【小信号晶体管TO- 39案例（续）型号描述VCBO(V)VCEO(V)* VCERVEBO(V)IC】,IC型号BSX63,BSX63 PDF资料,BSX63经销商,ic,电子元器件-51电子网

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

0.50

0.10

0.05

0.01

0.02**

0.10

0.05

0.03**

0.075

500**

0.01

0.10**

10

100

0.03**

0.50

0.10**

0.01

0.07

0.10

30

50

40

100

60

40

30

60

50

100

20

25

30

60

80

40

60

80

60

40

50

60

75

60

80

40

60

80

60

50

30

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（毫安）（V ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

BFX86

BFX87

BFX88

BFX98

BFY50

BFY51

BFY52

BFY55

BFY56A

BFY57

BFY63

BFY64

BFY68A

BSS44

BSS46

BSV12

BSV15

BSV16

BSV17

BSV64

BSW65

BSW66

BSW67

BSW68

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN HIGH CURRENT

NPN高压

45

50

40

150

80

60

40

80

85

125

30

40

60

65

85

80

40

60

90

100

80

100

120

150

80

100

120

70

60

80

100

75

60

民

35

50

40

150

35

30

20

35

55

125

15

40

25

60

80

40

60

80

100

120

150

40

60

80

45

30

45

40

60

80

30

40

25

民

6.0

4.0

6.0

7.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

7.0

5.0

7.0

5.0

民

70

40

15

30

40

60

40

30

20

80

75

40

25

63

40

30

40

30

63

40

100

25

40

最大

300

--

120

150

120

--

250

160

--

250

160

90

250

160

120

300

--

120

150

100

150

30

50

10

2,000

500

100

2,000

100

500

100

500

1,000

150

100

150

10

1.0

10

5.0

10

2.0

1.0

2.0

5.0

1.0

10

1.0

10

最大

1.00

0.40

1.00

1.60

1.6

1.00

1.50

0.30

0.50

1.50

1.00

1.40

0.50

1.00

0.90

1.00

1.30

0.80

0.20

1.00

0.80

500

150

25

1,000

50

150

5.0

100

500

5.0K

1,000

500

1,000

2,000

150

500

150

民

--

100

12

--

60

50

60

--

200

--

80*

--

50

100*

80*

50

250

30

100

--

100*

最大

--

12

60

--

12

25

--

10

--

100

--

30

80

35

25

20

15

10

70

25

--

最大

--

60

150

--

225

--

50

--

65*

--

500

600

最大

--

150

--

800

--

120

--

450*

--

1,200

最大

--

3.5*

--

300* 1,000*

500* 1,000*

--

35

40

50

300

--

60

70

100

1,500

--

BSW68A NPN幅度/ SWITCH

BSX45

BSX46

BSX47

BSX59

BSX60

BSX61

BSX62

BSX63

BSX64

BSX95

BSX96

BSY34

BSY51

NPN幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

NPN HIGH CURRENT

NPN幅度/ SWITCH

66

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

BSX62

BSX63

NPN硅晶体管

中央

TM

半导体公司

描述：

中央半导体BSX62 ，

BSX63类型NPN硅晶体管

设计用于一般用途的应用

在要求较高的集电极电流。

标记：全部型号

TO- 39案例

最大额定值：

(TC=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

PD

TJ ， TSTG

Θ

JC

BSX62

60

40

5.0

3.0

5.0

-65到+200

35

BSX63

80

60

单位

V

A

W

°C

° C / W

电气特性：

（ TC = 25° C除非另有说明）

符号

测试条件

民

ICBO

VCB = 40V （ BSX62 ）

ICBO

VCB = 40V ， TC = 150 ° C（ BSX62 ）

ICBO

VCB = 60V （ BSX63 ）

ICBO

VCB = 60V ， TC = 150 ° C（ BSX63 ）

IEBO

VEB=5.0V

VCE （ SAT ）

IC = 1.0A ， IB =百毫安

VCE （ SAT ）

IC = 2.0A ， IB = 200毫安

VBE （ SAT ）

IC = 1.0A ， IB =百毫安

VBE （ SAT ）

IC = 2.0A ， IB = 200毫安

VBE （ON）的

VCE = 1.0V ， IC =百毫安

VBE （ON）的

VCE = 1.0V ， IC = 1.0A

VBE （ON）的

VCE = 5.0V ， IC = 2.0A

的hFE

VCE = 1.0V ， IC = 1.0A （ BSX62 ， 63-10 ）

63

的hFE

VCE = 1.0V ， IC = 1.0A （ BSX62 ， 63-16 ）

100

COB

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

fT

VCE = 10V ， IC =的200mA， F = 100MHz的

30

吨

IC = 1.0A ， IB1 = IB2 = 50毫安

花花公子

IC = 1.0A ， IB1 = IB2 = 50毫安

典型值

最大

100

0.7

0.8

1.2

1.3

1.0

1.2

1.3

160

250

70

300

单位

nA

μA

nA

μA

nA

V

4.0

pF

兆赫

ns

μs

R0 （2008年2月）

中央

TM

半导体公司

BSX62

BSX63

NPN硅晶体管

TO- 39案例 - 机械外形

前导码：

1 ）发射

2 ）基

3 ）收集器（下）

标记：全部型号

R0 （2008年2月）

BSX63

尺寸以毫米（英寸）。

8.51 (0.34)

9.40 (0.37)

7.75 (0.305)

8.51 (0.335)

在一个双极NPN器件

密封TO39

金属包装。

双极NPN装置。

6.10 (0.240)

6.60 (0.260)

12.70

(0.500)

分钟。

0.89

马克斯。

(0.035)

0.41 (0.016)

0.53 (0.021)

DIA 。

V

首席执行官

= 60V

5.08 (0.200)

典型值。

I

C

= 3A

2.54

(0.100)

2

1

0.74 (0.029)

1.14 (0.045)

0.71 (0.028)

0.86 (0.034)

3

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

45°

TO39 （ TO205AD ）

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

3

单位

V

A

-

Hz

@ 1/1 (V

CE

/ I

C

)

63

30M

160

5

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

1-Aug-02

小信号晶体管

TO- 39案例（续）

型号

描述

VCBO

(V)

VCEO

(V)

* VCER

VEBO

(V)

ICBO @

(A)

* ICEO

** ICES

*** ICEV

**** ICER

0.50

0.10

0.05

0.01

0.02**

0.10

0.05

0.03**

0.075

500**

0.01

0.10**

10

100

0.03**

0.50

0.10**

0.01

0.07

0.10

30

50

40

100

60

40

30

60

50

100

20

25

30

60

80

40

60

80

60

40

50

60

75

60

80

40

60

80

60

50

30

VCB

(V)

的hFE

@ IC @ VCE VCE （ SAT ） @ IC的fT

（毫安）（V ）

(V)

（毫安）（兆赫）

* TYP

COB

（PF ）

* TYP

吨

（纳秒）

* TYP

花花公子

（纳秒）

* TYP

NF

（ dB）的

* TYP

民

BFX86

BFX87

BFX88

BFX98

BFY50

BFY51

BFY52

BFY55

BFY56A

BFY57

BFY63

BFY64

BFY68A

BSS44

BSS46

BSV12

BSV15

BSV16

BSV17

BSV64

BSW65

BSW66

BSW67

BSW68

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN幅度/ SWITCH

PNP幅度/ SWITCH

NPN HIGH CURRENT

NPN高压

45

50

40

150

80

60

40

80

85

125

30

40

60

65

85

80

40

60

90

100

80

100

120

150

80

100

120

70

60

80

100

75

60

民

35

50

40

150

35

30

20

35

55

125

15

40

25

60

80

40

60

80

100

120

150

40

60

80

45

30

45

40

60

80

30

40

25

民

6.0

4.0

6.0

7.0

5.0

4.0

5.0

6.0

5.0

6.0

7.0

5.0

7.0

5.0

民

70

40

15

30

40

60

40

30

20

80

75

40

25

63

40

30

40

30

63

40

100

25

40

最大

300

--

120

150

120

--

250

160

--

250

160

90

250

160

120

300

--

120

150

100

150

30

50

10

2,000

500

100

2,000

100

500

100

500

1,000

150

100

150

10

1.0

10

5.0

10

2.0

1.0

2.0

5.0

1.0

10

1.0

10

最大

1.00

0.40

1.00

1.60

1.6

1.00

1.50

0.30

0.50

1.50

1.00

1.40

0.50

1.00

0.90

1.00

1.30

0.80

0.20

1.00

0.80

500

150

25

1,000

50

150

5.0

100

500

5.0K

1,000

500

1,000

2,000

150

500

150

民

--

100

12

--

60

50

60

--

200

--

80*

--

50

100*

80*

50

250

30

100

--

100*

最大

--

12

60

--

12

25

--

10

--

100

--

30

80

35

25

20

15

10

70

25

--

最大

--

60

150

--

225

--

50

--

65*

--

500

600

最大

--

150

--

800

--

120

--

450*

--

1,200

最大

--

3.5*

--

300* 1,000*

500* 1,000*

--

35

40

50

300

--

60

70

100

1,500

--

BSW68A NPN幅度/ SWITCH

BSX45

BSX46

BSX47

BSX59

BSX60

BSX61

BSX62

BSX63

BSX64

BSX95

BSX96

BSY34

BSY51

NPN幅度/ SWITCH

NPN核心驱动力

NPN HIGH CURRENT

NPN幅度/ SWITCH

66

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

分立半导体

数据表

M3D111

BSX62 ; BSX63

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年6月19日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

大电流（最大3 A）

低电压（最大60伏）。

应用

中等功率开关。

描述

NPN开关晶体管在TO -39金属封装。

钉扎

针

1

2

3

辐射源

BASE

BSX62 ; BSX63

描述

集热器，连接到案件

1

手册， halfpage

2

3

MAM317

1

Fig.1简化外形（ TO- 39）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BSX62

BSX63

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BSX62

BSX63

I

C

P

合计

h

FE

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

BSX62-10 ; BSX63-10

BSX62-16 ; BSX63-16

f

T

t

关闭

跃迁频率

打开-O FF时间

I

C

= 200毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 1 ;我

BON

= 50毫安;我

B关

=

50

mA

T

例

≤

25

°C

I

C

= 1 ; V

CE

= 1 V

63

100

30

100

160

70

160

250

1.5

兆赫

s

开基

40

60

3

5

V

A

W

发射极开路

60

80

V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1997年6月19日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BSX62

BSX63

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BSX62

BSX63

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

例

≤

25

°C

集电极开路

开基

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

分钟。

BSX62 ; BSX63

马克斯。

60

80

40

60

5

3

500

5

+150

200

+150

V

A

单位

mA

W

°C

热特性

符号

R

日J-一

R

第j个-C

参数

从结点到环境的热阻

从结热阻到外壳

条件

在自由空气

价值

200

28

单位

K / W

1997年6月19日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特征

T

例

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

BSX62

I

CBO

集电极截止电流

BSX63

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

BSX62-10 ; BSX63-10

BSX62-16 ; BSX63-16

h

FE

直流电流增益

BSX62-10 ; BSX63-10

BSX62-16 ; BSX63-16

h

FE

直流电流增益

BSX62-10 ; BSX63-10

BSX62-16 ; BSX63-16

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

集电极 - 发射极饱和电压I

C

= 1 ;我

B

= 100毫安

I

C

= 2 A;我

B

= 200毫安

基射极饱和电压

基射极电压

I

C

= 1 ;我

B

= 100毫安

I

C

= 2 A;我

B

= 200毫安

I

C

= 100毫安; V

CE

= 1 V

I

C

= 1 ; V

CE

= 1 V

I

C

= 2 A; V

CE

= 5 V

C

c

f

T

t

on

t

关闭

集电极电容

跃迁频率

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 200毫安; V

CE

= 10 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 2 A; V

CE

= 5 V

30

I

C

= 1 ; V

CE

= 1 V

63

V

CB

= 60 V

V

CB

= 60 V ;牛逼

例

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安; V

CE

= 1 V

参数

集电极截止电流

V

CB

= 40 V

V

CB

= 40 V ;牛逼

例

= 150

°C

条件

BSX62 ; BSX63

分钟。

典型值。马克斯。单位

110

180

100

160

70

120

70

100

160

250

700

800

1.2

1.3

1

1.2

1.3

70

mV

V

pF

兆赫

nA

A

nA

A

nA

100

开关时间（10％和90％之间）

开启时间

打开-O FF时间

I

CON

= 1 ;我

BON

= 50毫安;我

B关

=

50

mA

300

1.5

ns

s

1997年6月19日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

包装外形

金属圆柱可以单端封装; 3引线

BSX62 ; BSX63

SOT5/11

j

B

α

飞机座位

w

M

A

M

B

M

1

b

k

2

3

D

1

a

A

D

A

L

0

5

规模

10 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

6.60

6.35

a

5.08

b

D

1

j

k

L

14.2

12.7

w

0.2

α

45

°

0.48 9.39 8.33 0.85 0.95

0.41 9.08 8.18 0.75 0.75

概要

VERSION

SOT5/11

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-39

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-04-11

1997年6月19日

5

NPN BSX62 - BSX63

开关晶体管

C

该BSX62和BSX63是NPN开关晶体管安装在

TO- 39金属封装。

他们的目的是用于中功率开关使用。

高电流和低电压。

符合RoHS指令。

B

E

绝对最大额定值

价值

BSX62

40

60

5

3

500

5

200

-65到+150

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

D

T

J

T

AMB

T

英镑

评级

集电极 - 发射极电压I

B

=0

集电极 - 基极电压

I

E

=0

发射极 - 基极电压

I

C

=0

集电极电流

集电极电流峰值

基峰电流

总功耗

T

AMB

= 25°

结温

工作环境温度

存储温度范围

BSX63

60

80

单位

V

A

mA

W

°C

热特性

符号

R

THJ -A

R

THJ -C

评级

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

价值

200

28

单位

° C / W

开关时间

符号

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

评级

I

CON

= 1 ;我

BON

= 50毫安

I

B关

= -50毫安

价值

300

1.5

单位

ns

s

半导体COMSET

1/3

NPN BSX62 - BSX63

电气特性

TJ = 25 ° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

V

CB

= 40 V，I

E

=0

V

CB

= 60 V，I

E

=0

BSX62

民

-

典型值

-

最大

100

单位

nA

BSX63

-

1

-

63

100

-

30

-

110

180

100

160

70

120

70

-

100

0.7

0.8

1.2

1.3

1

1.2

1.3

-

160

-

250

-

70

兆赫

pF

A

nA

V

I

CBO

收藏家Cuto FF电流

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极饱和

电压

基射极电压

h

FE

直流电流增益

f

T

C

跃迁频率

集电极电容

V

CB

= 40 V，I

E

= 0

BSX62

T

j

= 150°C

V

CB

= 60 V，I

E

=0

BSX63

T

j

= 150°C

V

BE

= 5.0 V，I

C

=0

I

C

= 1 A，I

B

= 100毫安

I

C

= 2 A，I

B

= 200毫安

I

C

= 1 A，I

B

= 100毫安

I

C

= 2 A，I

B

= 200毫安

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1 V

I

C

= 1 A，V

CE

= 1 V

I

C

= 2 A，V

CE

= 5 V

BSX62/10

BSX63/10

I

C

= 100 m

V

CE

= 1 V

BSX62/16

BSX63/16

BSX62/10

BSX63/10

I

C

= 1 A

V

CE

= 1 V

BSX62/16

BSX63/16

BSX62/10

BSX63/10

I

C

= 2 A

V

CE

= 1 V

BSX62/16

BSX63/16

I

C

= 200毫安， V

CE

= 10 V

F = 100MHz的

I

E

= i

e

=0, V

CB

= 10 V

F = 1MHz的

26/09/2012

半导体COMSET

2/3

NPN BSX62 - BSX63

机械数据案例TO- 39

外形尺寸（mm ）

民

最大

9.39

8.50

6.60

0.53

0.88

2.66

5.33

0.86

1.02

-

48°

A

B

C

D

E

F

G

H

J

K

L

8.50

7.74

6.09

0.40

-

2.41

4.82

0.71

0.73

12.70

42°

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

案例：

辐射源

BASE

集热器

修订后的2012年8月

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26/09/2012

半导体COMSET

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