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微型PMU与1.2 A降压稳压器
和两个300毫安的LDO
数据表
特点
输入电压范围: 2.3 V至5.5 V
一个1.2 A降压稳压器
两个300毫安的LDO
20引脚,采用4 mm× 4 mm LFCSP封装包
过流和热保护
软启动
欠压锁定
巴克关键指标
输出电压范围: 0.8 V至3.8 V
电流模式拓扑结构提供出色的瞬态响应
3 MHz的工作频率
峰值效率高达96%
使用小型多层电感器和电容器
模式引脚选择强制PWM或自动PWM / PSM模式
100 %占空比低压差模式
LDO的关键指标
输出电压范围: 0.8 V至5.2 V
低V
IN
从1.7 V至5.5 V
稳定的2.2 μF陶瓷输出电容器
高PSRR
低输出噪声
低压差
-40°C至+ 125°C的结温范围
ADP5040
概述
ADP5040
结合了一台高性能降压稳压器
和两个低压降稳压器( LDO ),一个小型的20引脚
LFCSP封装,以满足严苛的性能和电路板空间
要求。
降压调节器的高开关频率允许使用
小型多层外部器件,减少电路板空间。
当MODE引脚设置为逻辑高电平时,降压稳压器
工作在强制脉冲宽度调制(PWM )模式。
当MODE引脚设置为逻辑低电平时,降压稳压器
以PWM模式工作时的负荷是围绕标称
值。当负载电流下降到低于预定阈值
稳压器以省电模式( PSM )工作改善
的轻负载效率。低静态电流,低
压差电压,并在宽输入电压范围
ADP5040
LDO的延长便携设备的电池寿命。该
ADP5040
LDO能保持电源抑制大于60分贝
频率高达10kHz的同时用低净空操作
电压。
在每个稳压器
ADP5040
由一个高级别上激活
各自的使能引脚。调节器的输出电压
被编程虽然外部电阻分压器,以解决
各种应用程序。
VOUT1
R
FILT
= 30
AVIN
SW
AVIN
V
IN1
= 2.3V至
5.5V
VIN1
C5
4.7F
关闭
V
IN2
= 1.7V
至5.5V
保护地
ON
EN1
VIN2
C1
1F
ON
关闭
ON
关闭
EN2
LDO1
(数字)
EN_LDO1
EN_BK
模式
VOUT2
FB2
R4
R3
FPWM
PSM / PWM
V
OUT2
AT
300mA
C2
2.2F
巴克
FB1
R2
R1
L1
1H
V
OUT1
AT
1.2A
C6
10F
功能框图
EN3
V
IN3
= 1.7V
至5.5V
VIN3
C3
1F
EN_LDO2
LDO2
( ANALOG )
VOUT3
FB3
R3
R7
V
OUT3
AT
300mA
C4
2.2F
09665-001
AGND
图1 。
R
EV 。 0
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而,没有
责任承担ADI公司供其使用,也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更,恕不另行通知。没有
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2011 ADI公司保留所有权利。
ADP5040
目录
特点................................................. ............................................. 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... ............... 1
修订历史................................................ ............................... 2
规格................................................. .................................... 3
一般规格................................................ ................. 3
巴克规格................................................ ....................... 3
LDO1 , LDO2规格.............................................. 4 .........
输入和输出电容,推荐规格。5
绝对最大额定值............................................... ............. 6
热阻................................................ ...................... 6
ESD注意事项................................................ .................................. 6
引脚配置和功能说明............................. 7
工作原理............................................... ....................... 25
数据表
电源管理单元............................................... ............ 25
巴克科................................................ ................................ 26
LDO部分................................................ ............................... 27
应用信息................................................ .............. 29
巴克外部元件的选择....................................... 29
LDO外部元件的选择...................................... 30
功耗/散热考虑............................. 31
应用框图................................................ ................. 33
PCB布局指南............................................... ................... 34
建议布局................................................ ........................ 34
物料清单............................................... ............................ 35
工厂可编程选项............................................... .... 36
外形尺寸................................................ ....................... 37
订购指南................................................ .......................... 37
修订历史
12月11日 - 修订版0 :初始版
第0版|第40 2
数据表
特定网络阳离子
一般特定网络阳离子
ADP5040
AVIN , VIN1 = 2.3 V至5.5 V ; AVIN , VIN1 ≥VIN2 , VIN3 ; VIN2 , VIN3 = 1.7 V至5.5 V ,T
J
= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大
规格,和T
A
= 25 ℃,典型的规格,除非另有说明。
表1中。
参数
AVIN欠压闭锁
输入电压崛起
选0
选项1
输入电压下降
选0
选项1
关断电流
热关断阈值
热关断迟滞
启动时间
1
巴克
LDO1 , LDO2
ENX ,模式,投入
输入逻辑高
输入逻辑低电平
输入漏电流
1
符号
UVLO
AVIN
UVLO
AVINRISE
描述
典型值
最大
单位
2.275
3.9
UVLO
AVINFALL
1.95
3.1
I
GND -SD
TS
SD
TS
SD- HYS
t
START1
t
START2
V
IH
V
IL
V
我泄漏
ENX = GND
T
J
升起
0.1
150
20
250
85
1.2
0.05
0.4
1
2
V
V
V
V
A
°C
°C
s
s
V
V
A
V
OUT2
, V
OUT3
= 3.3 V
2.5 V≤ AVIN ≤ 5.5 V
2.5 V≤ AVIN ≤ 5.5 V
ENX = AVIN或GND
启动时间从此刻EN1 = EN2 = EN3需要从0 V至所需要的时间
AVIN
到此刻VOUT1 , VOUT2 ,并且VOUT3 reache 90%的
标称电平。启动时间更短了各个通道是否已经开启另一个通道。有关详情,请典型性能特性部分
信息。
BUCK规格
AVIN , VIN1 = 2.3 V至5.5 V ; V
OUT1
= 1.8 V ; L = 1 μH ;
IN
= 10 μF ;
OUT
= 10 μF ;牛逼
J
= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大
规格,和T
A
= 25 ℃,典型的规格,除非另有说明。
1
表2中。
参数
输入特性
输入电压范围
输出特性
输出电压精度
线路调整
负载调整率
电压反馈
PWM到省电模式
电流阈值
输入电流特性
直流工作电流
关断电流
符号
V
IN1
测试条件/评论
2.3
典型值
最大
5.5
单位
V
V
OUT1
(ΔV
OUT1
/V
OUT1
)/ΔV
IN1
(ΔV
OUT1
/V
OUT1
)/ΔI
OUT1
V
FB1
I
PSM_L
PWM模式,
I
负载
= 0 mA至1200毫安
PWM模式
I
负载
=毫安到1200毫安, PWM模式
3
0.05
0.1
0.5
100
+3
%
%/V
%/A
V
mA
0.485
0.515
I
空载
I
SHTD
MODE =接地
I
负载
= 0 mA时,设备没有开关,所有其他
禁用渠道
EN1 = 0 V ,T
A
= T
J
= -40 ° C至+ 125°C
21
0.2
35
1.0
μA
μA
第0版|第40 3
ADP5040
参数
软件特性
SW导通电阻
符号
R
PFET
R
NFET
电流限制
有源下拉
振荡器频率
1
数据表
测试条件/评论
PFET , AVIN = VIN1 = 3.6 V
PFET , AVIN = VIN1 = 5 V
NFET , AVIN = VIN1 = 3.6 V
NFET , AVIN = VIN1 = 5 V
PFET开关的峰值电流限制
EN1 = 0 V
典型值
180
140
170
150
1950
85
3.0
最大
240
190
235
210
2300
3.5
单位
mA
Ω
兆赫
I
极限
F
OSC
1600
2.5
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制( SQC )保证。
LDO1 , LDO2规格
V
IN2
, V
IN3
= (V
OUT2
,V
OUT3
+ 0.5 V)或1.7 V (以较高者为准)至5.5V ; AVIN , VIN1 ≥ VIN2 , VIN3 ;
IN
= 1 μF ,C
OUT
= 2.2 μF;
T
J
= -40 ° C至+ 125°C的最小/最大规格,而T
A
= 25 ℃,典型的规格,除非另有说明。
1
表3中。
参数
符号
条件
典型值
最大
单位
输入电压范围
工作电源电流
每个LDO的偏置电流
2
V
IN2
, V
IN3
I
VIN2BIAS
/I
VIN3BIAS
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
I
OUT3
= I
OUT4
= 0 μA
I
OUT2
= I
OUT3
= 10毫安
I
OUT2
= I
OUT3
= 300毫安
1.7
10
60
165
5.5
30
100
245
V
μA
μA
μA
系统总输入电流
LDO1或仅LDO2
LDO1和LDO2只有
输出电压精度
I
IN
包括目前所有的进AVIN , VIN1 , VIN2和VIN3
I
OUT2
= I
OUT3
= 0 μA ,所有其它通道禁用
I
OUT2
= I
OUT3
= 0 μA ,停用降压
100 μA <我
OUT2
< 300毫安, 100 μA <我
OUT3
< 300毫安
V
IN2
= (V
OUT2
+ 0.5 V)至5.5 V ,
V
IN3
= (V
OUT3
+ 0.5 V)至5.5 V
3
53
74
+3
μA
μA
%
V
OUT2
, V
OUT3
参考电压
线路调整
V
FB2
, V
FB3
(ΔV
OUT2
/V
OUT2
)/ΔV
IN2
(ΔV
OUT3
/V
OUT3
)/ΔV
IN3
(ΔV
OUT2
/V
OUT2
)/ΔI
OUT2
(ΔV
OUT3
/V
OUT3
)/ΔI
OUT3
V
V
IN2
= (V
OUT2
+ 0.5 V)至5.5 V
V
IN3
= (V
OUT3
+ 0.5 V)至5.5 V
I
OUT2
= I
OUT3
= 1毫安
I
OUT2
= I
OUT3
= 1 mA至300毫安
0.485
0.03
0.500
0.515
+0.03
V
%/ V
负载调整率
3
输入输出电压差
4
0.002
0.0075
% / mA的
有源下拉
限流门限
5
输出噪声
R
PDLDO
I
极限
OUT
LDO2NOISE
OUT
LDO1NOISE
V
OUT2
= V
OUT3
= 5.0 V,I
OUT2
= I
OUT3
= 300毫安
V
OUT2
= V
OUT3
= 3.3 V,I
OUT2
= I
OUT3
= 300毫安
V
OUT2
= V
OUT3
= 2.5 V,I
OUT2
= I
OUT3
= 300毫安
V
OUT2
= V
OUT3
= 1.8 V,I
OUT2
= I
OUT3
= 300毫安
EN2 / EN3 = 0 V
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
10赫兹至100千赫兹,V
IN3
= 5 V, V
OUT3
= 3.3 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN3
= 5 V, V
OUT3
= 2.8 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN3
= 5 V, V
OUT3
= 1.5 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN2
= 5 V, V
OUT2
= 3.3 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN2
= 5 V, V
OUT2
= 2.8 V
10赫兹至100千赫兹,V
IN2
= 5 V, V
OUT2
= 1.5 V
335
72
86
107
180
600
470
123
110
59
140
129
66
140
mV
mV
mV
mV
Ω
mA
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
μV RMS
第0版|第40 4
数据表
参数
符号
条件
典型值
ADP5040
最大
单位
电源抑制
PSRR
1千赫,V
IN2
, V
IN3
= 3.3 V, V
OUT2
, V
OUT3
= 2.8 V,
I
OUT
= 100毫安
100千赫兹,V
IN2
, V
IN3
= 3.3 V, V
OUT2
, V
OUT3
= 2.8 V,
I
OUT
= 100毫安
1兆赫,V
IN2
, V
IN3
= 3.3 V, V
OUT2
, V
OUT3
= 2.8 V,
I
OUT
= 100毫安
66
57
60
dB
dB
dB
所有的极限温度下通过的相关使用标准的统计质量控制( SQC )保证。
这是在输入电流中V
IN2
和V
IN3
,这是不传递到输出负载。
3
基于使用1毫安和300毫安负载的一端点计算。
4
电压差被定义为当输入电压被设置为标称输出电压的输入 - 输出电压差。这仅适用于输出
电压高于1.7 V.
5
限流阈值被定义为输出电压下降到90%的指定的典型值的电流。例如,电流限制为3.0 V
输出电压被定义为当前使输出电压下降为3.0V至90%,或2.7 V.
1
2
输入和输出电容,推荐规格
表4 。
参数
输入电容( BUCK )
1
输出电容( BUCK )
2
输入和输出电容
3
( LDO1 , LDO2 )
电容的ESR
1
符号
C
MIN1
C
MIN2
C
MIN34
R
ESR
条件
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
T
J
= -40 ° C至+ 125°C
4.7
7
0.70
0.001
典型值
最大
40
40
1
单位
F
F
F
Ω
最小输入电容应大于4.7 μF的整个范围内的工作条件。在应用程序的全方位的工作条件
必须在设备的选择来考虑,以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议,而
Y5V和Z5U电容不推荐用于降压使用。
2
最小的输出电容应大于7 μF的整个范围内的运行条件。在应用程序的全方位的工作条件
必须在设备的选择来考虑,以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议,而
Y5V和Z5U电容不推荐用于降压使用。
3
最小输入和输出电容应大于0.70 μF的整个范围内的运行条件。全范围的操作条件
应用程序必须在设备的选择来考虑,以确保最小电容要求。 X7R和X5R型电容建议,
而Y5V和Z5U电容不推荐用LDO的使用。
第0版|第40 5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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