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CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
5
CD54HC147 , CD74HC147 ,
CD74HCT147
从哈里斯半导体数据表收购
SCHS149F
1997年9月 - 修订2003年11月
高速CMOS逻辑器件
10至4线优先编码器
提供二进制表示的四个低电平输入
( Y0到Y3 ) 。优先级分配给每个输入,使得当
两个或更多个输入是同时活动的,则输入与
最高优先级被表示在输出与输入
线L
9
具有最高优先级。
这些器件提供了10行至4行优先编码
功能通过使用隐含的小数点“零”的。 “零”是
编码时,所有的九个数据输入为高电平,迫使所有四个
输出高电平。
[ /标题
(CD74
HC147
,
CD74
HCT14
7)
/子
拍摄对象
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
r)
/ Autho
r ()
/密钥 -
WORDS
(高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
ENCODE
R,高
速度
CMOS
逻辑
10-to-4
LINE
优先
特点
缓冲输入和输出
典型传播延迟: 13ns在V
CC
= 5V,
C
L
= 15pF的,T
A
= 25
o
C
扇出(整个温度范围内)
- 标准输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10输入通道负载
- 公交驱动器输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15输入通道负载
宽工作温度范围。 。 。 -55
o
C至125
o
C
平衡传输延迟和转换时间
显着的功耗相比减少LSTTL
逻辑IC
HC类型
- 2V至6V工作
- 高抗噪性:不适用
IL
= 30%, N
IH
的V = 30 %
CC
在V
CC
= 5V
HCT类型
- 4.5V至5.5V工作电压
- 直接输入通道输入逻辑兼容,
V
IL
= 0.8V (最大值) ,V
IH
= 2V (最小值)
- CMOS兼容输入,我
l
1μA在V
OL
, V
OH
订购信息
产品型号
CD54HC147F3A
CD74HC147E
CD74HC147M
CD74HC147MT
CD74HC147M96
CD74HC147NSR
CD74HC147PW
CD74HC147PWR
CD74HC147PWT
CD74HCT147E
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
16 Ld的CERDIP
16 Ld的PDIP
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOIC
16 Ld的SOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的TSSOP
16 Ld的PDIP
描述
在“ HC147和CD74HCT147是高速硅栅
CMOS器件和引脚兼容的低功耗
肖特基TTL ( LSTTL ) 。
在“ HC147和CD74HCT147 9输入优先权编码器
接受来自9低电平有效输入数据(L
1
到L
9
)和
注:订货时,使用整个零件编号。该SUF网络XES
96和R表示磁带和卷轴。该SUF科幻X T表示
小批量卷轴250 。
引脚
CD54HC147 ( CERDIP )
CD74HC147 ( PDIP , SOIC , SOP , TSSOP )
CD74HCT147 ( PDIP , TSSOP )
顶视图
I4 1
I5 2
I6 3
I7 4
I8 5
Y2 6
Y1 7
GND 8
16 V
CC
15 NC
14 Y3
13 I3
12 I2
11 I1
10 I9
9 Y0
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
2003年,德州仪器
1
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
工作原理图
I1
I2
13
I3
1
I4
2
I5
3
I6
4
I7
5
I8
I9
GND = 8
V
CC
= 16
10
14
Y3
6
Y2
7
Y1
11
12
9
Y0
真值表
输入
I1
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
I2
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
I3
H
X
X
X
X
X
X
L
H
H
I4
H
X
X
X
X
X
L
H
H
H
I5
H
X
X
X
X
L
H
H
H
H
I6
H
X
X
X
L
H
H
H
H
H
I7
H
X
X
L
H
H
H
H
H
H
I8
H
X
L
H
H
H
H
H
H
H
I9
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
Y3
H
L
L
H
H
H
H
H
H
H
输出
Y2
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
Y1
H
H
H
L
L
H
H
L
L
H
Y0
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H =高逻辑电平,L =低逻辑电平,X =无关
2
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
绝对最大额定值
直流电源电压,V
CC
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7V
DC输入二极管电流,I
IK
对于V
I
< -0.5V或V
I
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
DC输出二极管电流,I
OK
对于V
O
< -0.5V或V
O
& GT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 20毫安
每个输出引脚的直流输出源或灌电流,我
O
对于V
O
> -0.5V或V
O
& LT ; V
CC
+ 0.5V
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
DC V
CC
或接地电流,I
cc或
I
GND
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 50毫安
热信息
封装的热阻抗,
θ
JA
(见注1 ) :
E( PDIP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
o
C / W
M( SOIC )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 73
o
C / W
NS ( SOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 64
o
C / W
PW ( TSSOP )封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 108
o
C / W
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55
o
C至125
o
C
电源电压范围,V
CC
HC类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .2V至6V
HCT类型。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .4.5V至5.5V
DC输入或输出电压,V
I
, V
O
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至V
CC
输入上升和下降时间
2V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。最大1000ns (最大值)
4.5V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为500ns (最大值)
6V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为400ns (最大值)
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意:
1.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
直流电特定网络阳离子
TEST
条件
参数
HC类型
输入高电平
电压
V
IH
-
-
2
4.5
6
低电平输入
电压
V
IL
-
-
2
4.5
6
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
I
I
I
CC
V
CC
or
GND
V
CC
or
GND
V
OL
V
IH
或V
IL
V
OH
V
IH
或V
IL
-0.02
-0.02
-0.02
-
-4
-5.2
0.02
0.02
0.02
-
4
5.2
-
0
2
4.5
6
-
4.5
6
2
4.5
6
-
4.5
6
6
6
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.98
5.48
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.26
0.26
±0.1
8
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.84
5.34
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.33
0.33
±1
80
1.5
3.15
4.2
-
-
-
1.9
4.4
5.9
-
3.7
5.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
1.35
1.8
-
-
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
-
0.4
0.4
±1
160
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
V
CC
(V)
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
3
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
直流电特定网络阳离子
(续)
TEST
条件
参数
HCT类型
输入高电平
电压
低电平输入
电压
高电平输出
电压
CMOS负载
高电平输出
电压
TTL负载
低电平输出
电压
CMOS负载
低电平输出
电压
TTL负载
输入漏
当前
静态器件
当前
其他静态
器件电流每
输入端子: 1机组负荷
注意:
2.对于双电源系统的理论最坏的情况下(V
I
= 2.4V, V
CC
= 5.5V )规格1.8毫安。
I
I
I
CC
I
CC
(注2 )
V
CC
GND
V
CC
or
GND
V
CC
-2.1
V
OL
V
IH
或V
IL
V
IH
V
IL
V
OH
-
-
V
IH
或V
IL
-
-
-0.02
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
2
-
4.4
-
-
-
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
2
-
4.4
-
0.8
-
V
V
V
符号
V
I
(V)
I
O
(MA )
25
o
C
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
V
CC
(V)
-4
4.5
3.98
-
-
3.84
-
3.7
-
V
0.02
4.5
-
-
0.1
-
0.1
-
0.1
V
4
4.5
-
-
0.26
-
0.33
-
0.4
V
0
0
-
5.5
5.5
4.5
5.5
-
-
-
-
100
±0.1
8
360
-
-
-
±1
80
450
-
-
-
±1
160
490
A
A
A
HCT输入负载表
输入
I
1
, I
2
, I
3
, I
6
, I
7
I
4
, I
5
, I
8
, I
9
单位负载
1.1
1.5
注:机组负荷为
I
CC
在DC电气表限制特定网络版,例如,
最大360μA 25
o
C.
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
HC类型
传播延迟,
输入到输出(图1 )
t
PLH ,
t
PHL
C
L
= 50pF的
2
4.5
5
6
转换时间
(图1)
t
TLH
, t
THL
C
L
= 50pF的
2
4.5
6
输入电容
C
IN
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
13
-
-
-
-
-
160
32
-
27
75
15
13
10
-
-
-
-
-
-
-
-
200
40
-
34
95
19
16
10
-
-
-
-
-
-
-
-
240
48
-
41
110
22
19
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
符号
TEST
条件
25
o
C
V
CC
(V)
典型值
最大
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
最大
最大
单位
4
CD54HC147 , CD74HC147 , CD74HCT147
交换特定网络阳离子
输入吨
r
, t
f
= 6ns的
参数
功耗电容
tance
(注3,4)
HCT类型
传播延迟,
输入到输出(图2 )
转换时间(图2 )
输入电容
功耗电容
tance
(注3,4)
注意事项:
3. C
PD
被用于确定所述动态功耗,每个门。
4. P
D
= V
CC2
f
i
(C
PD
+ C
L
) ,其中F
i
=输入频率,C
L
=输出负载电容,V
CC
=电源电压。
t
PLH
, t
PHL
C
L
= 50pF的
4.5
5
t
TLH
, t
THL
C
IN
C
PD
C
L
= 50pF的
-
-
4.5
-
5
-
-
-
-
-
-
14
-
-
42
35
-
15
10
-
-
-
-
-
-
44
-
19
10
-
-
-
-
-
-
53
-
22
10
-
ns
ns
ns
pF
pF
符号
C
PD
(续)
25
o
C
V
CC
(V)
5
-
典型值
32
最大
-
-40
o
C至85
o
C -55
o
C至125
o
C
-
最大
-
-
最大
-
单位
pF
TEST
条件
-
测试电路和波形
t
r
= 6ns的
输入
90%
50%
10%
t
TLH
90%
50%
10%
t
PHL
t
PLH
t
f
= 6ns的
V
CC
输入
GND
t
THL
t
r
= 6ns的
2.7V
1.3V
0.3V
t
TLH
90%
反相
产量
t
PHL
t
PLH
1.3V
10%
t
f
= 6ns的
3V
GND
t
THL
反相
产量
图6. HC和HCU转换时间PROPAGA-
TION延迟时间的组合逻辑
图7. HCT过渡时间和传输
延迟时间的组合逻辑
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

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