【齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C1】,IC型号BZX85C7V5,BZX85C7V5 PDF资料,BZX85C7V5经销商,ic,电子元器件-51电子网

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

齐纳二极管

BZX85C3V3 - BZX85C100

绝对最大额定值*

符号

P

D

参数

功耗

@ TL

≤

50 ° C，引线长度= 3/8 “

减免上述50℃

T

J

, T

英镑

工作和存储温度范围

T

A

= 25 ° C除非另有说明

容差±5 ％

单位

W

毫瓦/°C的

°C

价值

1.0

6.67

-65到+200

*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO- 41玻璃柜

颜色频带为负极

电气特性

设备

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

V

Z

（伏）

分钟。

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

马克斯。

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

T

A

= 25 ° C除非另有说明

齐纳电压

（注1 ）

I

Z

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

齐纳阻抗

Z

@ I

Z

()

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

45

50

90

115

Z

ZK

@ I

ZK

()

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

（MA ）

漏电流

I

R

@ V

R

A

马克斯。

伏

1

0.5

0.25

60

30

5

3

1

0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

5

6.5

7

7.7

8.4

9.1

10.5

11

12.5

14

15.5

17

19

21

23

25

27

30

33

36

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

2004仙童半导体公司

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

电气特性

（续）T = 25° C除非另有说明

A

齐纳电压

（注1 ）

设备

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

V

Z

（伏）

分钟。

52

58

64

70

77

85

96

马克斯。

60

66

72

80

87

96

106

I

Z

mA

4

2.7

齐纳阻抗

Z

@ I

Z

()

120

125

130

150

200

250

350

Z

ZK

@ I

ZK

()

2000

3000

（MA ）

漏电流

I

R

@ V

R

A

马克斯。

伏

0.25

0.5

39

43

47

51

56

62

68

V

F

正向电压= 1.2V最大@ I

F

= 200毫安

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

)

齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T

L

）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

顶标信息

设备

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

1号线

标志

2号线

85C

LINE 3

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

4号线

5号线

XY

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

顶标信息

（续）

47

36

A

XY

F

1

st

行：F - 仙童标志

2

nd

行：设备名称 - 3

rd

4

th

设备名称1Nxx一系列字符

或4

th

6

th

字符BZXyy系列

3

rd

行：设备名称 - 5

th

6

th

设备名称1Nxx一系列字符

或额定电压为BZXyy系列

4

th

行：设备名称 - 7

th

8

th

设备名称1Nxx一系列字符

只为BZXyy系列或大型模具的识别

th

5号线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码

F

一般要求：

1.0阴极乐队

2.0第一行：F - 仙童标志

3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3

rd

4

th

设备名称的字符。

对于BZxx系列： 4

th

6

th

设备名称的字符。

4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 5

th

6

th

设备名称的字符。

对于BZXyy系列：额定电压

5.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 7

th

8

th

设备名称的字符。

（第8字符是大型模具识别）

对于BZXyy系列：大型模具字符识别

6.0四线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码

式中： X表示历年的最后一位数字

Y代表六个星期的数字代码

7.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格）。

8.0最大无。标记线： 5

9.0最大无。的每行的数字： 3

10.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。

11.0标识字体：宋体（除FSC标志）

12.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

FACT静音系列

ActiveArray

快

深不见底

FASTr

CoolFET

FPS

CROSSVOLT

FRFET

DOME

GlobalOptoisolator

EcoSPARK GTO

E

2

CMOS

HiSeC

Ensigna

I

2

C

FACT

我罗

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

MICROCOUPLER 的PowerSaver

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任

所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不

在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I10

BZX85C3V3

THRU

BZX85C33

表面贴装

1.3W硅稳压二极管

3.3伏THRU 33伏

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体BZX85C3V3

系列硅稳压二极管。这些高

质量电压调节二极管被设计为

工业，商业，娱乐使用，

计算机应用。

标记：全部型号

符号

PD

TJ ， TSTG

单位

W

°C

DO- 41 CASE

最大额定值：

(TA=25°C)

功耗

工作和存储温度

1.3

-65到+200

电气特性：

（ TA = 25 ℃） VF = 1.2V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）

齐纳电压

TYPE

民

(V)

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

3.1

3.4

3.7

4.1

4.5

4.8

5.3

5.9

6.5

7.1

7.8

8.6

9.5

10.5

11.4

VZ @ IZT

喃

(V)

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

最大

(V)

3.5

3.8

4.1

4.5

4.9

5.4

5.9

6.5

7.1

7.9

8.6

9.6

10.5

11.6

12.6

IZT

（MA ）

80

60

50

45

35

25

20

ZZT @ IZT

(Ω)

20

15

13

10

7.0

4.0

3.5

3.0

5.0

7.0

8.0

9.0

ZZK @ IZK

(Ω)

（MA ）

400

500

600

500

400

300

200

300

350

1.0

0.5

TEST

当前

最大齐纳

阻抗

最大

反向

当前

IR @ VR

(μA)

(V)

60

30

5.0

3.0

1.0

0.5

1.0

1.5

2.0

3.0

4.0

4.5

5.0

6.5

7.0

7.7

8.4

最大

反向

浪涌

当前

IRSM

（MA ）

1,380

1,260

1,190

1,070

970

890

810

730

660

605

550

500

454

414

380

最大

齐纳

当前

IZM

（MA ）

276

252

234

217

193

178

162

146

133

121

110

100

91

83

76

公差代号

A

B

C

公差

±1%

±2%

±5%

产品型号标识

B Z X 85 C 4V7

标称值码（即4.7伏）

公差代号

设备系列

R0 （ 2009年12月）

中央

TM

半导体公司

BZX85C3V3

THRU

BZX85C33

表面贴装

1.3W硅稳压二极管

3.3伏THRU 33伏

电气特性 - 续：

（ TA = 25 ℃） VF = 1.2V MAX @ IF = 200毫安（所有类型）

齐纳电压

TYPE

民

(V)

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

12.4

14.3

15.2

17.1

19.0

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

VZ @ IZT

喃

(V)

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

最大

(V)

13.7

15.8

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

IZT

（MA ）

20

15

10

8.0

ZZT @ IZT

(Ω)

10

15

20

24

25

30

35

ZZK @ IZK

(Ω)

（MA ）

400

500

600

750

1,000

1,200

0.5

0.25

TEST

当前

最大齐纳

阻抗

最大

反向

当前

IR @ VR

(μA)

(V)

0.5

9.1

10.5

11.0

12.5

14.0

15.5

17.0

19.0

21.0

23.0

最大

反向

浪涌

当前

IRSM

（MA ）

344

304

285

250

225

205

190

170

150

135

最大

齐纳

当前

IZM

（MA ）

69

61

57

50

45

41

38

34

30

27

DO- 41案例 - 机械外形

R0 （ 2009年12月）

BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

用于与稳定和削波电路

高功率等级

齐纳电压是根据分级

国际E 24标准。更换后缀“C”

以“ B”为± 2 ％容差

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

主要特征

参数

V

Z

范围NOM 。

测试电流I

ZT

V

Z

规范

诠释。施工

价值

2.7至100

2.7 80

脉冲电流

单身

单位

V

mA

应用

电压稳定

订购信息

设备名称

BZX85-series

订购代码

BZX85-series-TR

BZX85-series-TAP

每卷胶带单位

5000 （上13"卷轴52毫米磁带）

5000元ammopack

（52毫米磁带）

最小起订量

25 000 /盒

包

包名称

DO-41

重量

310毫克

模塑料湿度敏感度

可燃性等级

水平

符合UL 94 V -0

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

功耗

齐纳电流

结到环境空气

结温

存储温度范围

测试条件

有效的提供，导致在4mm的距离

从壳体被保持在环境温度下

请参阅表“电气特性”。

有效的提供，导致在4mm的距离

从壳体被保持在环境温度下

R

thJA

T

j

T

英镑

110

175

- 55 + 175

K / W

°C

符号

P

合计

价值

1300

单位

mW

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

1

您所在区域内的技术问题：

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

本文如有更改，恕不另行通知。描述的产品说明书和本文档

受到特定的免责声明，阐明的AT

www.vishay.com/doc?91000

BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

温度

系数

齐纳二极管

电压

α

VZ

在我

ZT1

%/°C

马克斯。

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

分钟。

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

马克斯。

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。喃。马克斯。

BZX85C2V7

BZX85C3V0

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

96

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

80

87

96

106

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

1

0.5

0.25

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向

LAEKAGE

当前

I

R

在V

R

μA

V

马克斯。

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Ω

(3)

可受理

齐纳

当前

(2)

I

Z

mA

Z

ZK

在我

ZT2

笔记

(1)

测量脉冲T = 5毫秒

p

(2)

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

(3)

测得F = 1千赫

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

2

您所在区域内的技术问题：

DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

温度

系数

齐纳二极管

电压

α

VZ

在我

ZT1

%/°C

马克斯。

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

< 3000

分钟。

- 0.08

- 0.07

- 0.05

- 0.03

- 0.01

0

0.01

0.015

0.02

0.03

0.035

0.04

0.045

0.05

0.055

0.06

0.055

马克斯。

- 0.05

- 0.02

0.01

0.04

0.045

0.055

0.06

0.065

0.07

0.075

0.08

0.085

0.09

0.095

360

330

300

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

(1)

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。喃。马克斯。

BZX85B2V7

BZX85B3V0

BZX85B3V3

BZX85B3V6

BZX85B3V9

BZX85B4V3

BZX85B4V7

BZX85B5V1

BZX85B5V6

BZX85B6V2

BZX85B6V8

BZX85B7V5

BZX85B8V2

BZX85B9V1

BZX85B10

BZX85B11

BZX85B12

BZX85B13

BZX85B15

BZX85B16

BZX85B18

BZX85B20

BZX85B22

BZX85B24

BZX85B27

BZX85B30

BZX85B33

BZX85B36

BZX85B39

BZX85B43

BZX85B47

BZX85B51

BZX85B56

BZX85B62

BZX85B68

BZX85B75

BZX85B82

BZX85B91

BZX85B100

2.64

2.94

2.24

3.53

3.82

4.21

4.61

5

5.49

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.8

11.8

12.7

14.7

15.7

17.6

19.6

21.6

23.5

26.5

29.4

32.3

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73.5

80.4

89.2

98

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

2.76

3.06

3.36

3.67

3.98

4.39

4.79

5.2

5.71

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.2

12.2

13.3

15.3

16.3

18.4

20.4

22.4

24.5

27.5

30.6

33.7

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

83.6

92.8

102

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

1

0.5

0.25

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向

LAEKAGE

当前

I

R

在V

R

μA

V

马克斯。

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

＆ LT ; 350

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Ω

(3)

可受理

齐纳

当前

(2)

I

Z

mA

Z

ZK

在我

ZT2

笔记

(1)

测量脉冲T = 5毫秒

p

(2)

在从情况下的距离为10毫米的有效条件是引线保持在环境温度

(3)

测得F = 1千赫

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

3

您所在区域内的技术问题：

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX85-Series

www.vishay.com

基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

° C / W

10

3

5

4

3

2

威世半导体

° C / W

200

r

THA

10

2

5

4

3

2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

R

THA

100

马克斯。

典型值。

10

5

4

3

2

t

P

v

=

T

P

___

t

T

P

I

1

10

-5

0

10

-1

t

P

1

10 s

18458

10

-4

10

-3

10

-2

0

10

20

导线长度

30 mm

18461

图。 1 -

脉冲热电阻与脉冲宽度

图。 4 -

热敏电阻与导线长度

Ω

10

3

7

5

4

W

2

r

zj

3

2

P

合计

56

10

2

7

5

4

3

2

43

1

10

0.1

0

2

3 4 5

1

2

3 4 5

10毫安

18459

0

100

T

AMB

200 °C

18462

I

Z

图。 2 -

动态电阻与齐纳电流

图。 5 -

受理的功耗与环境温度

Ω

100

7

5

4

3

2

Ω

10

3

5

4

3

2

r

zj

r

zj

43

36

30

24

22

18

10

2

5

4

3

2

5V1

4V3

18

12

10

7

5

4

3

2

10

5

4

3

2

6V2

10

7V5

1

2

3 4 5

10

2

3 4 5

百毫安

18460

1

2

3 4 5 7

10

2

3 4 5

7

百毫安

I

Z

I

Z

18463

图。 3 -

动态电阻与齐纳电流

图。 6 -

动态电阻与齐纳电流

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

4

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BZX85-Series

www.vishay.com

威世半导体

mA

240

200

I

Z

160

120

80

40

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

V

Z

图。 7 -

击穿特性

3V9

4V7

5V6

6V8

8V2

10

12

T

j

= 25 °C

10 11 12 13 14 15

V

18456

mA

60

50

I

Z

40

33

15

18

22

27

T

j

= 25 °C

30

20

10

0

5

10

15

20

25

30

V

Z

图。 8 -

击穿特性

39

47

35

40

45 50

V

18457

包装尺寸

以毫米（英寸）：

DO-41

阴极鉴定

0.86（ 0.034 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

4.1 （ 0.161 ）最大。

26 （ 1.024 ）分钟。

94 9368

2.1版， 22 -NOV- 11

文档编号： 85607

5

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2.6 （ 0.102 ）最大。

德昌

李社版B Y形

安森美半导体condu CTO

,

的贸易米柜

s EMICON公爵于r

康宝NE TS

我ndustri ES ，

有限责任公司

为

基苯牛逼echnolo GY

和

P RO管s

.

1.3瓦DO- 41气密

密封的玻璃齐纳电压

稳压器

最大额定值

等级

最大稳态功耗

@TL≤50℃,

引线长度= 3/8 “

减免上述50 ℃

工作和存储

温度范围

T

J

, T

英镑

8.67

-65到+200

毫瓦/ °

°C

L

85Cxxx

符号

P

D

价值

1.3

单位

W

L

85C

xxx

规格特点：

=标志

=器件代码

齐纳电压范围= 3.3V至100V

ESD等级3级（ >6 KV ）每人体模型

DO- 41封装（ DO- 204AL ）

双弹头式建筑

冶金结合建设

氧化钝化模

符合RoHS

焊接热浸锡（Sn ），铅完成

阴极

阳极

规格特点：

例

完

:

双塞型，密闭玻璃

:

所有的外部表面耐腐蚀和信息很容易焊

极性：

阴极指示的极性带

安装：

任何

编号： DB- 069

2010年09月/女

第1页

BZX85C3V3通过BZX85C100系列

德昌

电气特性

(T

A

= 25 ℃ ，除非另有说明）。

齐纳电压

（注2 & 3 ）

设备

（注1 ）

设备

记号

民

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C75

BZX85C91

BZX85C100

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C75

BZX85C91

BZX85C100

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

34

37

40

44

52

58

70

85

96

V

Z

（伏）

喃

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

56

62

75

91

100

最大

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38

41

46

50

60

66

80

96

106

@I

ZT

（MA ）

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

李社版B Y形

安森美半导体condu CTO

,

的贸易米柜

s EMICON公爵于r

康宝NE TS

我ndustri ES ，

有限责任公司

为

基苯牛逼echnolo GY

和

P RO管s

.

齐纳阻抗

（注4 ）

Z

ZT

@I

ZT

(Ω)

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

45

50

90

120

125

150

250

350

Z

ZK

@I

ZK

(Ω)

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

3000

（MA ）

1

0.5

0.25

漏电流

I

R

@ V

R

（UA最大值）

60

30

5

3

1

0.5

（伏）

1

1.5

2

3

4

4.5

5

6.5

7

7.7

8.4

9.1

10.5

11.0

12.5

14.0

15.5

17.0

19.0

21.0

23.0

25

27

30

33

39

43

51

62

68

V

F

= 1.2V最大@I

F

= 200毫安为30V以下的类型，V

F

= 2.0V最大@I

F

= 200毫安为30 56V的类型，和V

F

= 3.0V最大@I

F

= 200毫安的

60V以上类型

1.耐性与TYPE号指定（V

Z

)

公差代号 - 上市型数字有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。

2.特价设施包括

所示的电压和更严格的电压之间的额定齐纳电压，对价格，可用性和交付，联系人的详细信息

您最近德昌代表。

3.齐纳电压（V

Z

）测量

齐纳电压（V

Z

）是脉冲条件下进行测试，例如那件T

J

不超过2 ℃以上牛逼

A

.

4.齐纳阻抗（Z

Z

）推导

齐纳阻抗从60周期的交流电压，具有RMS值等于10％的交流电流时，其导致来自

直流稳压电流（I

ZT

还是我

ZK

）被叠加在我

ZT

还是我

ZK 。

编号： DB- 069

2010年09月/女

第2页

德昌

包装外形

案例外形

李社版B Y形

安森美半导体condu CTO

,

的贸易米柜

s EMICON公爵于r

康宝NE TS

我ndustri ES ，

有限责任公司

为

基苯牛逼echnolo GY

和

P RO管s

.

D0-41

暗淡

民

MILLIMETERS

最大

民

英寸

最大

A

B

C

D

0.68

0.81

0.027

0.032

3.70

4.25

0.146

0.167

25.40

---

1.000

---

2.10

2.60

0.083

0.102

编号： DB- 069

2010年09月/女

第3页

德昌

DISC LA MER我ê诺蒂奇

通告

本文档中提供的信息仅供参考。德昌保留做出正确的

更改，恕不另行通知此处显示的产品规格。

这里所列出的产品被设计成与普通的电子设备或装置，并且不使用

设计成与设备或需要高度可靠的设备和与故障用

将直接危及人的生命（如医疗器械，交通运输设备，航空航天

机械，核反应控制器，燃料控制器等安全装置），德昌半导体

有限责任公司，或任何代表其承担此类产生的任何damagers不承担任何责任

使用不当销售。

本出版物取代&替换reviously提供的所有信息。有关更多信息，请访问：

我们的网站

http://www.takcheong.com ，

或咨询离您最近的德昌的销售办事处为进一步协助。

编号： DB- 100

2008年4月14日/ A

小信号二极管

BZX85C3V3-BZX85C56

1.3W ， 5 ％的容差稳压二极管

DO- 41轴向引线

密封的玻璃

D

特点

广齐纳电压范围选择： 3.3V至56V

V

Z

±5 ％的容差选择

专为通孔设备类型安装。

密封的玻璃。

无铅版本，并符合RoHS标准

高可靠性玻璃钝化投保参数

稳定性和防结污染。

C

A

B

机械数据

案例： DO- 41焊热浸锡（Sn ），铅完成

铅：轴向引线，每焊

MIIL - STD- 202方法2025

极性：由阴极频带指示

重量： 310毫克

尺寸

A

B

C

D

单位（mm ）

民

0.68

3.70

25.40

2.10

最大

0.81

4.25

-

单位（英寸）

民

最大

0.027 0.032

0.146

0.167

1.000

-

0.102

2.60

0.083

订购信息

产品型号

BZX85C3V3-56

封装代码

A0

R0

包

DO-41

填料

3Kpcs /弹药

5Kpcs / 14"卷轴

最大额定值和电气特性

评分在25 ° C环境温度，除非另有规定。

类型编号

最大额定值

符号

P

D

I

F

=10mA

（注1 ）

V

F

RΘJA

T

J

, T

英镑

价值

1.3

1.2

130

-55 + 175

单位

W

V

° C / W

°C

功耗

正向电压

热阻（结到环境）

结温和存储温度范围

注： 1 。有效的条件是电极被保持在环境温度

齐纳我与V特性

当前

I

F

V

ZM

V

Z

V

BR

V

R

I

R

I

ZK

I

ZT

I

ZM

BreakdownRegion

泄露区域

前进区

V

F

电压

V

BR

I

ZK

Z

ZK

I

ZT

V

Z

ZT

I

ZM

V

ZM

：电压在我

ZK

：测试电流电压V

BR

：在我的动态阻抗

ZK

：测试电流电压V

Z

：在电压电流I

ZT

：在我的动态阻抗

ZT

：最大稳态电流

：电压在我

ZM

版本： D11

BZX85C3V3-BZX85C56

1.3W ， 5 ％的容差稳压二极管

小信号二极管

电气特性

TA = 25° C除非另有说明

V

F

正向电压= 1.2V最大@ I

F

= 200毫安的所有零件号

产品型号

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

记号

CODE

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

民

3.1

3.4

3.7

4.1

4.5

4.8

5.3

5.9

6.5

7.1

7.8

8.6

9.5

10.5

11.4

12.4

14.3

15.2

17.1

19.0

20.9

22.8

25.7

28.5

31.4

34.2

37.1

40.9

44.7

48.5

53.2

V

Z

@ I

ZT

（伏）

喃

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

最大

3.5

3.8

4.1

4.5

4.9

5.4

5.9

6.5

7.1

7.9

8.6

9.6

10.5

11.6

12.6

13.7

15.8

16.8

18.9

21.0

23.1

25.2

28.4

31.5

34.7

37.8

41.0

45.2

49.4

53.6

58.8

I

ZT

（MA ）

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

Z

ZT

@

I

ZT

（ Ω ）最大

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

45

50

90

115

120

I

ZK

（MA ）

1

0.5

0.25

I

R

@ V

R

(μA)

Z

ZK

@

I

ZK

（ Ω ）最大

最大

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

40

20

3

1

0.5

V

R

(V)

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.9

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

25

27

30

33

36

39

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

）为10ms的脉冲条件下进行测试。

2.列出的设备数量对的额定齐纳电压容差标准

±5%.

3.关于价格，可用性和交付额定齐纳电压的详细信息之间显示的电压和

更严格的电压容差，请联系距您最近的

台湾积体电路

代表性。

4.齐纳阻抗从60周期的交流电压时，具有有效值的交流电流时，其导致来自

等于DC齐纳电流的10％（我

ZT

or

I

ZK

）被叠加到

I

ZT

or

I

ZK

.

版本： D11

小信号二极管

额定值和特性曲线

BZX85C3V3-BZX85C56

1.3W ， 5 ％的容差稳压二极管

1.0

1000

PD功耗Passip ATIO N [ W]

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

总电容[ pF的]

VR = 0V

F = 1MHz的

TA = 25

℃

100

VR = 2V

VR = 5V

VR = 20V

10

VR = 30V

1

0

5

10 15 20 25

30 35 40 45

50 55 60

温度[ ℃ ]

图1.功耗与环境温度

从个案的距离为0.8mm有效提供线索保持在

环境温度

VZ - 反向电压[V]

图2.总电容

差是齐纳阻抗[ Ω ]

1000

Iz=1mA

1000

Iz=2mA

Iz=5mA

Iz=10mA

TA = 25

℃

正向电流[mA ]

TA = 25

℃

100

10

1

0.1

0

10

20

30

40

VZ - 反向电压[V]

50

60

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

音频 - FORW ARD电压[ V]的

1

1.2

图3.差分阻抗与齐纳电压

图4.正向电流与正向电压

1000

100

反向电流[mA ]

100

10

TA = 25

℃

1

10

TA = 25

℃

1

0.1

0

3

6

9

VZ - 反向电压[V]

12

15

0.01

10

20

30

40

50

VZ - 反向电压[V]

60

70

图5.反向电流和反向电压

图6.反向电流和反向电压

版本： D11

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

齐纳二极管

BZX85C3V3 - BZX85C100

绝对最大额定值*

符号

P

D

参数

功耗

@ TL

≤

50 ° C，引线长度= 3/8 “

减免上述50℃

T

J

, T

英镑

工作和存储温度范围

T

A

= 25 ° C除非另有说明

容差±5 ％

单位

W

毫瓦/°C的

°C

价值

1.0

6.67

-65到+200

*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO- 41玻璃柜

颜色频带为负极

电气特性

设备

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

V

Z

（伏）

分钟。

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

马克斯。

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

T

A

= 25 ° C除非另有说明

齐纳电压

（注1 ）

I

Z

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

齐纳阻抗

Z

@ I

Z

()

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

45

50

90

115

Z

ZK

@ I

ZK

()

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

（MA ）

漏电流

I

R

@ V

R

A

马克斯。

伏

1

0.5

0.25

60

30

5

3

1

0.5

1

1.5

2

3

4

4.5

5

6.5

7

7.7

8.4

9.1

10.5

11

12.5

14

15.5

17

19

21

23

25

27

30

33

36

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

2004仙童半导体公司

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

电气特性

（续）T = 25° C除非另有说明

A

齐纳电压

（注1 ）

设备

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

V

Z

（伏）

分钟。

52

58

64

70

77

85

96

马克斯。

60

66

72

80

87

96

106

I

Z

mA

4

2.7

齐纳阻抗

Z

@ I

Z

()

120

125

130

150

200

250

350

Z

ZK

@ I

ZK

()

2000

3000

（MA ）

漏电流

I

R

@ V

R

A

马克斯。

伏

0.25

0.5

39

43

47

51

56

62

68

V

F

正向电压= 1.2V最大@ I

F

= 200毫安

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

)

齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T

L

）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

顶标信息

设备

BZX85C3V3

BZX85C3V6

BZX85C3V9

BZX85C4V3

BZX85C4V7

BZX85C5V1

BZX85C5V6

BZX85C6V2

BZX85C6V8

BZX85C7V5

BZX85C8V2

BZX85C9V1

BZX85C10

BZX85C11

BZX85C12

BZX85C13

BZX85C15

BZX85C16

BZX85C18

BZX85C20

BZX85C22

BZX85C24

BZX85C27

BZX85C30

BZX85C33

BZX85C36

BZX85C39

BZX85C43

BZX85C47

BZX85C51

BZX85C56

BZX85C62

BZX85C68

BZX85C75

BZX85C82

BZX85C91

BZX85C100

1号线

标志

2号线

85C

LINE 3

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

4号线

5号线

XY

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

齐纳二极管BZX85C3V3 - BZX85C100

顶标信息

（续）

47

36

A

XY

F

1

st

行：F - 仙童标志

2

nd

行：设备名称 - 3

rd

4

th

设备名称1Nxx一系列字符

或4

th

6

th

字符BZXyy系列

3

rd

行：设备名称 - 5

th

6

th

设备名称1Nxx一系列字符

或额定电压为BZXyy系列

4

th

行：设备名称 - 7

th

8

th

设备名称1Nxx一系列字符

只为BZXyy系列或大型模具的识别

th

5号线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码

F

一般要求：

1.0阴极乐队

2.0第一行：F - 仙童标志

3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3

rd

4

th

设备名称的字符。

对于BZxx系列： 4

th

6

th

设备名称的字符。

4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 5

th

6

th

设备名称的字符。

对于BZXyy系列：额定电压

5.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 7

th

8

th

设备名称的字符。

（第8字符是大型模具识别）

对于BZXyy系列：大型模具字符识别

6.0四线：日期代码 - 两个数字 - 六个星期日期代码

式中： X表示历年的最后一位数字

Y代表六个星期的数字代码

7.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格）。

8.0最大无。标记线： 5

9.0最大无。的每行的数字： 3

10.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。

11.0标识字体：宋体（除FSC标志）

12.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐

2004仙童半导体公司

BZX85C3V3 - BZX85C100 ， E1牧师

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

FACT静音系列

ActiveArray

快

深不见底

FASTr

CoolFET

FPS

CROSSVOLT

FRFET

DOME

GlobalOptoisolator

EcoSPARK GTO

E

2

CMOS

HiSeC

Ensigna

I

2

C

FACT

我罗

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

MICROCOUPLER 的PowerSaver

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任

所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不

在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I10

BZX85C系列

V

Z

： 2.4 - 200伏

P

D

： 1.3瓦

产品特点：

*完整的电压范围2.7到200伏

*高反向峰值功耗

*高可靠性

*低漏电流

硅稳压二极管

DO - 41

0.107 (2.7)

0.080 (2.0)

1.00 (25.4)

分钟。

0.205 (5.2)

0.166 (4.2)

机械数据

*案例： DO- 41模压塑料

*环氧： UL94V -O率阻燃

*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，

方法208保证

*极性：颜色频带端为负极

*安装位置：任意

*重量： 0.339克

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

最大额定值

等级25

°

除非另有说明C的环境温度

等级

在T DC功耗

L

= 50

°

C（注1）

最大正向电压在我

F

= 200毫安

最大热阻结到环境空气（注2 ）

结温范围

存储温度范围

符号

P

D

V

F

R

θ

JA

T

J

Ts

价值

1.3

1.0

130

- 55 + 175

单位

瓦

伏

K / W

°

C

°

C

注意：

(1) T

L

=铅温度从身体3/8 "设计（9.5mm ）

（2）有效的规定，引线被保持在环境温度下，以10mm的情况下的距离。

图。 1功耗温度降额曲线

1.5

P

D

，最大耗散

（瓦特）

L = 8"分之3设计（9.5mm ）

1.2

0.9

0.6

0.3

0

25

T

L,

50

75

100

125

焊接温度（

°

C)

150

175

更新： 2000年9月9日

电气特性

评级为= 25

°

除非另有说明C的环境温度

TYPE

额定齐纳

电压

V

Z

@ I

ZT

I

ZT

(V)

（MA ）

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

80

70

60

50

45

35

25

20

15

10

8.0

6.0

4.0

2.7

2.0

1.5

Z

ZT

@ I

ZT

()

20

15

13

10

7.0

4.0

3.5

3.0

5.0

7.0

8.0

9.0

10

15

20

24

25

30

35

40

50

90

115

120

125

130

135

200

250

350

450

550

700

1000

1100

1200

1500

最大齐纳

阻抗

Z

ZK

@ I

ZK

()

400

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

3000

4000

4500

5000

6000

6500

7000

8000

I

ZK

（MA ）

1.0

0.5

0.25

最大反向

漏电流

I

R

@ V

R

(V)

(

A)

150

100

40

20

10

3.0

1.0

50

0.5

1.0

1.5

2.0

3.0

4.0

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

最大直流

齐纳电流

I

ZM

（MA ）

410

370

340

320

290

280

250

215

200

190

170

155

140

130

120

105

97

88

79

71

66

62

56

52

47

41

36

33

30

28

26

23

21

19

16

15

14

12

10

9.4

8.6

7.8

7.0

6.4

5.8

5.2

4.7

BZX85 C2V4

BZX85 C2V7

BZX85 C3V0

BZX85 C3V3

BZX85 C3V6

BZX85 C3V9

BZX85 C4V3

BZX85 C4V7

BZX85 C5V1

BZX85 C5V6

BZX85 C6V2

BZX85 C6V8

BZX85 C7V5

BZX85 C8V2

BZX85 C9V1

BZX85 C10

BZX85 C11

BZX85 C12

BZX85 C13

BZX85 C15

BZX85 C16

BZX85 C18

BZX85 C20

BZX85 C22

BZX85 C24

BZX85 C27

BZX85 C30

BZX85 C33

BZX85 C36

BZX85 C39

BZX85 C43

BZX85 C47

BZX85 C51

BZX85 C56

BZX85 C62

BZX85 C68

BZX85 C75

BZX85 C82

BZX85 C91

BZX85 C100

BZX85 C110

BZX85 C120

BZX85 C130

BZX85 C150

BZX85 C160

BZX85 C180

BZX85 C200

注意：

（1）中列出的类型数对的标称齐纳电压的标准公差

±

5.0%.

（2） " "肿消将在标记上的二极管可以省略

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BZX85 ...

硅平面功率齐纳二极管

特点

硅平面功率齐纳二极管

为稳定并削减与高额定功率的电路中使用。

齐纳电压是按国际分级

E 24标准。其它电压容限和更高的齐纳

电压要求。

DIM ENSIONS

暗淡

A

B

C

D

英寸

分钟。

-

1.102

马克斯。

0.169

0.110

0.031

-

分钟。

-

28.0

mm

马克斯。

4.3

2.8

0.8

-

记

绝对最大额定值

(T

a

=25

)

符号

值

单位

齐纳电流见表"Characteristics"

在T功耗

AMB

=25

结温

存储温度范围

P

合计

T

j

T

S

1.3

1)

W

200

-55到+200

注意：

（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

特征

热阻

结到环境空气

a

t T

AMB

=25

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

R

THA

V

F

-

130

1.0

1)

K / W

V

在我正向电压

F

=200mA

注意：

（1）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

1

齐纳电压范围

TYPE

V

ZNOM

V

BZX85 / C 2V7

BZX85 / C 3V0

BZX85 / C 3V3

BZX85 / C 3V6

BZX85 / C 3V9

BZX85 / C 4V3

BZX85 / C 4V7

BZX85 / C 5V1

BZX85 / C 5V6

BZX85 / C 6V2

BZX85 / C 6V8

BZX85 / C 7V5

BZX85 / C 8V2

BZX85 / C 9V1

BZX85 / C 10

BZX85 / C 11

BZX85 / C 12

BZX85 / C 13

BZX85 / C 15

BZX85 / C 16

BZX85 / C 18

BZX85 / C 20

BZX85 / C 22

BZX85 / C 24

BZX85 / C 27

BZX85 / C 30

BZX85 / C 33

BZX85 / C 36

BZX85 / C 39

BZX85 / C 43

BZX85 / C 47

BZX85 / C 51

BZX85 / C 56

BZX85 / C 62

BZX85 / C 68

BZX85 / C 75

BZX85 / C 82

BZX85 / C 91

BZX85 / C 100

BZX85 / C 110

BZX85 / C 120

BZX85 / C 130

BZX85 / C 150

BZX85 / C 160

BZX85 / C 180

BZX85 / C 200

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

mA

80

70

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

2.7

2

1.5

1)

DYNAM IC阻力

2)

反向漏

当前

I

R

mA

uA

<150

<100

<40

<20

<10

<3

<1

<0.5

2)

温度。 COEF网络cient

齐纳电压

TK

VZ

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

% /K

-0.08 ... -0.05

-0.07 ... -0.02

-0.07 ... +0.01

-0.03 ... +0.04

-0.01 ... +0.04

0 ... +0.045

+0.01 ... +0.055

+0.015 ... +0.06

+0.02 ... +0.065

0.03 ... 0.07

0.035 ... 0.075

0.04 ... 0.08

0.045 ... 0.08

0.045 ... 0.085

0.05 ... 0.085

0.055 ... 0.09

0.06 ... 0.09

0.06 ... 0.095

0.07 ... 0.10

0.07 ... 0.11

I

ZT

对于V

ZT

r

ZJT

和R

张家口

在我

ZK

在V

R

V

2.5 ... 2.9

2.8 ... 3.2

3.1 ... 3.5

3.4 ... 3.8

3.7 ... 4.1

4.0 ... 4.6

4.4 ... 5.0

4.8 ... 5.4

5.2 ... 6.0

5.8 ... 6.6

6.4 ... 7.2

7.0 ... 7.9

7.7 ... 8.7

8.5 ... 9.6

9.4 ... 10.6

10.4 ... 11.6

11.4 ... 12.7

12.4 ... 14.1

13.8 ... 15.6

15.3 ... 17.1

16.8 ... 19.1

18.8 ... 21.2

20.8 ... 23.3

22.8 ... 25.6

25.1 ... 28.9

28 ... 32

31 ... 35

34 ... 38

37 ... 41

40 ... 46

44 ... 50

48 ... 54

52 ... 60

58 ... 66

64 ... 72

70 ... 79

77 ... 87

85 ... 96

94 ... 106

104 ... 116

114 ... 127

124 ... 141

138 ... 156

153 ... 171

168 ... 191

188 ... 212

<20

<15

<13

<10

<7

<4

<3.5

<3

<5

<7

<8

<9

<10

<15

<20

<24

<25

<30

<35

<40

<50

<90

<115

<120

<125

<130

<135

<200

<250

<350

<450

<550

<700

<1000

<1100

<1200

<1500

<400

<500

<600

<500

<400

<300

<200

<300

<350

<400

<500

<600

<750

<1000

<1500

<2000

<3000

<4000

<4500

<5000

<6000

<6500

<7000

<8000

1

0.5

0.25

注意事项：

（ 1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒。

（2）有效的规定，引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

2

收视率和特性曲线

3

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BZX85C...

威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

在反向特性锋利的边缘

低反向电流

低噪音

非常高的稳定性

可以用更严格的公差

应用

94 9369

电压稳定

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

结温

存储温度范围

测试条件

L = 4毫米，T

L

=25

°

C

TYPE

符号

P

V

T

j

T

英镑

价值

1.3

175

–65...+175

单位

W

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

L = 4毫米，T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

110

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1

单位

V

文档编号85608

第3版， 01 -APR- 99

www.vishay.de

FaxBack + 1-408-970-5600

1 (5)

BZX85C...

威世德律风根

TYPE

BZX85C...

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

1)

V

ZNOM

V

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

80

60

50

45

35

25

20

15

10

8

6

4

对于V

ZT

和

V

1)

2.5 2.9

2.8到3.2

3.1 3.5

3.4到3.8

3.7 4.1

4.0 4.6

4.4 5.0

4.8 5.4

5.2 6.0

5.8 6.6

6.4到7.2

7.0 7.9

7.7到8.7

8.5到9.6

9.4至10.6

10.4 11.6

11.4至12.7

12.4至14.1

13.8至15.6

15.3至17.1

16.8至19.1

18.8至21.2

20.8至23.3

22.8 25.6

25.1 28.9

2832

31 35

34至38

37至41

40至46

44至50

48至54

52至60

58至66

64至72

70至79

W

r

ZJT

r

张家口

at

W

＆ LT ; 20

＆ LT ; 15

＆ LT ; 13

＆ LT ; 10

<7

<4

＆ LT ; 3.5

<3

<5

<7

<8

<9

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

＆ LT ; 24

＆ LT ; 25

＆ LT ;三十

＆ LT ; 35

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 90

＆ LT ; 115

＆ LT ; 120

＆ LT ; 125

＆ LT ; 130

＆ LT ; 135

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 400

＆ LT ; 300

＆ LT ; 200

＆ LT ; 300

＆ LT ; 350

＆ LT ; 400

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 750

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

＆ LT ; 2000

I

ZK

mA

1

0.5

0.25

I

R

at

m

A

＆ LT ; 150

＆ LT ; 100

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<3

<1

＆ LT ; 0.5

V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

TK

VZ

%/K

-0.08 -0.05至

-0.07 -0.02至

-0.07 - -0.01

-0.03至+0.04

-0.01至+0.04

0到0.045

0.01到0.055

0.015至0.06

+0.02至0.065

为0.03 0.07

0.035 0.075

0.04 0.08

0.045 0.08

0.045 0.085

0.05 0.085

0.055 0.09

0.06 0.09

0.06 0.095

根据要求提供严格的公差：

BZX85B...

±

Ⅴ的2％

ZNOM

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2 (5)

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BZX85C...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

2.0

P

合计

- 总功耗（ W）

C

D

- 二极管电容（pF ）

1000

1.6

100

V

R

= 0V

V

R

= 2V

V

R

= 5V

V

R

= 20V

V

R

= 30V

1.2

l=4mm

0.8

l=20mm

0.4

0

–50

l=10mm

10

1

0

50

100

150

200

95 9616

F = 1 MHz的

T

AMB

= 25°C

0

10

20

30

40

50

60

95 9612

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

V

Z

- z - 电压（V）

图1.总功率耗散与环境温度

TURE

R

thJA

- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

250

图3.二极管电容与Z-电压

1000

I

Z

=1mA

100

2mA

5mA

10mA

20mA

10

200

150

l

100

50

0

5

10

15

T

L

=常数

20

25

30

l

1

95 9615

10

V

Z

- z - 电压（V）

100

95 9613

L - 引线长度（mm ）

图4.差分Z-电阻与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

图2.热电阻与导线长度

1000

t

p

/T=0.01

t

p

/T=0.1

100

t

p

/T=0.5

t

p

/T=0.2

10

单脉冲

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

1

10

–1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

t

p

/T=0.05

t

p

/T=0.02

D

T=T

JMAX

–T

AMB

R

thJA

=110K/W

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

3

95 9614

图5.热响应

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威世德律风根

尺寸（mm）

阴极鉴定

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9368

0.85最大。

2.5最大。

标准玻璃柜

54 B 2 DIN 41880

JEDEC DO 41

重最大。 0.3克

26分钟。

4.1最大。

26分钟。

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4 (5)

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威世德律风根

消耗臭氧层物质的政策声明

它的策略

威世半导体有限公司

to

1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。

2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩

相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统，以及它们的

对环境的影响。

这是特别令人关注，以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛

消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质）。

蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质和

在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令

于这些物质。

威世半导体有限公司

已经能够使用的持续改进其政策，以杜绝使用

消耗臭氧层物质列在下面的文件。

1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表

2 。 I类和II于1990年，由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质

保护局（EPA）在美国

3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质）。

威世半导体有限公司

可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造

物质和不含有这种物质。

我们保留作出修改，以改善技术设计，并可以这样做，恕不另行通知的权利。

参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证

由客户。如买方使用的Vishay ，德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时，

买方应赔偿日前，Vishay ，德律风根的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或

间接的，人身损害，伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。

日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn

电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 7131 67 2423

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BZX85C

硅平面功率齐纳二极管

为稳定并具有高削波电路用

额定功率。

齐纳电压是根据分级

国际E 24标准。其他公差和

高齐纳电压要求。

黑

阴极带

黑

产品型号

黑

"ST"品牌

最大。 0.7

马克斯。 2.8

分钟。 25.4

XXX

ST

马克斯。 4.2

分钟。 25.4

玻璃外壳DO- 41

尺寸（mm）

绝对最大额定值（T

a

= 25

O

C)

参数

功耗

结温

存储温度范围

1)

符号

P

合计

T

j

T

S

价值

1.3

1)

单位

W

O

200

- 55至+ 200

C

O

有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

特点在T

a

= 25

O

C

参数

热阻结到环境空气

正向电压

在我

F

= 200毫安

1)

符号

R

THA

V

F

马克斯。

130

1)

1.2

单位

K / W

V

有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007

BZX85C

齐纳电压范围

1)

TYPE

V

ZNOM

V

l

ZT

mA

为

V

ZT

V

2.5...2.9

2.8...3.2

3.1...3.5

3.4...3.8

3.7...4.1

4...4.6

4.4...5

4.8...5.4

5.2...6

5.8...6.6

6.4...7.2

7...7.9

7.7...8.7

8.5...9.6

9.4...10.6

10.4...11.6

11.4...12.7

12.4...14.1

13.8...15.6

15.3...17.1

16.8...19.1

18.8...21.2

20.8...23.3

22.8...25.6

25.1...28.9

28...32

31...35

34...38

37...41

40...46

44...50

48...54

52...60

58...66

64...72

70...79

77...87

85...96

94...106

104...116

114...127

124...141

138...156

153...171

168...191

188...212

最大动态性

r

ZJT

20

15

13

10

7

4

3.5

3

5

7

8

9

10

15

20

24

25

30

35

40

50

90

115

120

125

130

135

200

250

350

450

550

700

1000

1100

1200

1500

r

张家口

400

500

600

500

400

300

200

300

350

400

500

600

750

1000

1500

2000

3000

4000

4500

5000

6000

6500

7000

8000

在我

ZK

mA

1

0.5

0.25

最大反向

漏电流

I

R

A

150

100

40

20

10

3

1

0.5

在V

R

V

1

1.5

2

3

4

4.5

6.2

6.8

7

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

BZX85C2V7

2.7

80

BZX85C3V0

3.0

80

BZX85C3V3

3.3

70

BZX85C3V6

3.6

60

BZX85C3V9

3.9

60

BZX85C4V3

4.3

50

BZX85C4V7

4.7

45

BZX85C5V1

5.1

45

BZX85C5V6

5.6

45

BZX85C6V2

6.2

35

BZX85C6V8

6.8

35

BZX85C7V5

7.5

35

BZX85C8V2

8.2

25

BZX85C9V1

9.1

25

BZX85C10

10

25

BZX85C11

11

20

BZX85C12

12

20

BZX85C13

13

20

BZX85C15

15

BZX85C16

16

15

BZX85C18

18

15

BZX85C20

20

10

BZX85C22

22

10

BZX85C24

24

10

BZX85C27

27

8

BZX85C30

30

8

BZX85C33

33

8

BZX85C36

36

8

BZX85C39

39

6

BZX85C43

43

6

BZX85C47

47

4

BZX85C51

51

4

BZX85C56

56

4

BZX85C62

62

4

BZX85C68

68

4

BZX85C75

75

4

BZX85C82

82

2.7

BZX85C91

91

2.7

BZX85C100

100

2.7

BZX85C110

110

2.7

BZX85C120

120

2

BZX85C130

130

2

BZX85C150

150

2

BZX85C160

160

1.5

BZX85C180

180

1.5

BZX85C200

200

1.5

1)

测试了脉冲吨

p

= 20毫秒。

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007

BZX85C

击穿特性

在TJ =常数（脉冲）

mA

240

C3V9

200

C5V6

Iz

160

C6V8

C8V2

120

C10

C12

80

C4V7

BZX 85 ...

Tj=25

o

C

C15

40

C18

C22

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

Vz

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24V

击穿特性

在TJ =常数（脉冲）

mA

50

Iz

40

C33

C39

30

C47

C68

C27

Tj=25

o

C

BZX 85 ...

20

C 75

C 91

10

0

20

25

30

35

40

45

50

55

60

Vz

65

70

75

80

85

90

95V

受理的功耗

随环境温度

有效的条件是引线保持在环境

温度从个案的距离为10毫米

w

P

合计

T

AMB

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 12/06/2007