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INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUT56 BUT56A

描述

·带

TO- 220封装

高

电压;高速

高

功耗

应用

切换

模式电源

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

参数

BUT56

V

CBO

集电极 - 基极电压

BUT56A

BUT56

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BUT56A

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

450

6

8

10

4

100

150

-65~150

V

A

A

A

W

℃

℃

发射极开路

1000

400

V

条件

价值

800

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到安装情况

最大

1.25

单位

K / W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

BUT56

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BUT56A

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

BUT56

I

CES

集热器

截止电流

BUT56A

h

FE-1

直流电流增益

BUT56

h

FE-2

直流电流增益

BUT56A

f

T

跃迁频率

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

V

CE

=800V; V

BE

=0

T

j

=150℃

V

CE

=1000V; V

BE

=0

T

j

=150℃

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

I

C

= 100毫安; l

C

=125mH

条件

BUT56 BUT56A

民

400

典型值。

最大

单位

V

450

6

5.0

2.0

1.0

2.0

mA

1.0

2.0

15

5.5

4

10

兆赫

45

V

V

V

开关时间

t

关闭

t

f

打开-O FF时间

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=1.25A

t

p

=20μs

下降时间

1

4

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUT56 BUT56A

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUT56 BUT56A

描述

·采用TO- 220封装

·高电压，高转速

·高功耗

应用

·交换式电源供应器

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25 ）

符号

V

CBO

参数

BUT56

集电极 - 基极电压

BUT56A

BUT56

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

BUT56A

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

450

6

8

10

4

100

150

-65~150

V

A

A

A

W

发射极开路

1000

400

V

条件

价值

800

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到安装情况

最大

1.25

单位

K / W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

BUT56

I

C

= 100毫安; l

C

=125mH

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E

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B

=0.8A

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

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=0

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j

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T

j

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I

C

= 1A ; V

CE

=5V

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FE-2

直流电流增益

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T

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I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

条件

BUT56 BUT56A

符号

民

400

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

450

6

5.0

2.0

1.0

2.0

1.0

2.0

15

5.5

4

10

兆赫

45

V

V

V

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

BUT56

BUT56A

I

CES

集热器

截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

开关时间

t

关闭

t

f

打开-O FF时间

下降时间

4

1

s

s

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=1.25A

t

p

=20s

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUT56 BUT56A

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUT56 BUT56A

描述

·带

TO- 220封装

高

电压;高速

高

功耗

应用

切换

模式电源

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

固电

IN

集电极 - 基极电压

导½

半

参数

条件

BUT56

发射极开路

BUT56A

BUT56

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

昂

CH

BUT56A

SEM

E

开基

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ON

IC

OR

DUT

价值

800

1000

400

450

6

8

10

4

单位

V

V

V

A

A

A

W

℃

℃

集电极电流峰值

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

100

150

-65~150

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到安装情况

最大

1.25

单位

K / W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

BUT56

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

BUT56A

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

BUT56

I

CES

集热器

截止电流

BUT56A

h

FE-1

直流电流增益

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

V

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=0

T

j

=150℃

V

CE

=1000V; V

BE

=0

T

j

=150℃

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C

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C

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BUT56 BUT56A

民

400

典型值。

最大

单位

V

450

6

5.0

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1.0

2.0

mA

1.0

2.0

15

5.5

4

45

V

V

V

h

FE-2

固电

IN

直流电流增益

导½

半

BUT56

f

T

跃迁频率

开关时间

t

关闭

t

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SEM

GE

AN

CH

BUT56A

I

C

= 0.5A ; V

CE

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10

兆赫

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C

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B1

=-I

B2

=1.25A

t

p

=20μs

下降时间

4

1

μs

μs

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUT56 BUT56A

固电

IN

导½

半

ES

昂

CH

ON

MIC

E

OR

DUT

图2外形尺寸（ unindicated公差： ± 0.10mm）的

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUT56 BUT56A

描述

·采用TO- 220封装

·高电压，高转速

·高功耗

应用

·交换式电源供应器

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

绝对最大额定值（Ta = 25 ）

符号

V

CBO

参数

BUT56

集电极 - 基极电压

BUT56A

BUT56

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

集电极 - 发射极电压

BUT56A

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流峰值

基极电流峰值

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

450

6

8

10

4

100

150

-65~150

V

A

A

A

W

发射极开路

1000

400

V

条件

价值

800

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到安装情况

最大

1.25

单位

K / W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

BUT56

I

C

= 100毫安; l

C

=125mH

BUT56A

I

E

= 1毫安，我

C

=0

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

I

C

= 4A ，我

B

=0.8A

V

CE

=800V; V

BE

=0

T

j

=150

V

CE

=1000V; V

BE

=0

T

j

=150

I

C

= 1A ; V

CE

=5V

BUT56

h

FE-2

直流电流增益

BUT56A

f

T

跃迁频率

I

C

= 3A ; V

CE

=2V

I

C

= 0.5A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

I

C

= 4A ; V

CE

=5V

条件

BUT56 BUT56A

符号

民

400

典型值。

最大

单位

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

V

450

6

5.0

2.0

1.0

2.0

1.0

2.0

15

5.5

4

10

兆赫

45

V

V

V

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

BUT56

BUT56A

I

CES

集热器

截止电流

mA

h

FE-1

直流电流增益

开关时间

t

关闭

t

f

打开-O FF时间

下降时间

4

1

s

s

I

C

= 4A ，我

B1

=-I

B2

=1.25A

t

p

=20s

2

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NXP/恩智浦

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全新原装现货，原厂代理。

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