miniPROFET
BSP 452
高边开关
短路保护
输入保护
过温保护与滞后
过载保护
过压保护
开关电感式负载
负输出电压与电感性负载的夹具
欠压关断
最大电流内部限制
静电放电
（ ESD）保护
1
反向电池保护
)
封装形式：SOT 223
TYPE
订购代码
Q67000-S271
SOT-223
1
SOT-223
BSP 452
应用
C
12 V DC接地负载兼容的电源开关
各类阻性，感性和容性负载
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入，单片
集成在智能SIPMOS
技术。嵌入式保护功能全面保护。
Blockdiagramm ：
+ V BB心跳
4
电压
来源
的ESD
二极管
过压
保护
当前
极限
门
保护
V
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
对于限制
松开
IND 。负载
OUT
整流器器
温度
传感器
1
3
R
IN
in
负载
ESD
逻辑
GND
miniPROFET
负载GND
2
信号地
1
)
与电阻RGND = 150
在GND连接，串联电阻与反向连接的负载电流
受限于连接的负载。
数据手册
1
20.08.96
miniPROFET
BSP 452
针
1
2
3
4
符号
OUT
GND
IN
VBB
O
-
I
+
功能
输出到负载
逻辑地
输入时，激活的情况下的逻辑高信号的功率开关
正电源电压
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压
负载电流
自限
最大输入电压
2)
最大输入电流
感性负载关断能量耗散，
单脉冲
I
L
= 0.5A ,
T
A
= 150°C
（未测试，设计规定）
3
负载突降保护
)
V
LoadDump
=U
A
+V
s
R
L
= 24
R
I
=2 ,
t
d
= 400毫秒， IN =低或高，
U
A
=13,5V
R
L
= 80
（未测试，设计规定）
静电放电能力（ ESD ）
5)
3脚
PIN码1,2,4
工作温度范围
存储温度范围
6
马克斯。功率耗散（DC）的
)
热阻
符号
V
bb
I
L
V
IN
I
IN
E
AS
值
40
单位
V
A
V
mA
J
I
L（ SC ）
-5.0...V
bb
±5
0.5
V
负载dump4
)
60
80
±1
±2
-40 ...+150
-55 ...+150
1.8
7
70
V
V
ESD
T
j
T
英镑
P
合计
R
thjs
R
thJA
kV
°C
W
K / W
T
A
= 25 °C
芯片 - 焊接点：
芯片 - 环境：
6)
2
)
3
)
在VIN > Vbb的，输入电流不允许超过
±5
毫安。
电源电压高于V BB心跳（ AZ）需要一个外部电流限制GND引脚，如：用150
电阻在GND连接
电阻器为输入的保护结合起来。
4
)
VLOAD转储是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
5
)
根据MIL -STD 883D ，梭3015.7 HBM
6
)
BSP 452环氧树脂PCB 40毫米×40 x 1.5毫米与6平方厘米铜面积为Vbb的连接
数据手册
2
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miniPROFET
BSP 452
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
VBB
= 13.5V ，除非另有说明
符号
民
值
典型值
单位
最大
操作参数
工作电压
8
)
欠压关断
欠压重启
T
j
=-40...+150°C
T
j
=-40...+150°C
T
j
=-40...+25°C
T
j
=+150°C
充电级泵欠压重启
7
见图7页
欠压滞后
V
BB （下）
=
V
BB （U RST ）
-
V
BB （下）
过压关断
T
j
=-40...+150°C
过电压启动
T
j
=-40...+150°C
过电压滞后
T
j
=-40...+150°C
待机电流（引脚4 ）
V
in
= LOW
T
j
=-40...+150°C
工作电流（引脚2 ）
V
in
= 5 V
漏电流（引脚1 ）
V
in
= LOW
T
j
=-40...+25°C
T
j
=150°C
保护功能
电流限制（引脚4到1 ）
T
j
= 25°C
V
bb
= 20V
T
j
= -40...+150°C
过压保护
伊布= 4毫安牛逼
j
=-40...+150°C
输出钳位（ IND 。负载开关关闭）
at
V
OUT
=V
bb
-V
开（ CL）
I
bb
= 4毫安
热过载跳闸温度
热滞
感性负载关断能耗
9
)
T
开始
= 150℃，单脉冲
I
L
= 0.5 A,
V
bb
= 12 V
（未测试，设计规定）
10
电池反接（引脚4比2 ） ）
（未测试，设计规定）
V
bb的（上）
V
BB （下）
V
BB （U RST ）
V
BB （ UCP ）
V
BB （下）
5.0
3.5
--
--
--
34
33
--
--
--
--
--
--
--
5.6
0.3
--
--
0.7
10
1
2
34
5
6.5
7.0
7
--
42
--
--
25
1.6
5
7
V
V
V
V
V
V
V
V
A
mA
A
V
bb的（过）
V
BB （O RST ）
V
bb的（过）
I
的bb （关闭）
I
GND
I
L（关闭）
I
L（ SC ）
V
BB （ AZ ）
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
E
AS
0.7
0.7
41
41
150
--
--
1.5
--
--
47
--
10
--
2
2.4
--
--
--
--
0.5
A
V
V
°C
K
J
-V
bb
--
--
30
V
8
)
9
)
在电源电压增加至
VBB =
5.6 V （典型值）没有电荷泵，
VOUT
≈
VBB
- 2 V
虽然消磁负载电感，消耗的能量是PROFET
EAS =
∫
VON （CL）的
*
IL （ T）
DT ，约。
2
V
EAS =
1/2 *
L
*
I
L * (
V
开（ CL）的
)
开（ CL） -
VBB
10
)
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流（通过固有漏 - 源极二极管）通常是由有限的
连接负载。
数据手册
4
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BSP 452
马克斯。允许功耗
P合计= F （ TA ， TSP ）
P合计[W]
18
16
14
12
T
SP
10
电流限制特性
白细胞介素（ SC ） = F （冯） ;
（冯见testcircuit ）
白细胞介素（ SC ） [A]
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
150°C
25°C
-40°C
8
0.8
6
0.6
4
T
A
2
0
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
TA ， TSP [° C]
冯· [ V]
通态电阻（VBB引脚到OUT引脚）
RON = F（ TJ） ;
VBB = 13.5 V ; IL = 0.5 A
RON [ Ω ]
0.4
0.35
0.3
典型值。输入电流
IIN = F （ VIN ） ;
VBB = 13.5 V
IIN [ μA ]
50
-40°C
45
40
35
+ 25°C
0.25
0.2
0.15
0.1
98%
30
25
20
15
10
+150°C
0.05
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
TJ [° C]
输入电压[V]的
数据手册
5
20.08.96
QQ：2880707522 复制
