赫
ns
ns
ns
6
30
35
80
16
14
80
16
14
70
14
12
60
12
10
80
16
14
70
14
12
0
0
0
0
0
0
-
-
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-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
5
24
28
100
20
17
100
20
17
90
18
15
75
15
13
100
20
17
90
18
15
0
0
0
0
0
0
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-
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-
4
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23
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24
20
120
24
20
105
21
19
90
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15
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0
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符号
TEST
条件V
CC
(V)
民
最大
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o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
民
最大
民
最大
单位
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12
-
15
-
18
-
ns
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