大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克# QSC / L- 000019.3
SILIICON平面齐纳二极管
BZX83C
2V7至56V
500mW
DO- 35
轴向玻璃封装
最适用于工业,军事和航天应用。在玻璃钝化二极管芯片
气密密封的玻璃封装的双螺柱提供优异的稳定性和可靠性。
绝对最大额定值(T
a
=25°C)
描述
功耗
结温
储存温度
热阻 - 结到环境中的自由空气
符号
P
TA
T
j
T
英镑
R
号(j -a)的
价值
500
175
- 55 +175
300
单位
mW
°C
°C
° C / W
电气特性(T
a
= 25C除非另有规定)
正向电压@ I
F
=200mA
设备
V
ZT
@ I
ZT
*
民
(V)
2.50
2.80
3.10
3.40
3.70
4.00
4.40
4.80
5.20
5.80
6.40
7.00
7.70
8.50
9.40
10.40
11.40
12.40
13.80
15.30
16.80
18.80
20.80
22.80
25.10
最大
(V)
2.90
3.20
3.50
3.80
4.10
4.60
5.00
5.40
6.00
6.60
7.20
7.90
8.70
9.60
10.60
11.60
12.70
14.10
15.60
17.10
19.10
21.20
23.30
25.60
28.90
r
ZT
@ I
ZT
*
最大
()
90
90
90
90
90
80
80
60
40
10
8
7
7
10
15
20
20
25
30
40
55
55
58
80
80
V
F
< 1.2 V
I
ZT
r
ZK
@ I
ZK
最大
()
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
250
I
ZK
温度。 COEFF
of
齐纳电压
典型值
(%/°C)
-0.07
-0.07
-0.06
-0.06
-0.05
-0.03
-0.01
+0.01
+0.03
+0.04
+0.05
+0.05
+0.06
+0.06
+0.07
+0.07
+0.07
+0.07
+0.08
+0.08
+0.08
+0.08
+0.08
+0.08
+0.09
I
R
@
T
a
25°C
最大
(A)
100
60
30
20
10
5
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
I
ZM
BZX83C 2V7
BZX83C 3V0
BZX83C 3V3
BZX83C 3V6
BZX83C 3V9
BZX83C 4V3
BZX83C 4V7
BZX83C 5V1
BZX83C 5V6
BZX83C 6V2
BZX83C 6V8
BZX83C 7V5
BZX83C 8V2
BZX83C 9V1
BZX83C 10
BZX83C 11
BZX83C 12
BZX83C 13
BZX83C 15
BZX83C 16
BZX83C 18
BZX83C 20
BZX83C 22
BZX83C 24
BZX83C 27
(MA )
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
(MA )
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
3.5
4.0
5.0
6.0
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
最大
(MA )
135
125
115
105
95
90
85
75
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
*脉冲条件: 20毫秒< TP <50ms 。占空比<2 %
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数据表
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SILIICON平面齐纳二极管
BZX83C
2V7至56V
500mW
DO- 35
轴向玻璃封装
I
R
@
T
a
25°C
最大
(A)
1
1
1
1
1
1
1
1
V
R
I
ZM
电气特性(T
a
= 25C除非另有规定)
设备
V
ZT
@ I
ZT
*
民
(V)
28.00
31.00
34.00
37.00
40.00
44.00
48.00
52.00
最大
(V)
32.00
35.00
38.00
41.00
46.00
50.00
54.00
60.00
r
ZT
@ I
ZT
*
最大
()
90
90
90
100
100
120
135
145
I
ZT
r
ZK
@ I
ZK
最大
()
250
250
250
600
700
1000
1000
1000
I
ZK
温度。 COEFF
of
齐纳电压
典型值
(%/°C)
+0.09
+0.09
+0.09
+0.09
+0.09
+0.09
+0.09
+0.09
BZX83C 30
BZX83C 33
BZX83C 36
BZX83C 39
BZX83C 43
BZX83C 47
BZX83C 51
BZX83C 56
(MA )
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
(MA )
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
(V)
22
24
27
30
33
36
39
43
最大
(MA )
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
*脉冲条件: 20毫秒< TP <50ms 。占空比<2 %
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数据表
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笔记
BZX83C
2V7至56V
500mW
DO- 35
轴向玻璃封装
放弃
该产品的信息和选择指南方便选择CDIL的分立半导体器件(S )最适合的
在你的产品( S)按您的要求的应用程序。我们建议你彻底检讨我们的数据表(S ),所以
为确认该设备(S )满足功能参数为您的应用。在提供数据表中的信息
和CDIL网站/ CD上被认为是准确和可靠。 CDIL然而,不承担责任
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CDIL求持续改进,并保留更改产品规格,恕不另行通知。
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大陆设备印度有限公司
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电话+ 91-11-579 6150传真+ 91-11-579 9569 579 5290
电子邮件sales@cdil.com
www.cdil.com
BZX83C2V7_56VRev300302E
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