CBRHDSH1-100
表面贴装
高密
1 AMP SILICON
肖特基整流桥
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体CBRHDSH1-100
是一个全波桥式整流器在耐用环氧表面
安装塑料外壳,专为低电压全波
整流应用。所使用的模制化合物
本设备具有UL可燃性分类94V -O 。
标识代码: CSH110
产品特点:
低漏电流( 100nA的TYP @ VRRM )
低正向压降肖特基二极管
高1.0A额定电流
HD DIP案例
最大额定值:
( TA = 25° C除非另有说明)
反向重复峰值电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均正向电流
峰值正向浪涌电流
功耗
工作结温
储存温度
热阻
符号
VRRM
VR
VR ( RMS )
IO
IFSM
PD
TJ
TSTG
Θ
JA
100
100
71
1.0
20
1.2
-50至+125
-50至+150
85
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
° C / W
每二极管电气特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
符号
IR
IR
BVR
VF
VF
CJ
测试条件
VR=100V
VR = 100V , TA = 100℃
IR=150A
IF=500mA
IF=1.0A
VR = 4.0V , F = 1.0MHz的
100
650
700
230
700
750
民
典型值
0.1
最大
10
20
单位
A
mA
V
mV
mV
pF
R3 (2010年4月)
CBRHDSH1-100
表面贴装
高密
1 AMP SILICON
肖特基整流桥
HD DIP案例 - 机械外形
标识代码: CSH110
R3 (2010年4月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米