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STB60NH02L
N沟道24V - 0.0085
- 60A DPAK
的STripFET III功率MOSFET
TYPE
STB60NH02L
■
■
■
■
■
■
■
V
DSS
24 V
R
DS （ ON）
< 0.0105
I
D
60 A
典型
DS
（上） = 0.0085
@ 10 V
典型
DS
（上） = 0.012
@ 5 V
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
表面安装
2
PAK （ TO-263 ）
电力包装管（没有后缀）或
在磁带&卷轴（后缀“ T4 ” ）
3
1
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
描述
该STB60NH02L采用了最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。这是
合适的光纤收发器的最苛刻的DC-DC转换器
应用程序，其中高效率来实现。
内部原理图
应用
■
专门设计和优化
高效率DC / DC CONVERTES
订购信息
销售类型
STB60NH02LT4
记号
B60NH02L
包
TO-263
包装
磁带&卷轴
绝对最大额定值
符号
V
spike(1)
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
2004年5月
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k
)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
24
24
± 20
60
43
240
70
0.47
280
-55至175
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
1/11
STB60NH02L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
最大
最大
2.14
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 25 mA时， V
GS
= 0
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V
V
GS
= ± 20V
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
T
C
= 125°C
ON
(4)
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
I
D
= 250 A
I
D
= 30 A
I
D
= 15 A
分钟。
1
典型值。
1.8
0.0085
0.012
马克斯。
2.5
0.0105
0.020
单位
V
动态
符号
g
飞秒（4）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V
I
D
= 25 A
分钟。
典型值。
27
1400
400
55
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 15V F = 1MHz的V
GS
= 0
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
1
2/11
STB60NH02L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(5)
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 10 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
10
130
24
5
3.4
9.4
32
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 10 V
I
D
= 30 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 4.7
,
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
16
马克斯。
21.6
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD （4）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
36
36
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
1.3
48
48
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 60 A
的di / dt = 100A / μs的
T
j
= 150°C
V
DD
= 18 V
（见测试电路，图5 ）
(1)
Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
(2)
脉冲宽度有限的安全工作区
(
3
）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 25A ，V
DD
= 15V
(4)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(5)
Q
OSS =
C
OSS
*
V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
.
.
安全工作区
热阻抗
3/11
STB60NH02L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/11
STB60NH02L
归栅极阈值电压与温度
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
归一化的击穿电压与温度
.
.
5/11
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