初步
CG6257AM
4MB （ 256K ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围：
2.70V–3.30V
存取时间： 70ns的
超低有功功率
- 典型工作电流： 2.0毫安@ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供了48球BGA封装
取消的时候（ CE为高或都BHE和BLE的高） 。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该地址不能
一旦读取启动时，设备上进行切换。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE LOW ）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）
为低时，从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真值表这个数据后面的
读写模式下完整的说明
功能说明
[1]
该CG6257AM是一种高性能的CMOS伪静态
RAM组织为256K字×16位支持的
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
（的MoBL ）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式，功耗降低
99％以上的装置，也可以被置于待机模式
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
CE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
伟达半导体公司
38-XXXXX
修订后的2003年8月
初步
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC /
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC /
A
20
A
B
C
D
E
F
G
H
CG6257AM
I / O
12
GND
I / O
13
NC /
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
注意：
2. DNU引脚必须悬空。
3.球H1， G2和球H6为FBGA封装可以被用来分别升级到8M， 16M和32M的密度。
4. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
38-XXXXX
第 - 12 - 2
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
CG6257AM
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6, 7]
........................................- 0.4V至3.3V
直流输入电压
[5, 6, 7]
.....................................- 0.4V至3.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
[9]
设备
CG6257AM
范围
产业
环境温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V到3.30V
产品组合
功耗
产品
分钟。
CG6257AM
2.70
V
CC
范围（V ）
典型值。
[8]
3.0
马克斯。
3.30
70
速度
（纳秒）
典型值。
[8]
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[8]
13
马克斯。
17
待我
SB2
(A)
典型值。
[8]
55
马克斯。
80
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -0.5V脉冲持续时间小于20ns 。
6. V
IH（ MAX）的
= VCC + 0.5V的脉冲持续时间小于20ns 。
7.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
9. VCC必须以最小的运营水平之前，输入被打开。
38-XXXXX
第 - 12 - 3
初步
电气特性
在整个工作范围
CG6257AM
CG6257AM-70
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
Supplay电压
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
输出低电压I
OL
= 2.0毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
V
CC
= 2.7V至3.3V
V
CC
= 2.7V至3.3V （ F = 0 ）
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8*Vcc
-0.3
–1
–1
13
2.0
测试条件
分钟。
2.7
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.4
+1
+1
17
4
350
典型值。
[8]
马克斯。
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
VCC = 3.3V
CE > V
CC
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
=3.30V
VCC = 3.3V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.30V
55
I
SB2
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
80
A
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[10]
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
注意：
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
38-XXXXX
第 - 12 - 4
初步
CG6257AM
4MB （ 256K ×16 ）伪静态RAM
特点
宽电压范围：
2.70V–3.30V
存取时间： 70ns的
超低有功功率
- 典型工作电流： 2.0毫安@ F = 1兆赫
- 典型工作电流： 13毫安@频率= F
最大
超低待机功耗
取消时自动断电
CMOS的最佳速度/功耗
提供了48球BGA封装
取消的时候（ CE为高或都BHE和BLE的高） 。
的输入/输出管脚（ I / O的
0
通过I / O
15
）被放置在一个
，输出取消（ CE HIGH ） ：在高阻抗状态
禁用（ OE高） ，这两个高字节使能和低字节
启用已禁用（ BHE ， BLE HIGH） ，或写在
操作（ CE LOW和WE低）。
该地址不能
一旦读取启动时，设备上进行切换。
写入设备通过取芯片使能实现
（ CE LOW ）和写使能（ WE）输入低电平。如果字节低
使能（ BLE ）为低，然后从I / O引脚（数据I / O
0
通过
I / O
7
） ，被写入的地址引脚指定的位置
(A
0
至A
17
） 。如果高字节使能（ BHE ）为低电平，则数据
从I / O引脚（ I / O
8
通过I / O
15
）被写入的位置
在地址引脚指定的（A
0
至A
17
).
从设备读通过取芯片完成
启用（ CE LOW）和输出使能（ OE ）低，而
强迫写使能（ WE） HIGH 。如果低字节使能（ BLE ）
为低时，从存储器位置被指定的数据
地址引脚将出现在I / O
0
到I / O
7
。如果高字节使能
（ BHE ）为低电平，然后从内存中的数据将出现在I / O
8
to
I / O
15
。见真值表这个数据后面的
读写模式下完整的说明
功能说明
[1]
该CG6257AM是一种高性能的CMOS伪静态
RAM组织为256K字×16位支持的
异步存储器接口。该设备的特点
先进的电路设计，提供超低的工作电流。
这是理想的提供更多的电池寿命
（的MoBL ）在
便携式应用，如蜂窝电话。该装置
可置于待机模式，功耗降低
99％以上的装置，也可以被置于待机模式
逻辑框图
数据驱动因素
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
行解码器
256K × 16
RAM阵列
检测放大器
I / O0 - I / O7
I / O8 I / O15
列解码器
BHE
WE
OE
BLE
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
CE
掉电
电路
BHE
BLE
CE
注意：
1.对于最佳实践的建议，请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
伟达半导体公司
38-XXXXX
修订后的2003年8月
初步
引脚配置
[2, 3, 4]
FBGA
顶视图
1
BLE
I / O
8
I / O
9
V
SS
V
CC
I / O
14
I / O
15
NC /
A
18
2
OE
BHE
I / O
10
I / O
11
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A
11
6
NC
I / O
0
I / O
2
VCC
VSS
I / O
6
I / O
7
NC /
A
20
A
B
C
D
E
F
G
H
CG6257AM
I / O
12
GND
I / O
13
NC /
A
19
A
8
A
14
A
12
A
9
注意：
2. DNU引脚必须悬空。
3.球H1， G2和球H6为FBGA封装可以被用来分别升级到8M， 16M和32M的密度。
4. NC“无连接” - 在内部没有连接到芯片。
38-XXXXX
第 - 12 - 2
初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度................................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地电位................. -0.4V至4.6V
CG6257AM
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[5, 6, 7]
........................................- 0.4V至3.3V
直流输入电压
[5, 6, 7]
.....................................- 0.4V至3.3V
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
[9]
设备
CG6257AM
范围
产业
环境温度
-25 ° C至+ 85°C
V
CC
2.70V到3.30V
产品组合
功耗
产品
分钟。
CG6257AM
2.70
V
CC
范围（V ）
典型值。
[8]
3.0
马克斯。
3.30
70
速度
（纳秒）
典型值。
[8]
2
我的操作
CC
（MA ）
F = 1MHz的
马克斯。
4
f = f
最大
典型值。
[8]
13
马克斯。
17
待我
SB2
(A)
典型值。
[8]
55
马克斯。
80
注意事项：
5. V
IL （ MIN ）
= -0.5V脉冲持续时间小于20ns 。
6. V
IH（ MAX）的
= VCC + 0.5V的脉冲持续时间小于20ns 。
7.过冲和下冲规格的特点，不是100 ％测试。
8.典型值包括仅供参考，不保证或测试。典型值是在V测量
CC
= V
CC （典型值）。
, T
A
= 25°C.
9. VCC必须以最小的运营水平之前，输入被打开。
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第 - 12 - 3
初步
电气特性
在整个工作范围
CG6257AM
CG6257AM-70
参数
V
CC
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
Supplay电压
输出高电压I
OH
= -1.0毫安
输出低电压I
OL
= 2.0毫安
输入高电压
输入低电压
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
工作电源
当前
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
V
CC
= 2.7V至3.3V
V
CC
= 2.7V至3.3V （ F = 0 ）
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
F = 1 MHz的
V
CC
= V
CCmax
I
OUT
= 0毫安
CMOS电平
V
CC
= 2.70V
V
CC
= 2.70V
0.8*Vcc
-0.3
–1
–1
13
2.0
测试条件
分钟。
2.7
2.4
0.4
V
CC
+0.3V
0.4
+1
+1
17
4
350
典型值。
[8]
马克斯。
3.3
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
A
I
SB1
VCC = 3.3V
CE > V
CC
0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
–0.2V, V
IN
<0.2V)
f = f
最大
（地址和数据
只） ，
F = 0 （ OE ， WE ， BHE和BLE ）
V
CC
=3.30V
VCC = 3.3V
CE > V
CC
– 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= 3.30V
55
I
SB2
自动CE
掉电
电流 - CMOS
输入
80
A
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
[10]
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
注意：
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气，焊接在一个3 × 4.5英寸， 2层印刷
电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
单位
° C / W
° C / W
38-XXXXX
第 - 12 - 4
QQ：2881677436 复制
