BZX55C2V0 BZX55C100
V
Z
： 2.0 - 100伏
P
D
： 500毫瓦
硅稳压二极管
DO - 35
0.079 （2.0）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
产品特点：
*完整的2.0 100伏
*高浪涌电流能力
*高反向峰值功耗
*高可靠性
*低漏电流
*无铅/符合RoHS免费
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
*案例：模压玻璃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极。当齐纳二极管模式中操作，
阴极将是积极的方面阳极
*安装位置：任意
*重量： 0.13克（约）
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
功率耗散（注1）
最大正向电压在我
F
-100毫安
最大热阻结到环境空气（注1）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
j
T
s
价值
500
1.0
300
- 65至+ 200
- 65至+ 200
单位
mW
V
° C / W
°C
°C
记
（1 ）有效的情况下，从提供通向在3/8的距离“被保持在环境温度。
第1页2
启示录05 ： 2005年6月25日
电气特性
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
齐纳电压
TYPE
数
BZX55C2V0
BZX55C2V2
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C14
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
BZX55C100
最大齐纳
阻抗
I
ZT
Z
ZT
@ I
ZT
Z
Zk
@ I
ZK
（MA ）
()
()
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
1.0
85
85
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
28
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
450
450
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
2000
5000
最大反向
漏电流，I
R
I
ZK
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.1
0.1
TA = 25°C钽= 150℃
温度。系数可容许
齐纳电压
TK
VZ
(% / K)
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.06...-0.03
-0.05...+0.02
-0.02...+0.02
-0.05...+0.05
0.03...0.06
0.03...0.07
0.03...0.07
0.03...0.08
0.03...0.09
0.03...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
（典型值） 。 0.1
(4)
(4)
(4)
(4)
(4)
V
Z
@ I
ZT
喃
(V)
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
1)
齐纳
当前
(2)
I
ZM
（MA ）
175
160
145
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
28
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.4
4.0
民
(V)
1.9
2)
最大
(V)
2.1
2)
(A)
100
50
50
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
(A)
200
100
100
50
40
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
10
10
10
10
10
在V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10.0
10.5
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
2.08
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.1
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
2.41
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.0
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
(4)
(4)
注意事项：
1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒
2 ）有效但引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为8mm
3）为
±
2 ％的误差改变类型的第六个字母，从"C"是"B"
（4）在IZ = 2.5毫安
第2页2
启示录05 ： 2005年6月25日
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
齐纳二极管
BZX55C2V4 - BZX55C91
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
分钟。
2.28
2.50
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.5
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
马克斯。
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
@ I
Z
()
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
测试电流
I
Z
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
I
R
（ μA ） @ V
R
TA = 25°C
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TA = 125°C
100
50
40
40
40
40
40
10
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
5
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
电气特性
（续）T = 25° C除非另有说明
A
设备
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
分钟。
40
44
48
52
58
64
70
77
85
马克斯。
46
50
54
60
66
72
80
87
96
Z
Z
@ I
Z
()
90
110
125
135
150
160
170
200
250
测试电流
I
Z
（MA ）
5
2.5
5
5
5
5
5
5
1
I
R
（ μA ） @ V
R
TA = 25°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TA = 125°C
5
5
10
10
10
10
10
10
10
V
R
(V)
32
35
38
42
47
51
56
62
69
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.3
V
F
正向电压= 1.3V最大@ I
F
= 100毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
顶标信息
设备
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
LINE 3
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
4号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
BZX55C 3V3 - BZX55C 33系列
分立功率&信号
技术
BZX55C 3V3 - 33系列半瓦齐纳二极管
绝对最大额定值*
参数
存储温度范围
最高结工作温度
焊接温度（ 1/16“从案例10秒）
器件总功耗
减免上述25℃
浪涌电源**
TA = 25° C除非另有说明
公差： C = 5 ％
价值
-65到+200
+ 200
+ 230
500
4.0
30
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
W
*
这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
**
非经常性方波PW = 8.3毫秒， TA = 50 ℃。
注意事项：
1)
这些评级是基于200度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。工厂应在涉及脉冲应用咨询
或低工作周期操作。
DO-35
电气特性
设备
民
BZX55C 3V3
BZX55C 3V6
BZX55C 3V9
BZX55C 4V3
BZX55C 4V7
BZX55C 5V1
BZX55C 5V6
BZX55C 6V2
BZX55C 6V8
BZX55C 7V5
BZX55C 8V2
BZX55C 9V1
BZX55C 10
BZX55C 11
BZX55C 12
BZX55C 13
BZX55C 15
BZX55C 16
BZX55C 18
BZX55C 20
BZX55C 22
BZX55C 24
BZX55C 27
BZX55C 30
BZX55C 33
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
TA = 25° C除非另有说明
V
Z
(V)
最大
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
Z
Z
()
85
85
85
75
60
35
25
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
@
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
Z
ZK
()
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
@
I
ZT
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
@
I
R
(A)
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
@
I
R
(A)
T
A
= 150°C
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
T
C
(%/°C)
- 0.060
- 0.055
- 0.050
- 0.040
- 0.020
+0.010
+0.025
+0.032
+0.040
+0.045
+0.048
+0.050
+0.055
+0.060
+0.065
0.070
0.070
0.075
0.075
0.080
0.080
0.080
0.085
0.085
0.085
I
ZM
（MA ）
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
V
F
FOWARD电压= 1.0 V最大@我
F
= 100毫安所有BZX 55系列
1997仙童半导体公司
BZX55C2V0-
BZX55C75
硅平面稳压二极管
特点
*齐纳电压范围2.0 75伏特
* DO- 35封装（ JEDEC ）
*通孔设备类型安装
*密封式玻璃
*压接施工
*所有外部表面耐腐蚀和导线
很容易焊
.022 (0.56)
DIA 。
.018 (0.46)
1.02 (26.0)
分钟。
DO-35
.165 (4.2)
马克斯。
.079 (2.0)
马克斯。
1.02 (26.0)
分钟。
DIA 。
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
o
尺寸以英寸（毫米）
最大RATINGES
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
评级
功耗
结温
存储温度范围
注： "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
符号
P
D
T
J
TSTG
价值
500
200
-65to+200
单位
mW
O
C
C
O
VB 2007-4
额定值和特性曲线（ BZX55C2V0 - BZX55C75 ）
R
qJA
，热阻结到环境（K / W）
PD ，总功耗（MW ）
500
400
300
200
100
0
500
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
200
0
5
10
我，引线长度（毫米）
15
20
TA ，环境温度
图1功耗与环境温度
差齐纳电阻（ W）
图2热敏电阻与导线长度
1000
T
J
=25 C
O
200
C
J
，二极管电容（PF ）
VR=2V
150
TJ = 25℃
O
100
5mA
I
Z
=1mA
100
10
50
10mA
0
0
5
10
15
20
25
1
0
5
10
15
20
25
VZ ，齐纳电压（V ）
VZ ，齐纳电压（V ）
Figure3二极管电容VS齐纳电压
Figure4差分阻抗齐纳
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
BZX55C2V4 THRU BZX55C75
硅平面齐纳二极管
特点
●电压
范围： 2.7V至75V
“双
siug式建筑
DO-41
1.0(25.4)
分钟。
.205(5.2)
.166(4.2)
.034(0.9)
.028(0.7)
DIA 。
DIA 。
机械数据
·案例：
模压塑料
·环氧树脂：
UL94V- 0率阻燃
·导语：
MIL -STD- 202E ，方法208保证
·极性：颜色
频带端为负极
·安装
您的位置：
任何
·重量：
0.33克
.107(2.7)
.080(2.0)
1.0(25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电子特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
绝对最大额定值
(T
a
=25°C)
符号
价值
0.5
1)
150
单位
W
°C
齐纳电流见表
“ Characterstics ”
在T功耗
AMB
=25°C
结温
1)
P
合计
T
J
有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
特点在T
AMB
=25°C
符号
分钟。
--
典型值。
--
马克斯。
1.2
单位
V
在我正向电压
F
=250mA
V
F
有效的提供，导致在距离为8mm格式的情况下被保持在环境温度。
１
PDF
文件½用
"pdfFactory Pro"
试用版本创建
www.fineprint.cn
重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
硅平面功率齐纳二极管
齐纳电压范围
TYPE
V
ZNOM
V
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
1)
动态recsistance
r
ZJT3)
mA
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
I
ZM
@ T
A
I
ZT
mA
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
对于V
ZT
V
2)
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
反向
泄漏
当前
I
R2)
在V
R
A
50
10
4
2
2
2
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
马克斯。齐纳
当前
I
ZM
@ T
A
4)
mA
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7
6.4
5.9
5.3
Ω
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
mA
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
V
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
２
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试用版本创建
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重庆平阳县ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。
1)
2)
测试了脉冲TP = 20毫秒。
指定公差
—
列出的类型号有齐纳电压最小/最大限值，如图所示。设备宽容
±2%
由指示
“B”
代替
“C”.
齐纳电压的测量可以在热平衡的器件结
在30 ℃的焊接温度
±1°C
和3/8 ，引线长度。
3)
ZZT和ZZK是通过将整个装置由所施加的交流电流的交流电压降进行测量。指定
limtis是为IZ （交流） = 0.1 IZ （直流）与交流频率= 1.0千赫。
4)
使用标称电压此数据来计算。在最坏的情况下，依据最大电流处理能力
受限于实际的齐纳电压的工作点和功率降额曲线。
３
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齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
齐纳二极管
BZX55C2V4 - BZX55C91
绝对最大额定值*
符号
P
D
参数
功耗
@ TL
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
减免上述75℃
T
J
, T
英镑
工作和存储温度范围
T
A
= 25 ° C除非另有说明
容差±5 ％
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
价值
500
4.0
-65到+200
*这些额定值的限制值，超过该二极管的适用性可能受到损害。
DO- 35玻璃柜
颜色频带为负极
电气特性
设备
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
分钟。
2.28
2.50
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.5
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
马克斯。
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
T
A
= 25 ° C除非另有说明
Z
Z
@ I
Z
()
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
测试电流
I
Z
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
I
R
（ μA ） @ V
R
TA = 25°C
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TA = 125°C
100
50
40
40
40
40
40
10
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
5
V
R
(V)
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
2
3
5
6
7
7.5
8.5
9
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
电气特性
（续）T = 25° C除非另有说明
A
设备
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
V
Z
（ V） @我
Z
（注1 ）
分钟。
40
44
48
52
58
64
70
77
85
马克斯。
46
50
54
60
66
72
80
87
96
Z
Z
@ I
Z
()
90
110
125
135
150
160
170
200
250
测试电流
I
Z
（MA ）
5
2.5
5
5
5
5
5
5
1
I
R
（ μA ） @ V
R
TA = 25°C
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
TA = 125°C
5
5
10
10
10
10
10
10
10
V
R
(V)
32
35
38
42
47
51
56
62
69
I
ZM
（MA ）
（注2 ）
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.3
V
F
正向电压= 1.3V最大@ I
F
= 100毫安
注意事项：
1.齐纳电压（V
Z
)
齐纳电压的测量可以在引线温度的热平衡的器件结（T
L
）在30C ± 1C和3/8 “引线长度。
2.最大齐纳额定电流（I
ZM
)
在最坏的情况下根据最大电流处理能力是由实际的齐纳电压时的动作点和功耗降低曲线限定。
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
顶标信息
设备
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
1号线
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
标志
2号线
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
55C
LINE 3
2V4
2V7
3V0
3V3
3V6
3V9
4V3
4V7
5V1
5V6
6V2
6V8
7V5
8V2
9V1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
4号线
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
XY
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
齐纳二极管BZX55C2V4 - BZX55C91
顶标信息
（续）
F
1
st
行：F - 仙童标志
2
nd
行：设备名称 - 3
rd
5
th
设备名称的字符。
或4
th
6
th
字符BZXyy系列
3
rd
行：设备名称 - 6
th
7到
th
设备名称的字符。
或额定电压为BZXyy系列
4
th
行：设备代码或 - 两个数字 - 六个星期日期代码。
日期代码或加两位数 - 六个星期日期代码
大型模具标识及大型模具鉴定， “ L”
522
9B
XY
一般要求：
1.0阴极乐队
2.0第一行：F - 仙童标志
3.0第二行：设备名称 - 1Nxx系列： 3
rd
设备名称的第五个字符。
对于BZxx系列： 4
th
6
th
设备名称的字符。
4.0三线：设备名称 - 1Nxx系列： 6
th
7到
th
设备名称的字符。
对于BZXyy系列：额定电压
5.0四线： XY或XYL - 两个数字 - 六个星期日期代码
式中： X表示历年的最后一位数字
Y代表六个星期的数字代码
L代表的大型模具鉴定
6.0设备应标记为需要在设备规范（ PID或FSC测试规格） 。
7.0最大无。标记线： 4
8.0最大无。的每行的数字： 3
9.0 FSC标志必须比字母数字标记高20％，并且应该占据指定的行的2个字符。
10.0标识字体：宋体（除FSC标志）
11.0一是每个标记行的字符必须垂直对齐
2004仙童半导体公司
BZX55C2V4 - BZX55C91修订版B1
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
FACT静音系列
ActiveArray
快
深不见底
FASTr
CoolFET
FPS
CROSSVOLT
FRFET
DOME
GlobalOptoisolator
EcoSPARK GTO
E
2
CMOS
HiSeC
Ensigna
I
2
C
FACT
我罗
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
MICROCOUPLER 的PowerSaver
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I10
数据表
1/2瓦齐纳二极管
（ 2.4V至91V ）
机械尺寸
JEDEC
D0-35玻璃
.120
.200
1.00分钟。
描述
.060
.090
.018
.022
特点
n
宽电压范围
n
符合UL规格94V- 0
最大额定值
功率耗散@ T
L
= 25
o
... P
D
引线长度= 4.0毫米
正向电压@ I
F
= 200毫安... V
F
热阻结到环境...
θJA
工作&储存温度范围牛逼...
J
, T
STRG
BZX55C2V4 。 。 。 91系列
............................................. 500 ...............................................
............................................. 1.2 ...............................................
............................................. 300 ...............................................
........................................ -65 200 ...... ...................................
功率降额曲线
功耗（MW ）
环境温度（
o
C)
页12-5
BZX55C2V4 。 。 。 91系列
单位
mW
V
o
C / W
o
C
数据表
1/2瓦齐纳二极管
（ 2.4V至91V ）
BZX55C2V4 。 。 。 91系列
注意事项：
1.部件号有最大/最小击穿电压为上市。 2 ％的误差是由指定的
一?? B ??代替的?? C 14 。
2. V
Z
设置在引线的温度测量设备中的热平衡
30
o
C + 1
o
C， 3/8 ？从二极管电体。
3.齐纳阻抗是通过将器件两端的交流电压降测量
由交流电流施加。在规定的限度是我
Z
（交流） = 0.1余
Z
（直流）与交流
频率= 1.0kHz 。
电气特性@ 25
O
C.
产品编号
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
最低
V
Z
(V)
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
52.0
58.0
64.0
70.0
77.0
85.0
齐纳电压@
I
ZT
(1)
最大
V
Z
(V)
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.1
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
60.0
66.0
72.0
80.0
87.0
96.0
马克斯。齐纳
阻抗（3）
Z
ZT
@ I
ZT
()
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8.0
7.0
7.0
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
160
170
200
250
TEST
当前
I
ZT
（MA ）
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1.0
T
A
= 25
o
（C T）
A
= 125
o
C
50
10
4.0
2.0
2.0
2.0
1.0
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
100
50
40
40
40
40
20
10
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
10
10
10
10
马克斯。反向漏
目前@
V
R
,
I
R
(A)
MAX 。 DC ZENER
电流（ 2）
V
R
(V)
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
7.0
7.5
8.5
9.0
10
11
12
14
15
17
18
20
22
24
27
28
32
35
38
42
47
51
56
62
69
I
ZM
（MA ）
155
135
125
115
105
95
90
85
80
70
64
58
53
47
43
40
36
32
29
27
24
21
20
18
16
14
13
12
11
10
9.2
8.5
7.8
7.0
6.4
5.9
5.3
4.8
4.3
第12-6页
直流分量CO 。 ， LTD 。
R
BZX55C2V4
THRU
BZX55C39
整流器SPECIALISTS
技术规格
玻璃硅稳压二极管
特点
*电压范围： 2.4V至39V
*双段塞式建筑
DO - 34 / DO -35
机械数据
*案例：玻璃密封的情况下，
*铅： MIL - STD- 202E ，方法208保证
*极性：颜色频带端为负极
*安装位置：任意
*重量： 0.13克
25.0MIN
0.52
L
2.0MAX
25.0MIN
DO- 34 DO-35
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
o
L:
2.9
最大
4.2
最大
单位：毫米
符号
齐纳电流见表"Characterisitics"
o
在环境温度Tamb功耗= 25℃
价值
500
(1)
175
-55 + 175
单位
P合计
Tj
TSTG
mW
o
o
结温
存储温度范围
C
C
K /毫瓦
热阻
结到环境空气
RthA
-
-
0.3
(1)
典型值。
分钟。
马克斯。
伏
正向电压
在IF = 100毫安
V
F
-
-
1
典型值。
分钟。
马克斯。
1 ）有效但引线被保持在环境温度为8毫米的情况下的距离。
注： 1，标准齐纳电压容差± 5 ％
2.Suffix "M"代表"DO - 34"包（如： BZX55C2V4M ， BZX55C39M ） 。
158
NEXT
后
NEXT
出口
后
BZX55C2V4 BZX55C200
V
Z
： 2.4 - 200伏
P
D
： 500毫瓦
硅稳压二极管
DO - 35
1.00 (25.4)
分钟。
0.079 （2.0）最大。
产品特点：
*
*
*
*
*
完整的2.4至200伏
高浪涌电流能力
高反向峰值功耗
高可靠性
低漏电流
0.150 (3.8)
马克斯。
0.020 （0.52）最大。
1.00 (25.4)
分钟。
尺寸以英寸（毫米）
机械数据
*案例：模压玻璃
*铅：轴向引线每MIL -STD- 202焊接的，
方法208保证
*极性：颜色频带端为负极。当齐纳二极管模式中操作，
阴极将是积极的方面阳极
*安装位置：任意
*重量： 0.13克
最大额定值
等级25
°
除非另有说明C的环境温度
等级
功耗（注）
最大正向电压在我
F
-100毫安
最大热阻结到环境空气（注1）
结温范围
存储温度范围
符号
P
D
V
F
R
θ
JA
T
j
T
s
价值
500
1.0
0.3
- 55 + 175
- 55 + 175
单位
mW
V
K /毫瓦
°
C
°
C
记
1.有效的规定，引线被保持在环境温度下，以从壳体8毫米的距离。
更新： 2002年1月18日
电气特性
TYPE
数
BZX55C2V4
BZX55C2V7
BZX55C3V0
BZX55C3V3
BZX55C3V6
BZX55C3V9
BZX55C4V3
BZX55C4V7
BZX55C5V1
BZX55C5V6
BZX55C6V2
BZX55C6V8
BZX55C7V5
BZX55C8V2
BZX55C9V1
BZX55C10
BZX55C11
BZX55C12
BZX55C13
BZX55C15
BZX55C16
BZX55C18
BZX55C20
BZX55C22
BZX55C24
BZX55C27
BZX55C30
BZX55C33
BZX55C36
BZX55C39
BZX55C43
BZX55C47
BZX55C51
BZX55C56
BZX55C62
BZX55C68
BZX55C75
BZX55C82
BZX55C91
BZX55C100
BZX55C110
BZX55C120
BZX55C130
BZX55C150
BZX55C160
BZX55C180
BZX55C200
喃
(V)
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
14
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
评级为= 25
°
除非另有说明C的环境温度
齐纳电压
V
Z
@ I
ZT
1)
最大齐纳
阻抗
I
ZT
（MA ）
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
2.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
Z
ZT
@ I
ZT
（欧姆）
85
85
85
85
85
85
75
60
35
25
10
8
7
7
10
15
20
20
26
30
40
50
55
55
80
80
80
80
80
90
90
110
125
135
150
200
250
300
450
450
600
800
950
1250
1400
1700
2000
Z
Zk
@ I
ZK
（欧姆）
600
600
600
600
600
600
600
600
550
450
200
150
50
50
50
70
70
90
110
110
170
170
220
220
220
220
220
220
220
500
500
600
700
700
1000
1000
1000
1500
2000
5000
5000
5500
6000
6500
7000
8500
10000
I
ZK
（MA ）
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.25
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
最大反向
漏电流
I
R
(
A)
50
10
4
2
2
2
1
0.5
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
I
R
在V
R
(
A)
(V)
100
1
50
1
40
1
40
1
40
1
40
1
20
1
10
1
2
1
2
1
2
2
2
3
2
5
2
6.2
2
6.8
2
7.5
2
8.2
2
9.1
2
10
2
11
2
12
2
13
2
15
2
16
2
18
2
20
2
22
2
24
2
27
5
30
5
33
5
36
10
39
10
43
10
47
10
51
10
56
10
62
10
68
10
75
10
82
10
91
10
100
10
110
10
120
10
130
10
150
2)
温度。 COEF网络cient
齐纳电压
TK
VZ
(% / K)
-0.09...-0.06
-0.09...-0.06
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.08...-0.05
-0.06...-0.03
-0.05...+0.02
-0.02...+0.02
-0.05...+0.05
0.03...0.06
0.03...0.07
0.03...0.07
0.03...0.08
0.03...0.09
0.03...0.10
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.03...0.11
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.04...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
0.05...0.12
民
(V)
2.28
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28
31
34
37
40
44
48
52
58
64
70
77
85
94
104
114
124
138
153
168
188
2)
最大
(V)
2.56
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32
35
38
41
46
50
54
60
66
72
79
87
96
106
116
127
141
156
171
191
212
2)
记
1 ）测试与脉冲TP = 20毫秒
2 ）有效但引线被保持在环境温度下，在从壳体的距离为8mm
QQ：2881677436 复制
