【BZX55C...威世德律风根硅外延平面的Z-二极管特点DDDDD非常尖锐的反向特性低反向电流水平非】,IC型号BZX55C4V3,BZX55C4V3 PDF资料,BZX55C4V3经销商,ic,电子元器件-51电子网

BZX55C...

威世德律风根

硅外延平面的Z-二极管

特点

D

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

低噪音

可以用更严格的公差

应用

电压稳定

94 9367

绝对最大额定值

T

j

= 25

_

C

参数

功耗

Z-电流

结温

存储温度范围

测试条件

L = 4毫米，T

L

=25

°

C

TYPE

符号

P

V

I

Z

T

j

T

英镑

价值

500

P

V

/V

Z

175

–65...+175

单位

mW

mA

°

C

°

C

最大热阻

T

j

= 25

_

C

参数

交界处的环境

测试条件

L = 4毫米，T

L

=常数

符号

R

thJA

价值

300

单位

K / W

电气特性

T

j

= 25

_

C

参数

正向电压

测试条件

I

F

=200mA

TYPE

符号

V

F

民

典型值

最大

1.5

单位

V

文档编号85605

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1 (6)

BZX55C...

威世德律风根

TYPE

BZX55C...

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

1)

V

ZNOM

V

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

I

ZT

mA

5

2.5

对于V

ZT

和R

ZJT

V

1)

W

2.28 2.56 85 <

2.5 2.9

< 85

2.8到3.2

< 85

3.1 3.5

< 85

3.4到3.8

< 85

3.7 4.1

< 85

4.0 4.6

< 75

4.4 5.0

< 60

4.8 5.4

＆ LT ; 35

5.2 6.0

<25

5.8 6.6

＆ LT ; 10

6.4到7.2

<8

7.0 7.9

<7

7.7到8.7

<7

8.5到9.6

＆ LT ; 10

9.4至10.6

＆ LT ; 15

10.4到11.6 < 20

11.4至12.7 < 20

12.4到14.1 < 26

13.8至15.6 < 30

15.3到17.1 < 40

16.8至19.1 < 50

18.8至21.2 < 55

20.8至23.3 < 55

22.8到25.6 < 80

25.1到28.9 < 80

2832

< 80

31 35

< 80

34至38

< 80

37至41

＆ LT ; 90

40至46

＆ LT ; 90

44至50

< 110

48至54

＆ LT ; 125

52至60

＆ LT ; 135

58至66

＆ LT ; 150

64至72

＆ LT ; 200

70至79

＆ LT ; 250

r

张家口

在我

ZK

W

mA

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 600

1

＆ LT ; 550

1

＆ LT ; 450

1

＆ LT ; 200

1

＆ LT ; 150

1

＆ LT ; 50

1

＆ LT ; 50

1

＆ LT ; 50

1

< 70

1

< 70

1

＆ LT ; 90

1

< 110

1

< 110

1

< 170

1

< 170

1

< 220

1

< 220

1

< 220

1

< 220

1

< 220

1

< 220

1

< 220

1

< 500 0.5

< 600 0.5

< 700 0.5

< 1000年0.5

< 1500 0.5

I

R

我

R

在V

R

m

A

m

A

2)

V

＆ LT ; 50

＆ LT ; 100

1

＆ LT ; 10

＆ LT ; 50

1

<4

＆ LT ; 40

1

<2

＆ LT ; 40

1

<2

＆ LT ; 40

1

<2

＆ LT ; 40

1

<1

＆ LT ; 20

1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 10

1

＆ LT ; 0.1

<2

1

＆ LT ; 0.1

<2

1

＆ LT ; 0.1

<2

2

＆ LT ; 0.1

<2

3

＆ LT ; 0.1

<2

5

＆ LT ; 0.1

<2

6.2

＆ LT ; 0.1

<2

6.8

＆ LT ; 0.1

<2

7.5

＆ LT ; 0.1

<2

8.2

＆ LT ; 0.1

<2

9.1

＆ LT ; 0.1

<2

10

＆ LT ; 0.1

<2

11

＆ LT ; 0.1

<2

12

＆ LT ; 0.1

<2

13

＆ LT ; 0.1

<2

15

＆ LT ; 0.1

<2

16

＆ LT ; 0.1

<2

18

＆ LT ; 0.1

<2

20

＆ LT ; 0.1

<2

22

＆ LT ; 0.1

<2

24

＆ LT ; 0.1

<2

27

＆ LT ; 0.1

<5

30

＆ LT ; 0.1

<5

33

＆ LT ; 0.1

<5

36

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 10

39

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 10

43

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 10

47

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 10

51

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 10

56

TK

VZ

%/K

-0.09至-0.06

-0.08 -0.05至

-0.06 -0.03至

-0.05 +0.02至

-0.02 +0.02至

-0.05 +0.05至

0.03 0.06

为0.03 0.07

为0.03 0.08

0.03 0.09

0.03 0.1

0.03 0.11

0.04 0.12

根据要求提供严格的公差：

BZX55A...

±

Ⅴ的1％的

ZNOM

BZX55B...

±

Ⅴ的2％

ZNOM

BZX55F...

±

Ⅴ的3％的

ZNOM

2)

在T

j

= 150

°

C

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2 (6)

文档编号85605

第4版， 01 -APR- 99

BZX55C...

威世德律风根

特征

(T

j

= 25

_

C除非另有说明）

R

thJA

- 千卡。抗拒。结/环境（K / W）

500

V

ZTN

- 相对电压变化

1.3

V

ZTN

=V

Zt

/V

Z

(25°C)

1.2

TK

VZ

=10

10

–4

/K

8

6

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

10

–4

/K

400

300

l

200

100

T

L

=常数

0

5

10

15

20

L - 引线长度（mm ）

l

1.1

4

2

1.0

0.9

0.8

–60

0

–2 10

–4

/K

–4

10

–4

/K

0

60

120

180

240

95 9611

95 9599

T

j

- 结温（

°C

)

图1.热敏电阻与导线长度

600

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

500

400

300

200

100

0

95 9602

工作电压与图4.典型的变化

结温

TK

VZ

- 温度V系数

Z

( 10

–4

/K )

15

10

5

I

Z

=5mA

0

40

80

120

160

200

T

AMB

- 环境温度（

°C

)

–5

0

10

20

30

40

50

V

Z

- z - 电压（V）

图2.总功耗对比

环境温度

1000

95 9600

Vz的图5.温度系数与Z-电压

200

- 电压变化（MV ）

T

j

= 25°C

100

C

D

- 二极管电容（pF ）

150

V

R

= 2V

100

T

j

= 25°C

I

Z

=5mA

10

D

V

Z

50

1

0

95 9598

5

10

15

20

25

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

工作电压图3.典型变化

根据工作条件在T

AMB

=25

°

C

图6.二极管电容与Z-电压

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BZX55C...

威世德律风根

100

I

F

- 正向电流（mA ）

50

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

T

j

= 25°C

1

I

Z

- Z-电流（mA ）

1.0

95 9607

10

40

30

0.1

0.01

0.001

0

0.2

0.4

0.6

0.8

20

10

0

15

20

25

30

35

95 9605

V

F

- 正向电压（ V）

V

Z

- z - 电压（V）

图7.正向电流与正向电压

100

r

Z

- 微分Z-电阻（

W

)

1000

图9. Z-电流与Z-电压

I

Z

- Z-电流（mA ）

80

P

合计

=500mW

T

AMB

=25°C

60

I

Z

=1mA

100

5mA

10 10毫安

40

20

0

4

8

12

16

20

1

0

95 9606

T

j

= 25°C

5

10

15

20

25

95 9604

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图8. Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（K / W）

1000

图10.差分Z-电阻与Z-电压

t

p

/T=0.5

100

t

p

/T=0.2

单脉冲

10

t

p

/T=0.1

t

p

/T=0.05

1

10

–1

t

p

/T=0.02

i

ZM

=(–V

Z

+(V

Z2

+4r

zj

t

p

/T=0.01

R

thJA

=300K/W

D

T=T

JMAX

–T

AMB

D

T /

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

95 9603

图11.热响应

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BZX55C...

威世德律风根

尺寸（mm）

阴极鉴定

0.55最大。

技术图纸

根据DIN

特定网络阳离子

94 9366

1.7 MAX 。

标准玻璃柜

54 A 2 DIN 41880

JEDEC DO 35

重最大。 0.3克

26分钟。

3.9最大。

26分钟。

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BZX55-Series

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威世半导体

小信号齐纳二极管

特点

非常尖锐的反向特性

低反向电流水平

非常高的稳定性

- 低噪声

AEC- Q101标准

符合RoHS指令2002/95 / EC和

根据WEEE指令2002/96 / EC

无卤素，符合IEC 61249-2-21定义

主要特征

参数

V

Z

范围NOM 。

测试电流I

ZT

V

Z

规范

诠释。施工

价值

2.4 75

2.5; 5

脉冲电流

单身

单位

V

mA

应用

电压稳定

订购信息

设备名称

BZX55-series

订购代码

BZX55-series-TR

BZX55-series-TAP

每卷胶带单位

每13"卷轴10000

10 000元ammopack

（52毫米磁带）

最小起订量

30 000 /盒

包

包名称

DO-35

重量

125毫克

模塑料湿度敏感度

可燃性等级

水平

符合UL 94 V -0

MSL等级1

（根据J- STD- 020 ）

焊接

条件

260 ℃/ 10秒，在终端

绝对最大额定值

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

参数

功耗

齐纳电流

结到环境空气

结温

存储温度范围

正向电压（最大）

I

F

= 200毫安

升= 4毫米，T

L

=常数

测试条件

升= 4毫米，T

L

= 25 °C

符号

P

合计

I

Z

R

thJA

T

j

T

英镑

V

F

价值

500

P

合计

/V

Z

300

175

- 65 + 175

1.5

单位

mW

mA

K / W

°C

V

修订版1.7 ， 25 -NOV- 11

文档编号： 85604

1

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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com

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受到特定的免责声明，阐明的AT

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BZX55-Series

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

5

2.5

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

T

AMB

= T

AMB

=

25 °C 150 °C

μA

V

马克斯。

< 85

< 75

< 60

＆ LT ; 35

＆ LT ; 25

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

F = 1千赫

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2

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BZX55-Series

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威世半导体

TEST

当前

I

ZT1

mA

I

ZT2

反向漏

当前

I

R

在V

R

T

AMB

=

25 °C

T

AMB

=

150 °C

V

马克斯。

5

2.5

1

0.5

＆ LT ; 50

＆ LT ; 10

<4

<2

<1

＆ LT ; 0.5

＆ LT ; 0.1

＆ LT ; 100

＆ LT ; 50

＆ LT ; 40

＆ LT ; 20

＆ LT ; 10

<2

<5

＆ LT ; 10

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

< 85

＆ LT ; 90

< 80

< 60

＆ LT ; 40

＆ LT ; 10

<8

<7

＆ LT ; 10

＆ LT ; 15

＆ LT ; 20

< 26

＆ LT ;三十

＆ LT ; 40

＆ LT ; 50

＆ LT ; 55

< 80

＆ LT ; 90

< 110

＆ LT ; 125

＆ LT ; 135

＆ LT ; 150

＆ LT ; 200

＆ LT ; 250

动态

阻力

Z

在我

ZT1

Z

ZK

在我

ZT2

TK

VZ

%/K

马克斯。

＆ LT ; 600

＆ LT ; 550

＆ LT ; 450

＆ LT ; 200

＆ LT ; 150

＆ LT ; 50

< 70

＆ LT ; 90

< 110

< 170

< 220

＆ LT ; 500

＆ LT ; 600

＆ LT ; 700

＆ LT ; 1000

＆ LT ; 1500

分钟。

- 0.09

- 0.08

- 0.06

- 0.05

- 0.02

- 0.05

0.03

0.04

马克斯。

- 0.06

- 0.05

- 0.03

0.02

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.1

0.11

0.12

温度

系数

电气特性

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

齐纳电压

范围

产品型号

V

Z

在我

ZT1

V

分钟。

BZX55B2V4

BZX55B2V7

BZX55B3V0

BZX55B3V3

BZX55B3V6

BZX55B3V9

BZX55B4V3

BZX55B4V7

BZX55B5V1

BZX55B5V6

BZX55B6V2

BZX55B6V8

BZX55B7V5

BZX55B8V2

BZX55B9V1

BZX55B10

BZX55B11

BZX55B12

BZX55B13

BZX55B15

BZX55B16

BZX55B18

BZX55B20

BZX55B22

BZX55B24

BZX55B27

BZX55B30

BZX55B33

BZX55B36

BZX55B39

BZX55B43

BZX55B47

BZX55B51

BZX55B56

BZX55B62

BZX55B68

BZX55B75

2.35

2.64

2.94

3.24

3.52

3.82

4.22

4.6

5

5.48

6.08

6.66

7.35

8.04

8.92

9.8

10.78

11.76

12.74

14.7

15.7

17.64

19.6

21.55

23.5

26.4

29.4

32.4

35.3

38.2

42.1

46.1

50

54.9

60.8

66.6

73

喃。

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

马克斯。

2.45

2.76

3.06

3.36

3.68

3.98

4.38

4.8

5.2

5.72

6.32

6.94

7.65

8.36

9.28

10.2

11.22

12.24

13.26

15.3

16.3

18.36

20.4

22.45

24.5

27.6

30.6

33.6

36.7

39.8

43.9

47.9

52

57.1

63.2

69.4

76.5

F = 1千赫

μA

修订版1.7 ， 25 -NOV- 11

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3

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BZX55-Series

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基本特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

R

thJA

- 千卡。抗拒。交界处的环境（K / W）

500

V

ZTN

- 相对电压变化

400

300

l

200

100

T

L

=常数

0

5

10

15

20

95 9611

95 9599

威世半导体

1.3

V

ZTN

= V

Zt

/V

Z

(25 °C)

1.2

TK

VZ

= 10 x 10

-4

/K

8 x 10

-4

/K

6 x 10

-4

/K

4 x 10

-4

/K

2 x 10

-4

/K

1.1

l

1.0

0.9

0

- 2 x 10

-4

/K

- 4 x 10

-4

/K

0.8

- 60

0

60

120

180

240

我 - 引线长度（mm ）

T

j

- 结温（ ° C）

图。 1 -

热敏电阻与导线长度

图。 4 - 工作电压与典型的变化

结温

P

合计

- 总功率耗散（ mW）的

600

500

400

300

200

100

0

80

120

160 200

40

T

AMB

- 环境温度（ ° C）

TK

VZ

- 温度系数

of

V

Z

(10

-4

/K)

15

10

5

I

Z

= 5毫安

0

-5

0

95 9600

10

20

30

40

50

95 9602

V

Z

- z - 电压（V）

图。 2 -

总功率耗散与环境温度

图。 5 - 温度V系数

Z

与Z-电压

1000

200

T

j

= 25 °C

100

C

D

- 二极管电容（pF ）

V

Z

-

电压

CHANGE （MV ）

150

V

R

= 2

V

T

j

= 25 °C

100

I

Z

= 5毫安

10

50

1

0

95 9598

0

5

10

15

20

25

95 9601

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 3 -

工作电压下工作的典型变化

在T条件

AMB

= 25 °C

图。 6 - 二极管电容与Z-电压

修订版1.7 ， 25 -NOV- 11

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4

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BZX55-Series

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威世半导体

50

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

100

I

F

- 正向电流（mA ）

10

T

j

= 25 °C

40

1

I

Z

- Z-电流（mA ）

1.0

30

0.1

20

0.01

10

0.001

0

95 9605

0

15

95 9607

0.2

0.4

0.6

0.8

20

25

30

35

V

F

- 前进

电压

(V)

V

Z

- z - 电压（V）

图。 9 -

Z-电流与Z-电压

图。 7 -

正向电流与正向电压

100

1000

80

r

Z

- 微分Z-电阻（Ω ）

I

Z

- Z-电流（mA ）

P

合计

= 500毫瓦

T

AMB

= 25 °C

60

I

Z

= 1毫安

100

5毫安

10 10毫安

40

20

0

95 9604

1

4

6

8

12

20

95 9606

T

j

= 25 °C

0

5

10

15

20

25

V

Z

- z - 电压（V）

图。 8 - Z-电流与Z-电压

Z

THP

- 脉冲电导率热阻。（ KW ）

V

Z

- z - 电压（V）

图。 10 -

差分Z-电阻与Z-电压

1000

t

p

/T = 0.5

100

t

p

/T = 0.2

单脉冲

R

thJA

= 300°K / W的

T = T

JMAX

- T

AMB

t

p

/T = 0.01

t

p

/T = 0.1

t

p

/T = 0.02

i

ZM

= (-

V

Z

+ (V

Z2

+ 4r

zj

x深/ Z

THP

)

1/2

)/(2r

zj

)

t

p

/T = 0.05

10

1

10

-1

10

0

10

1

t

p

- 脉冲宽度（毫秒）

10

2

95 9603

图。 11 - 热响应

修订版1.7 ， 25 -NOV- 11

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5

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BZX55C系列

机械数据

尺寸mm （英寸）

0.51 ± 0.10

(0.02 ± 0.004)

0.31弧度。

(0.012)

3

2

1

1.91 ± 0.10

(0.075 ± 0.004)

3.05 ± 0.13

(0.12 ± 0.005)

A=

0.76 ± 0.15

(0.03 ± 0.006)

稳压器

二极管上

陶瓷表面贴装

包

FOR HI- REL应用

A

1.40

(0.055)

马克斯。

2.54 ± 0.13

(0.10 ± 0.005)

0.31弧度。

(0.012)

特点

密封陶瓷表面贴装

封装（ SOT23兼容）

电压范围2.4 75V

1.02 ± 0.10

(0.04 ± 0.004)

LCC1包装

仰视图

垫1 - 阳极

PAD 2 = N / C

垫3 - 阴极

绝对最大额定值

P

合计

功耗

减免上述25℃

T

OP

T

英镑

T

SOL

R

θJA

R

θJ -MB

最高工作环境温度

存储温度范围

焊接温度

热阻结到环境

热阻结到安装底座

（5秒以内）。

T

MB

= 25°C

500mW

4mW/°C

-55到+ 150°C

-65到+ 175℃

260°C

336°C/W

140°C/W

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

V

Z

I

R

Z

K

齐纳电压

反向电流

小信号击穿阻抗

临近崩溃的膝盖

测试条件

对于V

Z

喃。

≤

36V,

对于V

Z

喃。

≥

39V,

V

R

= V

R

TEST

V

R

= V

R

TEST

I

Z

= I

Z

TEST

对于V

Z

喃。

≤

36V,

对于V

Z

喃。

≥

39V,

I

ZK

= 1.0毫安

I

ZK

- 0.5毫安

T

AMB

= 150°C

I

Z

= 5毫安

I

Z

= 2.5毫安

分钟。

V

Z

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

A

V

Z

NOM 。 V

Z

马克斯。

I

R

马克斯。

I

R

最大

(2)

Z

马克斯。

Z

K

马克斯。

见表1型变种和测试参数。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 ） 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 ） 552612 。

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文档编号5743

第4期

BZX55C系列

表1 - 型变种&测试参数

产品

V

Z

喃。

(V)

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

V

Z

分钟。

(V)

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

V

Z

马克斯。

(V)

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

80

I

Z

马克斯。

（MA ）

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

Z

马克斯。

()

100

75

40

10

8.0

7.0

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

V

R

TEST

(V)

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

I

R

马克斯。

(A)

50.0

20.0

4.00

3.00

2.00

1.00

0.50

0.15

T

CVZ

分钟。

马克斯。

(%/°C)

-0.08

-0.07

-0.04

-0.03

-0.02

-0.01

0

+0.01

+0.02

+0.03

+0.04

-0.06

-0.05

-0.04

-0.03

-0.01

+0.01

+0.05

+0.06

+0.07

+0.08

+0.09

+0.10

+0.11

+0.12

Z

K

马克斯。

()

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

I

R

最大

(2)

(A)

100

50

40

20

10

2.0

5.0

10

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文档编号5743

第4期

BZX55C2V4~BZX55C100

轴向引线二极管ZENER

电压

2.4到100伏

动力

500毫瓦

特点

平面模施工

500mW的功率耗散

非常适合于自动装配程序

在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令

机械数据

案例：模压玻璃DO- 35

终端：每MIL -STD- 750 ，方法2026焊性

极性：参见下图

约。重量： 0.13克

安装位置：任意

订货信息：说明： “ -35 ”命令DO- 35封装

包装信息

B

- 每散装箱2K

T / R - 10K每13"塑料卷

T / B - 每HORIZ 5K 。磁带&弹药箱

最大额定值和电气特性

(T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

功耗在环境温度Tamb = 25

结温

存储温度范围

有效的提供，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度。

O

符号

3.0

价值

500

175

-65到+175

单位

mW

O

C

P

合计

T

J

T

s

C

O

参数

热阻结到环境空气

在我正向电压

F

= 100毫安

符号

分钟。

--

典型值。

马克斯。

0.3

1

单位

K /毫瓦

V

R

θ

JA

V

F

--

有效的提供，导致在从情况下的距离为10毫米被保持在环境温度。

STAD-FEB.10.2009

1

PAGE 。 1

BZX55C2V4~BZX55C100

能美最终齐纳电压

产品型号

无米。 V

BZX55C 2V4

BZX55C 2V7

BZX55C 3V0

BZX55C 3V3

BZX55C 3V6

BZX55C 3V9

BZX55C 4V3

BZX55C 4V7

BZX55C 5V1

BZX55C 5V6

BZX55C 6V2

BZX55C 6V8

BZX55C 7V5

BZX55C 8V2

BZX55C 9V1

BZX55C 10

BZX55C 11

BZX55C 12

BZX55C 13

BZX55C 15

BZX55C 16

BZX55C 18

BZX55C 20

BZX55C 22

BZX55C 24

BZX55C 27

BZX55C 30

BZX55C 33

BZX55C 36

BZX55C 39

BZX55C 43

BZX55C 47

BZX55C 51

BZX55C 56

BZX55C 62

BZX55C 68

BZX55C 75

BZX55C 82

BZX55C 91

BZX55C 100

2.4

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

V

Z

@ I

ZT

M | N 。 V

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

M A X 。 V

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5

5.4

6

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

87

96

106

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

马克斯。齐纳阻抗

Z

ZT

@ I

ZT

mA

5

2.5

1

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

Z

ZK

@ I

ZK

mA

1

0.5

0.1

uA

50

10

4

2

1

0.5

0.1

最大反向

泄漏光凭目前

I

R

@ V

R

V

1

2

3

5

6

7

8

9

10

11

12

14

15

17

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

BZX55C 2V4

BZX55C 2V7

BZX55C 3V0

BZX55C 3V3

BZX55C 3V6

BZX55C 3V9

BZX55C 4V3

BZX55C 4V7

BZX55C 5V1

BZX55C 5V6

BZX55C 6V2

BZX55C 6V8

BZX55C 7V5

BZX55C 8V2

BZX55C 9V1

BZX55C 10

BZX55C 11

BZX55C 12

BZX55C 13

BZX55C 15

BZX55C 16

BZX55C 18

BZX55C 20

BZX55C 22

BZX55C 24

BZX55C 27

BZX55C 30

BZX55C 33

BZX55C 36

BZX55C 39

BZX55C 43

BZX55C 47

BZX55C 51

BZX55C 56

BZX55C 62

BZX55C 68

BZX55C 75

BZX55C 82

BZX55C 91

BZX55C 100

马吉NG

合作D E

标准电压的容差为+ 5％：

后缀“ A” FOR + 1 ％

后缀为“ B” FOR + 2 ％

后缀“ C”代表+ 5 ％

后缀“ D”代表+ 20 ％

*测量的脉冲TP = 40毫秒。

STAD-FEB.10.2009

1

ZENERDIODENUMBERINGSYSTEM ：

BZX55

C3V6

1*

2*

1 *类型没有。

2 ·齐纳二极管VZ ，V码是INSTEAD OF小数点。

3 *例如， 3V6 = 3.6V

*测量的脉冲TP = 40毫秒。

PAGE 。 2

BZX55C2V4~BZX55C100

额定值和特性曲线

功耗毫瓦

500

400

300

200

100

0

50

100

150

200

O

250

环境温度，C

图。 1功率降额曲线

Vz的（V）的

IZ （毫安）

50

40

30

20

10

0

5

10

15

20

25

30

测试电流

IZ = 20mA下

12

11

9.1

15

6.8

6.2

5.6

5.1

4.7

4.3

20

24

3.9

2.7

图2击穿特性

STAD-FEB.10.2009

1

PAGE 。 3

BZX55C2V0 BZX55C100

V

Z

： 2.0 - 100伏

P

D

： 500毫瓦

硅稳压二极管

DO - 35

0.079 （2.0）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

产品特点：

*完整的2.0 100伏

*高浪涌电流能力

*高反向峰值功耗

*高可靠性

*低漏电流

*无铅/符合RoHS免费

0.150 (3.8)

马克斯。

0.020 （0.52）最大。

1.00 (25.4)

分钟。

尺寸以英寸（毫米）

机械数据

*案例：模压玻璃

*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，

方法208保证

*极性：颜色频带端为负极。当齐纳二极管模式中操作，

阴极将是积极的方面阳极

*安装位置：任意

*重量： 0.13克（约）

最大额定值

等级25

°

除非另有说明C的环境温度

等级

功率耗散（注1）

最大正向电压在我

F

-100毫安

最大热阻结到环境空气（注1）

结温范围

存储温度范围

符号

P

D

V

F

R

θ

JA

T

j

T

s

价值

500

1.0

300

- 65至+ 200

单位

mW

V

° C / W

°C

记

（1 ）有效的情况下，从提供通向在3/8的距离“被保持在环境温度。

第1页2

启示录05 ： 2005年6月25日

电气特性

等级25

°

除非另有说明C的环境温度

齐纳电压

TYPE

数

BZX55C2V0

BZX55C2V2

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C14

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

BZX55C82

BZX55C91

BZX55C100

最大齐纳

阻抗

I

ZT

Z

ZT

@ I

ZT

Z

Zk

@ I

ZK

（MA ）

()

5.0

2.5

1.0

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

28

30

40

50

55

80

90

110

125

135

150

200

250

300

450

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

500

600

700

1000

1500

2000

5000

最大反向

漏电流，I

R

I

ZK

（MA ）

1.0

0.5

0.25

0.1

TA = 25°C钽= 150℃

温度。系数可容许

齐纳电压

TK

VZ

(% / K)

-0.09...-0.06

-0.08...-0.05

-0.06...-0.03

-0.05...+0.02

-0.02...+0.02

-0.05...+0.05

0.03...0.06

0.03...0.07

0.03...0.08

0.03...0.09

0.03...0.10

0.03...0.11

0.04...0.12

（典型值）。 0.1

(4)

V

Z

@ I

ZT

喃

(V)

2.0

2.2

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

14

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

1)

齐纳

当前

(2)

I

ZM

（MA ）

175

160

145

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

28

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.4

4.0

民

(V)

1.9

2)

最大

(V)

2.1

2)

(A)

100

50

10

4.0

2.0

1.0

0.5

0.1

(A)

200

100

50

40

20

10

2.0

5.0

10

在V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

10.5

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

2.08

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.1

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

40

44

48

52

58

64

70

77

85

94

2.41

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.0

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

46

50

54

60

66

72

79

87

96

106

(4)

注意事项：

1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒

2 ）有效但引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为8mm

3）为

±

2 ％的误差改变类型的第六个字母，从"C"是"B"

（4）在IZ = 2.5毫安

第2页2

启示录05 ： 2005年6月25日

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

齐纳二极管

BZX55C2V4 - BZX55C91

绝对最大额定值*

符号

P

D

参数

功耗

@ TL

≤

75 ° C，引线长度= 3/8 “

减免上述75℃

T

J

, T

英镑

工作和存储温度范围

T

A

= 25 ° C除非另有说明

容差±5 ％

单位

mW

毫瓦/°C的

°C

价值

500

4.0

-65到+200

*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO- 35玻璃柜

颜色频带为负极

电气特性

设备

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

V

Z

（ V） @我

Z

（注1 ）

分钟。

2.28

2.50

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.5

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

34.0

37.0

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.1

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

T

A

= 25 ° C除非另有说明

Z

@ I

Z

()

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

测试电流

I

Z

（MA ）

5

2.5

I

R

（ μA ） @ V

R

TA = 25°C

50

10

4

2

1

0.5

0.1

TA = 125°C

100

50

40

10

2

5

V

R

(V)

1

2

3

5

6

7

7.5

8.5

9

10

11

12

14

15

17

18

20

22

24

27

28

I

ZM

（MA ）

（注2 ）

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

2004仙童半导体公司

BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

电气特性

（续）T = 25° C除非另有说明

A

设备

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

BZX55C82

BZX55C91

V

Z

（ V） @我

Z

（注1 ）

分钟。

40

44

48

52

58

64

70

77

85

马克斯。

46

50

54

60

66

72

80

87

96

Z

@ I

Z

()

90

110

125

135

150

160

170

200

250

测试电流

I

Z

（MA ）

5

2.5

5

1

I

R

（ μA ） @ V

R

TA = 25°C

0.1

TA = 125°C

5

10

V

R

(V)

32

35

38

42

47

51

56

62

69

I

ZM

（MA ）

（注2 ）

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.3

V

F

正向电压= 1.3V最大@ I

F

= 100毫安

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

)

齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T

L

）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。

2.最大齐纳额定电流（I

ZM

)

在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。

2004仙童半导体公司

BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

顶标信息

设备

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

BZX55C82

BZX55C91

1号线

标志

2号线

55C

LINE 3

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

4号线

XY

2004仙童半导体公司

BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

顶标信息

（续）

F

1

st

行：F - 仙童标志

2

nd

行：设备名称 - 3

rd

5

th

设备名称的字符。

或4

th

6

th

字符BZXyy系列

3

rd

行：设备名称 - 6

th

7到

th

设备名称的字符。

或额定电压为BZXyy系列

4

th

行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。

日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码

大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”

522

9B

XY

一般要求：

1.0阴极乐队

2.0第一行：F - 仙童标志

3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3

rd

设备名称的第五个字符。

对于BZxx系列： 4

th

6

th

设备名称的字符。

4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6

th

7到

th

设备名称的字符。

对于BZXyy系列：额定电压

5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码

式中： X表示历年的最后一位数字

Y代表六个星期的数字代码

L代表的大型模具鉴定

6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格）。

7.0最大无。标记线： 4

8.0最大无。的每行的数字： 3

9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。

10.0标识字体：宋体（除FSC标志）

11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐

2004仙童半导体公司

BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

FACT静音系列

ActiveArray

快

深不见底

FASTr

CoolFET

FPS

CROSSVOLT

FRFET

DOME

GlobalOptoisolator

EcoSPARK GTO

E

2

CMOS

HiSeC

Ensigna

I

2

C

FACT

我罗

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

MICROCOUPLER 的PowerSaver

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任

所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不

在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I10

BZX55C 3V3 - BZX55C 33系列

分立功率&信号

技术

BZX55C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管

绝对最大额定值*

参数

存储温度范围

最高结工作温度

焊接温度（ 1/16“从案例10秒）

器件总功耗

减免上述25℃

浪涌电源**

TA = 25° C除非另有说明

公差： C = 5 ％

价值

-65到+200

+ 200

+ 230

500

4.0

30

单位

°C

mW

毫瓦/°C的

W

*

这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

**

非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。

注意事项：

1)

这些评级是基于200度C的最高结温

2)

这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询

或低工作周期操作。

DO-35

电气特性

设备

民

BZX55C 3V3

BZX55C 3V6

BZX55C 3V9

BZX55C 4V3

BZX55C 4V7

BZX55C 5V1

BZX55C 5V6

BZX55C 6V2

BZX55C 6V8

BZX55C 7V5

BZX55C 8V2

BZX55C 9V1

BZX55C 10

BZX55C 11

BZX55C 12

BZX55C 13

BZX55C 15

BZX55C 16

BZX55C 18

BZX55C 20

BZX55C 22

BZX55C 24

BZX55C 27

BZX55C 30

BZX55C 33

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

TA = 25° C除非另有说明

V

Z

(V)

最大

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.1

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

Z

()

85

75

60

35

25

10

8.0

7.0

10

15

20

26

30

40

50

55

80

@

I

ZT

（MA ）

5.0

Z

ZK

()

600

550

450

200

150

50

70

90

110

170

220

@

I

ZT

（MA ）

1.0

V

R

(V)

1.0

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

@

I

R

(A)

2.0

1.0

0.5

0.1

@

I

R

(A)

T

A

= 150°C

40

20

10

2.0

T

C

(%/°C)

- 0.060

- 0.055

- 0.050

- 0.040

- 0.020

+0.010

+0.025

+0.032

+0.040

+0.045

+0.048

+0.050

+0.055

+0.060

+0.065

0.070

0.075

0.080

0.085

I

ZM

（MA ）

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

V

F

FOWARD电压= 1.0 V最大@我

F

= 100毫安所有BZX 55系列

1997仙童半导体公司

CE

陈毅电子

特点

。齐纳电压是根据国际E24分级

。其他标准电压容限和更高的齐纳电压

根据要求提供。

BZX55 - C0V8 THRU BZX55 -C200

0.5W硅平面齐纳二极管

机械数据

.

案例：

DO- 35玻璃柜

.

极性：

颜色频带端为负极

.

重量：

约。 0.13克

绝对最大额定值（极限值）（T

A

=25

)

符号

齐纳电流见表"Characteristics"

在T功耗

A

=50

结温

存储温度范围

P

合计

T

J

T

英镑

价值

单位

500

1)

175

-65到+ 175

mW

1）有效的规定，在从壳体的距离为8mm被保持在环境温度

电气特性（ TA = 25

)

符号

热阻结到环境

正向电压

在我

F

=100mA

R

JA

分钟。

典型值。

马克斯。

300

1)

1

单位

K / W

V

F

1）有效的规定，导致在从情况下的距离为8mm被保持在环境温度

第1页4

CE

陈毅电子

BZX55 - C0V8 THRU BZX55 -C200

0.5W硅平面齐纳二极管

BXZ55 ...硅平面齐纳二极管

齐纳电压范围

1)

TYPE

V

ZNOM

V

BZX 55 / C 0V8

3)

BZX 55 / C 2V0

BZX 55 / C 2V4

BZX 55 / C 2V7

BZX 55 / C 3V0

BZX 55 / C 3V3

BZX 55 / C 3V6

BZX 55 / C 3V9

BZX 55 / C 4V3

BZX 55 / C 4V7

BZX 55 / C 5V1

BZX 55 / C 5V6

BZX 55 / C 6V2

BZX 55 / C 6V8

BZX 55 / C 7V5

BZX 55 / C 8V2

BZX 55 / C 9V1

BZX 55 / C 10

BZX 55 / C 11

BZX 55 / C 12

BZX 55 / C 13

BZX 55 / C 15

BZX 55 / C 16

BZX 55 / C 18

BZX 55 / C 20

0.8

2.0

2.4

2.7

3

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

13

15

16

18

20

5

I

ZT

对于V

征途2

)

mA

V

0.73…0.83

1.9…2.1

2.28…2.56

2.5…2.9

2.8…3.2

3.1…3.5

3.4…3.8

3.7…4.1

4.0…4.6

4.4…5.0

4.8…5.4

5.2…6.0

5.8…6.6

6.4…7.2

7.0…7.9

7.7…8.7

8.5…9.6

9.4…10.6

10.4…11.6

11.4…12.7

12.4…14.1

13.8…15.6

15.3…17.1

16.8…19.1

18.8…21.2

<75

<60

<35

<25

<10

<8

<7

<10

<15

<20

<26

<30

<40

<50

<55

<70

<90

<110

<170

<220

<0.1

<2

<50

<550

<450

<200

<150

1

2.0

3.0

5.0

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

11.0

12

13

15

0.03…0.11

<1

<0.5

<20

<10

-0.06…-0.03

-0.05…+0.02

-0.02…+0.02

-0.05…+0.05

0.03…0.06

0.03…0.07

0.03…0.08

0.03…0.09

0.03…0.1

<85

<600

<40

<2

<1

-0.08…-0.05

<8

<50

动态电阻

反向漏电流

I

R

我

R 2)

在V

R

mA

-

<100

<50

<10

<4

A

-

<200

<100

<50

-0.09…-0.06

A

V

-

温度系数

齐纳电压

r

ZJT

和

r

张家口

在我

zk

TK

VZ

%/K

-0.26...-0.23

第2页4

CE

陈毅电子

BZX55 - C0V8 THRU BZX55 -C200

0.5W硅平面齐纳二极管

BXZ55 ...硅平面齐纳二极管

BZX 55 / C 22

BZX 55 / C 24

BZX 55 / C 27

BZX 55 / C 30

BZX 55 / C 33

BZX 55 / C 36

BZX 55 / C 39

BZX 55 / C 43

BZX 55 / C 47

BZX 55 / C 51

BZX 55 / C 56

BZX 55 / C 62

BZX 55 / C 68

BZX 55 / C 75

BZX 55 / C 82

BZX 55 / C 91

BZX 55 / C 100

BZX 55 / C 110

BZX 55 / C 120

BZX 55 / C 130

BZX 55 / C 150

BZX 55 / C 160

BZX 55 / C 180

BZX 55 / C 200

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

160

180

200

1

2.5

5

20.8…23.3

22.8…25.6

25.1…28.9

28…32

31…35

34…38

37…41

40…46

44…50

48….54

52…60

58…66

64…72

70…79

77…87

85…96

94…106

104…116

114…127

124…141

138…156

153…171

168…191

188…212

<1500

<2000

<5000

<5500

<6000

<6500

<7000

<8500

<10000

0.1

<10

0.25

<1000

<0.1

<500

<600

<700

0.5

<5

<220

<80

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

100

110

120

130

150

0.05…0.12

0.04…0.12

1

<2

<55

<80

16

18

20

22

1 ）测试与脉冲TP = 20ms的

2）在从情况下的距离为8mm有效的规定，引线被保持在环境温度

3） BZX55 - C0V8是在向前的方向操作的硅二极管。因此，所有的参数的索引应该是“F” ，而不是“Z” 。连接阴极

导致负极。

第3页4

CE

陈毅电子

BZX55 - C0V8 THRU BZX55 -C200

0.5W硅平面齐纳二极管

BXZ55 ...硅平面齐纳二极管

击穿特性AT TJ =常数（脉冲）

第4页4

直流分量CO 。， LTD 。

R

BZX55C2V4

THRU

BZX55C39

整流器SPECIALISTS

技术规格

玻璃硅稳压二极管

特点

*电压范围： 2.4V至39V

*双段塞式建筑

DO - 34 / DO -35

机械数据

*案例：玻璃密封的情况下，

*铅： MIL - STD- 202E ，方法208保证

*极性：颜色频带端为负极

*安装位置：任意

*重量： 0.13克

25.0MIN

0.52

L

2.0MAX

25.0MIN

DO- 34 DO-35

最大额定值和电气特性

在25℃的环境温度额定值除非另有规定。

单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。

对于容性负载，减免电流20 ％。

o

L:

2.9

最大

4.2

最大

单位：毫米

符号

齐纳电流见表"Characterisitics"

o

在环境温度Tamb功耗= 25℃

价值

500

(1)

175

-55 + 175

单位

P合计

Tj

TSTG

mW

o

结温

存储温度范围

C

K /毫瓦

热阻

结到环境空气

RthA

-

0.3

(1)

典型值。

分钟。

马克斯。

伏

正向电压

在IF = 100毫安

V

F

-

1

典型值。

分钟。

马克斯。

1 ）有效但引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。

注： 1，标准齐纳电压容差± 5 ％

2.Suffix "M"代表"DO - 34"包（如： BZX55C2V4M ， BZX55C39M ）。

158

后

额定值和特性曲线（ BZX55C系列）

公称

齐纳

最大齐纳

最大反向

典型

最大

齐纳

TEST

IZK

调节器

阻抗

漏电流温度

电压

当前

系数

VZ @ IZT

IZT

ZZT @ IZT ZZT @ IZK

IR

@VR

IZM

民

最大

mA

欧

mA

uA

伏

% /

o

C

mA

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

B Z X 5 C 11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

2.28

2.5

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.4

10.4

11 . 4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28

31

34

37

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11 . 6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.2

23.3

25.6

28.9

32

35

38

41

5

2.5

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

600

550

450

200

150

50

70

90

11 0

170

220

500

1

0.5

50

10

4

2

1

0.5

0.1

1

2

3

5

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10

11

12

15

16

18

20

22

24

27

30

-0.085

-0.080

-0.075

-0.070

-0.065

-0.060

±0.055

±0.030

+0.038

+0.045

+0.050

+0.058

+0.062

+0.068

+0.075

+0.076

+0.077

+0.079

+0.082

+0.083

+0.085

+0.086

+0.087

+0.088

+0.090

+0.091

+0.092

+0.093

+0.094

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

74

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

击穿特性

变化的功率耗散

由于环境温度。

功耗

加入Pd（ mW）的

IZ

30

mA

50

5V

10V

15V

20V

40

BZX55-SERIES

25V

30V

500

400

300

200

100

20

测试电流

IZ 5毫安

10

50

100 150 200 300

TA（

o

C)

环境温度。

0

6V8

6V2

5V6

5V1

4V7

4V3

3V9

3V3

2V4

9V1

11

12

15

20

22

24

27

VZ

直流分量CO 。， LTD 。

R

159

后

出口

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

齐纳二极管

BZX55C2V4 - BZX55C91

绝对最大额定值*

符号

P

D

参数

功耗

@ TL

≤

75 ° C，引线长度= 3/8 “

减免上述75℃

T

J

, T

英镑

工作和存储温度范围

T

A

= 25 ° C除非另有说明

容差±5 ％

单位

mW

毫瓦/°C的

°C

价值

500

4.0

-65到+200

*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。

DO- 35玻璃柜

颜色频带为负极

电气特性

设备

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

V

Z

（ V） @我

Z

（注1 ）

分钟。

2.28

2.50

2.8

3.1

3.4

3.7

4.0

4.4

4.8

5.2

5.8

6.4

7.0

7.7

8.5

9.5

10.4

11.4

12.4

13.8

15.3

16.8

18.8

20.8

22.8

25.1

28.0

31.0

34.0

37.0

马克斯。

2.56

2.9

3.2

3.5

3.8

4.1

4.6

5.0

5.4

6.0

6.6

7.2

7.9

8.7

9.6

10.6

11.6

12.7

14.1

15.6

17.1

19.1

21.1

23.3

25.6

28.9

32.0

35.0

38.0

41.0

T

A

= 25 ° C除非另有说明

Z

@ I

Z

()

85

75

60

35

25

10

8

7

10

15

20

26

30

40

50

55

80

90

测试电流

I

Z

（MA ）

5

2.5

I

R

（ μA ） @ V

R

TA = 25°C

50

10

4

2

1

0.5

0.1

TA = 125°C

100

50

40

10

2

5

V

R

(V)

1

2

3

5

6

7

7.5

8.5

9

10

11

12

14

15

17

18

20

22

24

27

28

I

ZM

（MA ）

（注2 ）

155

135

125

115

105

95

90

85

80

70

64

58

53

47

43

40

36

32

29

27

24

21

20

18

16

14

13

12

11

10

2004仙童半导体公司

BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

电气特性

（续）T = 25° C除非另有说明

A

设备

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

BZX55C82

BZX55C91

V

Z

（ V） @我

Z

（注1 ）

分钟。

40

44

48

52

58

64

70

77

85

马克斯。

46

50

54

60

66

72

80

87

96

Z

@ I

Z

()

90

110

125

135

150

160

170

200

250

测试电流

I

Z

（MA ）

5

2.5

5

1

I

R

（ μA ） @ V

R

TA = 25°C

0.1

TA = 125°C

5

10

V

R

(V)

32

35

38

42

47

51

56

62

69

I

ZM

（MA ）

（注2 ）

9.2

8.5

7.8

7.0

6.4

5.9

5.3

4.8

4.3

V

F

正向电压= 1.3V最大@ I

F

= 100毫安

注意事项：

1.齐纳电压（V

Z

)

齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T

L

）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。

2.最大齐纳额定电流（I

ZM

)

在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。

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BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1

齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

顶标信息

设备

BZX55C2V4

BZX55C2V7

BZX55C3V0

BZX55C3V3

BZX55C3V6

BZX55C3V9

BZX55C4V3

BZX55C4V7

BZX55C5V1

BZX55C5V6

BZX55C6V2

BZX55C6V8

BZX55C7V5

BZX55C8V2

BZX55C9V1

BZX55C10

BZX55C11

BZX55C12

BZX55C13

BZX55C15

BZX55C16

BZX55C18

BZX55C20

BZX55C22

BZX55C24

BZX55C27

BZX55C30

BZX55C33

BZX55C36

BZX55C39

BZX55C43

BZX55C47

BZX55C51

BZX55C56

BZX55C62

BZX55C68

BZX55C75

BZX55C82

BZX55C91

1号线

标志

2号线

55C

LINE 3

2V4

2V7

3V0

3V3

3V6

3V9

4V3

4V7

5V1

5V6

6V2

6V8

7V5

8V2

9V1

10

11

12

13

15

16

18

20

22

24

27

30

33

36

39

43

47

51

56

62

68

75

82

91

4号线

XY

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齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91

顶标信息

（续）

F

1

st

行：F - 仙童标志

2

nd

行：设备名称 - 3

rd

5

th

设备名称的字符。

或4

th

6

th

字符BZXyy系列

3

rd

行：设备名称 - 6

th

7到

th

设备名称的字符。

或额定电压为BZXyy系列

4

th

行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。

日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码

大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”

522

9B

XY

一般要求：

1.0阴极乐队

2.0第一行：F - 仙童标志

3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3

rd

设备名称的第五个字符。

对于BZxx系列： 4

th

6

th

设备名称的字符。

4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6

th

7到

th

设备名称的字符。

对于BZXyy系列：额定电压

5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码

式中： X表示历年的最后一位数字

Y代表六个星期的数字代码

L代表的大型模具鉴定

6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格）。

7.0最大无。标记线： 4

8.0最大无。的每行的数字： 3

9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。

10.0标识字体：宋体（除FSC标志）

11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐

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商标

下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是

并非意在将所有这样的商标的详尽清单。

ACEX

FACT静音系列

ActiveArray

快

深不见底

FASTr

CoolFET

FPS

CROSSVOLT

FRFET

DOME

GlobalOptoisolator

EcoSPARK GTO

E

2

CMOS

HiSeC

Ensigna

I

2

C

FACT

我罗

一刀切。周围的世界。

电源特许经营

可编程有源下垂

放弃

ImpliedDisconnect ？吃豆？

POP

等平面

Power247

LittleFET

MICROCOUPLER 的PowerSaver

的PowerTrench

的MicroFET

QFET

采用MicroPak

QS

MICROWIRE

QT光电

MSX

静音系列

MSXPro

RapidConfigure

OCX

RapidConnect

OCXPro

SILENT SWITCHER

OPTOLOGIC

SMART START

OPTOPLANAR

SPM

隐形

的SuperFET

SuperSOT-3

SuperSOT-6

SuperSOT-8

SyncFET

TinyLogic

TINYOPTO

TruTranslation

UHC

UltraFET

VCX

飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利

产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任

所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不

在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。

生命支持政策

飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件

设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。

如本文所用：

2.关键部件是在生命的任何组件

1.生命支持设备或系统的设备或

支持设备或系统，其故障执行能

其中，（ a）打算通过外科手术移植到系统中

可以合理预期造成的生命的失败

人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其

支持设备或系统，或影响其安全性或

不履行时，按照正确使用

与标示中的使用说明，可以

有效性。

合理预期会导致显著伤害

用户。

产品状态定义

条款的德网络nition

数据表标识

超前信息

产品状态

形成或

在设计

德网络nition

该数据表包含了设计规范

产品开发。特定网络阳离子可改变

恕不另行通知方式。

该数据表包含的初步数据，和

补充资料将在晚些时候公布。

飞兆半导体保留做出正确的

在任何时候，恕不另行通知，以提高变化

设计。

该数据表包含最终规格。飞兆半导体

半导体公司保留在作出变更的权利

恕不另行通知，以便随时改进设计。

初步

一是生产

没有Identi网络所需的阳离子

满负荷生产

过时的

不在生产中

该数据表包含在产品规格

已经停产了仙童半导体公司。

数据表打印仅供参考信息。

修订版I10