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砷化镓场效应管

q

q

q

q

q

CFY 25

低噪音

高增益

对于前端放大器

LON -植入平面结构

全部镀金

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

CFY 25-17

CFY 25-20

CFY 25-23

记号

C5

C6

C7

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62703-F106

Q62703-F107

Q62703-F108

引脚配置

1

2

3

4

D

S

G

S

包

1)

微-X

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

总功耗，

T

S

≤

56 C

2)

通道温度

存储温度范围

热阻

道 - 焊接点

2)

R

日CHS

375

K / W

符号

V

DS

V

DG

V

GS

I

D

P

合计

T

ch

T

英镑

值

5

7

–5…+0

80

250

150

– 65 … + 150

mA

mW

C

单位

V

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的源极引线。

半导体集团

1

07.94

CFY 25

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

漏源饱和电流

V

DS

= 3 V,

V

GS

= 0

捏-O FF电压

I

D

= 1毫安，

V

DS

= 3 V

栅极漏电流

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3 V

跨

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3 V

噪声系数

I

DS

= 15毫安，

V

DS

= 3 V,

f

= 12 GHz的CFY 25-17

CFY 25-20

CFY 25-23

相关的增益

I

DS

= 15毫安，

V

DS

= 3 V,

f

= 12 GHz的CFY 25-17

CFY 25-20

CFY 25-23

符号

分钟。

I

DSS

V

p

I

G

g

m

F

–

–

–

G

a

9

8.5

8.5

9.5

9

9

–

–

–

1.6

1.9

2.2

1.7

2.0

2.3

15

– 0.3

–

30

值

典型值。

30

– 1.0

0.1

40

马克斯。

60

– 3.0

2

–

mA

V

A

单位

mS

dB

半导体集团

2

CFY 25

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

;

T

A

*)

*包安装在氧化铝

输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

传输特性

I

D

=

f

(V

G

)

V

DS

= 3 V

半导体集团

3

CFY 25

共源噪声参数

f

GHz的

F

民

dB

G

a

dB

Γ

选择

MAG

昂

R

N

r

N

–

N

–

F

50

dB

对g（f

50

)

dB

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3.0 V,

Z

0

= 50

2

4

6

8

10

12

14

0.60

0.77

1.00

1.25

1.55

1.77

2.15

18.5

14.6

12.4

11.0

9.8

9.0

8.1

0.70

0.59

0.50

0.47

0.45

0.43

0.41

31

63

103

140

174

– 156

– 130

29

21

13

7.3

5.6

7.1

18

0.580

0.420

0.260

0.146

0.112

0.142

0.360

0.10

0.14

0.19

0.23

0.28

0.29

0.46

2.0

1.8

1.8

2.0

2.4

2.5

3.0

11.4

10.5

9.3

8.2

7.3

6.4

5.8

源阻抗分钟。噪声系数

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3 V

不断的噪声系数圆

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3 V,

f

= 12 GHz的

半导体集团

4

CFY 25

最小噪声科幻gure

F

民

=

f

(f)

相关的增益

G

a

=

f

(f)

I

D

= 15毫安，

V

DS

= 3 V,

Z

SOPT

最小噪声科幻gure

F

民

=

f

(I

D

)

相关的增益

G

a

=

f

(I

D

)

V

DS

= 3 V,

f

= 12千兆赫，

Z

SOPT

半导体集团

5

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