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BUK7619-100B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本01 - 2007年10月10日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型功率场效应晶体管（ FET）在一个塑料包装
采用恩智浦高性能汽车（ HPA）的TrenchMOS技术。
1.2产品特点
I
的TrenchMOS技术
I
175
°C
评级
I
Q101标准
I
标准电平兼容
1.3应用
I
汽车系统
I
电机，灯具和螺线管
I
通用开关电源
I
12 V ， 24 V和42 V负载。
1.4快速参考数据
I
E
DS （ AL ）S
≤
222兆焦耳
I
I
D
≤
64 A
I
R
DSON
= 17毫欧（典型值）
I
P
合计
≤
200 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;连接到漏极（D）的
mbb076
简化的轮廓
mb
符号
D
G
S
2
1
3
SOT404 （ D2PAK ）
恩智浦半导体
BUK7619-100B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BUK7619-100B
D2PAK
描述
塑料单端表面安装封装（ D2PAK ） ; 3引线（ 1
铅裁剪）
VERSION
SOT404
类型编号
4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
R
GS
= 20 k
条件
最小最大
-
-
-
-
-
-
-
100
100
±20
64
45
256
200
单位
V
V
V
A
A
A
W
55
+175
°C
55
+175
°C
-
-
-
64
256
222
A
A
mJ
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
非重复性漏源雪崩松开感性负载;我
D
= 64 A;
能源
V
DS
≤
100 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始
在T
j
= 25
°C
重复的漏源雪崩
能源
[1]
E
DS （ AL ）R
-
-
mJ
[1]
条件：
a）最大的价值没有报价。重复评价德网络中定义
图16 。
b）单脉冲雪崩额定值限制T
J（下最大）
175
°C.
三）重复雪崩额定值受170的平均结温
°C.
四）请参阅应用笔记
AN10273
了解更多信息。
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恩智浦半导体
BUK7619-100B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
120
P
DER
(%)
80
03na19
80
I
D
(A)
60
003aab142
40
40
20
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
P
DER
P
合计
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
V
GS
≥
10 V
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
3
I
D
(A)
10
2
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
003aab143
t
p
= 10
s
100
s
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
热阻结
安装基座
从结热阻安装在印刷电路板上;
到环境
最小的足迹
条件
民
-
-
典型值
-
50
最大
0.74
-
单位
K / W
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
10
-2
0.02
P
003aab144
δ
=
t
p
T
单发
t
p
T
t
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
6.特性
表5 。
特征
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
V
（ BR ） DSS
参数
条件
民
典型值
最大
单位
静态特性
漏源击穿电压I
D
= 250
A;
V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
门源阈值电压
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;看
图9
and10
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极漏电流
V
DS
= 100 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极漏电流
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
GS
Q
GD
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
SD
t
rr
Q
r
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
反向恢复时间
恢复电荷
I
S
= 25 A; V
GS
= 0 V ;看
图15
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
V
DS
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 10 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1兆赫;
SEE
图12
I
D
= 25 A; V
DD
= 80 V; V
GS
= 10 V;
SEE
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
53
11
27
2555
340
84
19
45
85
34
0.85
116
130
-
-
-
3400
480
115
-
-
-
-
1.2
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
nC
漏源导通电阻V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;看
图7
和
8
-
-
17
-
19
49
m
m
-
-
-
0.02
-
2
1
500
100
A
A
nA
2
1
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
100
89
-
-
-
-
V
V
源极 - 漏极二极管
BUK7619-100B_1
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