飞利浦半导体
初步speci fi cation
四ESD瞬态电压
抑制器
特点
ESD额定值>8千伏，按照IEC1000-4-2
SOT353 （ SC - 88A ）表面贴装封装
共阳极配置
应用
计算机及外设
音频和视频设备
通信系统
医疗设备。
描述
手册， halfpage
BZA800A-series
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
3
2
1
1
c2
b2
3
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT353 （ SC - 88A ）包4位宽的ESD瞬变
抑制。
记号
类型编号
BZA856A
BZA862A
BZA868A
BZA820A
标识代码
Z1
Z2
Z3
Z4
c1/e2
2
4
5
b1
e1
4
顶视图
5
MAM212
Fig.1简化外形SOT353 （ SC- 88A ）
2000年04月18
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
四ESD瞬态电压抑制器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
工作电流
连续正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
耗散
BZA856A ， BZA862A ， BZA868A
BZA820A
TSTG
Tj
笔记
1.直流工作电流限制为P
TOT最大
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
条件
所有的二极管装
储存温度
结温
T
a
= 25
°C
T
a
= 25
°C
T
a
= 25
°C
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒;见图3
参数
条件
BZA800A-series
分钟。
马克斯。
单位
注1
200
3.75
335
mA
mA
A
mW
非重复峰值正向电流吨
p
= 1毫秒;方波脉冲
24
17
+150
150
W
W
°C
°C
65
价值
370
单位
K / W
电气特性
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
V
F
I
R
参数
正向电压
反向电流
BZA856A
BZA862A
BZA868A
BZA820A
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
TYPE
工作电压
V
Z
(V)
在我
Z
= 1毫安
分钟。
BZA856A
BZA862A
BZA868A
BZA820A
5.32
5.89
6.46
19
典型值。
5.6
6.2
6.8
20
马克斯。
5.88
6.51
7.14
21
迪FF erential
阻力
r
DIF
()
在我
Z
= 1毫安
马克斯。
400
300
200
125
TEMP 。 COEFF 。
S
Z
（毫伏/ K）的
在我
Z
= 1毫安
典型值。
0.2
1.8
3
16
二极管CAP 。
C
d
（PF ）
在f = 1兆赫;
V
R
= 0 V
马克斯。
240
200
180
50
非重复性峰值
反向电流
I
ZSM
（ A）在t
p
= 1毫秒;
T
AMB
= 25
°C
马克斯。
3.2
2.9
2.6
0.6
V
R
= 3 V
V
R
= 4 V
V
R
= 4.3 V
V
R
= 15 V
2000
700
200
100
nA
nA
nA
nA
I
F
= 200毫安
条件
马克斯。
1.3
单位
V
2000年04月18
3
飞利浦半导体
初步speci fi cation
四ESD瞬态电压抑制器
BZA800A-series
10
I
ZSM
(A)
BZA856A
BZA862A
BZA868A
100
BZA856A ， BZA862A ， BZA868A
P
ZSM
(W)
BZA820A
BZA820A
1
10
0.1
0.01
0.1
1
t
p
（女士）
10
1
0.01
0.1
1
t
p
（女士）
10
P
ZSM
= V
ZSM
×
I
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
Fig.3
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
200
C
d
（PF ）
160
120
BZA856A
80
BZA862A
BZA868A
40
BZA820A
0
0
5
10
V
R
(V)
15
T
j
= 25
°
℃; F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
2000年04月18
4
飞利浦半导体
初步speci fi cation
四ESD瞬态电压抑制器
BZA800A-series
防静电测试仪
RZ
450欧姆
RG 223 / U
50欧姆同轴电缆
10X
衰减器
注1
数字化
示波器
CZ
50 OHM
IEC 1000-4-2网络
C
Z
= 150 pF的;
Z
= 330
注1：衰减器仅用于开
插座高电压测量
1/4 BZA800A
垂直刻度= 100 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
B ZA 8 20A
V ertica升S凯奥= 10 V /格
orizontal钪ALE = 50纳秒/ D IV
摹ND -4
B ZA 8 68A
摹ND -3
B ZA 8 62A
摹ND -2
B ZA 8 56A
摹ND -1
GND
松开1 kV的ESD电压波形
（ IEC 1000-4-2网络）
夹1千伏ESD电压波形
（ IEC 1000-4-2网络）
GND
GN
垂直刻度= 10 V / D IV
垂直刻度= 10 V / D IV
水平比例尺= 50纳秒/ D IV
水平比例尺= 50纳秒/ D IV
垂直刻度= 100 V /格
水平比例尺= 50 ns /格
松开
1 kV的ESD电压波形
（ IEC 1000-4-2网络）
夹
1 kV的ESD电压波形
（ IEC 1000-4-2网络）
图5的ESD钳位测试设置和波形。
2000年04月18
5
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
特点
ESD额定值>8千伏，按照IEC1000-4-2
SOT353 （ SC - 88A ）表面贴装封装
共阳极配置。
应用
计算机及外设
音频和视频设备
通信系统。
描述
在五带头单片瞬态电压抑制二极管
SOT353 （ SC - 88A ）包4位宽的ESD瞬变
抑制。
记号
1
2
3
5
手册， halfpage
4
BZA800A-series
钉扎
针
1
2
3
4
5
阴极1
共阳极
阴极2
阴极3
阴极4
描述
1
3
2
4
5
类型编号
BZA856A
BZA862A
BZA868A
BZA820A
标识代码
Z1
Z2
Z3
Z4
MGT580
Fig.1简化外形SOT353 （ SC - 88A ） 。
2000年9月25日
2
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
每二极管
I
Z
I
F
I
FSM
P
合计
P
ZSM
工作电流
连续正向电流
总功耗
非重复性峰值反向功率
功耗：
BZA856A ， BZA862A ， BZA868A ，
BZA820A
T
英镑
T
j
记
1.直流工作电流限制为P
托特（最大）
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
所有的二极管装
储存温度
结温
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
T
AMB
= 25
°C
方波脉冲;吨
p
= 1毫秒;见图3
参数
条件
BZA800A-series
分钟。
马克斯。
单位
注1
200
3.75
335
mA
mA
A
mW
非重复峰值正向电流吨
p
= 1毫秒;方波脉冲
24
17
+150
150
W
W
°C
°C
65
价值
370
单位
K / W
2000年9月25日
3
恩智浦半导体
产品数据表
四ESD瞬态电压
抑制器
BZA800A-series
手册， halfpage
10
MGT583
10
2
手册， halfpage
PZSM
(W)
MGT584
BZA856A
我ZSM
(A)
BZA862A
BZA856A ， BZA862A ， BZA868A
BZA820A
BZA868A
1
10
BZA820A
10
1
10
2
10
1
1
吨P（毫秒）
10
1
10
2
10
1
1
吨P（毫秒）
10
P
ZSM
= V
ZSM
×
I
ZSM
.
V
ZSM
是我的非重复性峰值反向电压
ZSM
.
Fig.3
Fig.2
最大非重复性峰值反向
电流的脉冲时间的函数。
最大非重复性峰值反向
功耗为脉冲的函数
持续时间（矩形脉冲） 。
MGT585
MGT586
手册， halfpage
200
Cd
160
手册， halfpage
400
（PF ）
P合计
（ mW）的
300
120
BZA856A
80
BZA862A
BZA868A
100
40
BZA820A
0
0
5
10
15
0
0
50
100
TAMB （
°
C)
150
200
VR （ V）
T
j
= 25
°C;
F = 1兆赫。
Fig.4
二极管电容反向的函数
电压;典型值。
图5功率降额曲线。
2000年9月25日
5
QQ：2881677436 复制
