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BFY181
HiRel它
NPN硅晶体管RF
HiRel它
离散和微波半导体
对于低噪声,高增益宽带放大器集电极
电流为0.5毫安到12毫安。
密封微波包装
f
T
= 8 GHz的
F = 2.2分贝在2 GHz
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号: 5611/006
Variant类型03号
4
3
1
2
防静电:静电放电
敏装置,
观察处理注意事项!
TYPE
BFY181 ( QL )
( QL )质量等级:
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
C
E
B
E
Micro-X1
P:专业品质,
H:高相对质量,
S:空间品质,
ES : ESA空间品质,
订购代码:
订购代码:
订购代码:
订购代码:
Q62702F1607
根据要求
根据要求
Q62702F1715
(见订货举例为了说明)
半导体集团
1 5
B草案, 99年9月
BFY181
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压,V
BE
=0
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗,
2), 3)
T
S
137°C
结温
工作温度范围
存储温度范围
热阻
结焊接点
3)
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
op
T
英镑
R
日JS
12
20
20
2
20
2
1)
单位
V
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
K / W
175
200
-65...+200
-65...+200
< 360
注意事项:
1)所允许的最大基极电流为V
FBE
测量结果为15mA ( spot-
测量持续时间< 1S)
2 )在T
S
= + 137 ℃。对于T
S
> + 137 ° C降额要求。
3) T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
电气特性
在T
A
= 25℃ ;除非另有说明
参数
DC特性
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 20 V,I
E
= 0
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 12 V,I
B
= 0,1A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0
发射基地cuttoff电流
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
发射基地cuttoff电流
V
EB
= 1 V,I
C
= 0
注意事项:
1 )该测试保证V( BR )
CE0
& GT ; 12V
半导体集团
2 5
B草案, 99年9月
1.)
符号
分钟。
I
CBO
I
CEX
I
CBO
I
EBO
I
EBO
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
马克斯。
100
100
50
25
0.5
单位
A
A
nA
A
A
集电极 - 基极截止电流
BFY181
电气特性
(续)
参数
DC特性
基极 - 发射极正向电压的
I
E
= 15毫安,我
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安, V
CE
= 6 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5 V , F = 500 MHz的
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 8 V , F = 500 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V, V
BE
= VBE = 0中,f = 1 MHz的
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 10 V, V
BE
= VBE = 0中,f = 1 MHz的
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5V, V
CB
= VCB = 0中,f = 1 MHz的
噪声系数
I
C
= 4毫安, V
CE
= 5 V , F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
SOPT
功率增益
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5V , F = 2 GHz的
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
传感器增益
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 5 V , F = 2 GHz的
Z
S
= Z
L
= 50
注意事项:
|S
21e
|
2
符号
分钟。
V
FBE
h
FE
-
55
典型值。
-
100
马克斯。
1
175
单位
V
-
f
T
6.5
-
C
CB
C
CE
C
EB
F
-
-
-
-
7.5
8
0.21
0.34
0.45
2.2
-
-
0.29
-
0.6
2.9
GHz的
pF
pF
pF
dB
GMA
1.)
13.5
14.5
-
dB
10
11
-
dB
1)
G
ma
=
S
21
(
k
k
2
1)
,
S
12
G
ms
=
S
21
S
12
半导体集团
3 5
B草案, 99年9月
BFY181
为了说明:
全部类型的变体,包括质量水平必须由订购者指定。为
HiRel它
分离
和微波半导体的订货代码指定器件系列和质量水平。
订购方式:
订货代号:Q ..........
BFY181 ( QL )
( QL ) :质量水平
订购示例:
订购代码:
BFY181 ES
Q62702F1715
对于BFY181在ESA空间质量水平
更多信息:
请参阅我们的WWW-页:
- 离散和射频半导体(小信号半导体)
www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
-
HiRel它
离散和微波半导体
www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
也请联系我们的营销部门:
电话:
传真:
地址:
++89 234 24480
++89 234 28438
电子信箱:
martin.wimmers@infineon.com
英飞凌半导体,
高频产品市场
P.O.Box 801709 ,
D- 81617慕尼黑
半导体集团
4 5
B草案, 99年9月
BFY181
微X1包
4
出版英飞凌半导体,
高频产品市场,邮政信箱801709 ,
D- 81617慕尼黑。
英飞凌科技股份公司1998年版权所有。
至于第三方专利或其他权利
而言,只有承担责任的每组件
本身,而不是应用程序,进程和电路
组件或组件内实施。
该信息描述和组件的类型应
不被视为保证的特点。
交货条件和权利,改变设计保留。
有关技术,交付和价格问题,请
在德国与半导体集团的办事处或
英飞凌
技术
公司
代表世界各地的公司(地址列表) 。
由于技术要求组件可能含有
危险物质。有关在类型信息
问题,请联系您最近的英飞凌
科技办公室,半导体集团。
英飞凌半导体是CECC认证
和QS9000制造商(包括ISO 9000 ) 。
3
1
2
半导体集团
5
B草案, 99年9月
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BFY181ES
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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