PROFET BTS611L1
双通道海赛德智能电源开关
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护（包括负载突降）
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
特点
产品概述
过压保护
工作电压
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
43
5.0 ... 34
两
V
V
渠道：
导通状态电阻
R
ON
负载电流（ ISO ）
I
L（ ISO）的
电流限制
I
L（血肌酐）
每
并行
200
100 m
2.3
4.4
A
4
4
A
TO-220AB/7
应用
7
1
7
C
诊断与兼容的电源开关
1
反馈12 V和24 V DC接地负载
标准
各类阻性，感性的和capacitve
负载
替代机电继电器，熔断器和分立电路
7
直脚
SMD
1
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，单片集成在智能SIPMOS技术。提供嵌入式保护功能。
电压
来源
V
逻辑
过压
保护
当前
限制1
门1
保护
+ V BB
4
电压
传感器
电平转换器
整流器1
收费
泵1
收费
泵2
对于限制
松开
IND 。负载1
负载开路
短到VBB
检测1
当前
限2
门2
保护
OUT1
3
6
5
IN1
IN2
温度
传感器1
1
ESD
ST
逻辑
电平转换器
整流器2
对于限制
松开
IND 。负载2
负载开路
短到VBB
2检测
OUT2
温度
传感器2
R
O1
GND
R
O2
7
负载
PROFET
2
GND
信号地
负载GND
1
)
与外部电流限制（例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接，电阻器串联ST
连接，反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1 15
2003-Oct-01
PROFET BTS611L1
针
1
2
3
4
5
6
7
符号
OUT1 （负载， L）
GND
IN1
VBB
ST
IN2
OUT2 （负载， L）
功能
输出1 ，被保护的高侧功率输出信道1的
逻辑地
输入端1 ，将激活的情况下的逻辑高信号的信道1
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈：开漏输出，低故障
输入2 ，激活的情况下的逻辑高信号的信道2
输出2 ，受保护的高侧功率输出信道2的
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页4 ）
电源电压为充分短路保护
T
开始
=-40 ...+150°C
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 2
,
R
L
= 5.3
,
t
d
= 200毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第5页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
感性负载关断能耗，单脉冲
V
bb
= 12V,
T
，开始
= 150°C,
T
C
= 150 ℃的常量。
一个信道，
I
L
= 2.3 A，Z
L
= 89 mH为0
:
两个平行的渠道，
I
L
= 4.4 A，Z
L
= 47 mH为0
:
请参阅第9页上的图
符号
V
bb
V
bb
V
负载dump4
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
值
43
34
60
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
36
290
580
1.0
2.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
单位
V
V
V
A
°C
W
mJ
静电放电能力（ ESD ）
（人体模型）
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第7页
IN：
V
ESD
所有其它引脚：
V
IN
I
IN
I
ST
kV
V
mA
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
2
)
3)
4)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚，如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
半导体集团
2
2003-Oct-01
PROFET BTS611L1
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
值
典型值
最大
--
3.5
--
7.0
--
75
37
单位
K / W
芯片 - 的情况下，两个通道：
R
thJC
每个通道：
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
5)
:
电气特性
参数和条件，
每个通道
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻（引脚4比1或7 ）
I
L
= 1.8 A
T
j
=25 °C:
R
ON
--
1.8
3.5
--
160
320
2.3
4.4
--
200
400
--
--
10
A
mA
s
m
每个通道
T
j
=150 °C:
额定负载电流， ISO标准（引脚4比1或7 ）
V
ON
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
每个通道：
I
L（ ISO）的
两个平行的渠道：
输出电流（引脚
1
或7 ），而GND断开
或GND拉升，
V
bb
=30 V,
V
IN
= 0时，看到图
第8页
开启时间
IN
到90％
V
OUT
:
打开-O FF时间
IN
至10％
V
OUT
:
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
压摆率关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
I
L（ GNDhigh ）
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
80
80
0.1
0.1
200
200
--
--
400
400
1
1
V / μs的
V / μs的
5
)
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
3
2003-Oct-01
PROFET BTS611L1
参数和条件，
每个通道
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
9)
初步峰值短路电流限制（引脚4到1
或7）
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
T
j
=
T
jt
（见时序图，第11页）
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安：
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚4比2 ）
10
)
反向电池电压下降
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= -1.8 A，每个通道
T
j
=150 °C:
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
I
L（ SCP ）
5.5
4.5
2.5
I
L（血肌酐）
--
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
41
150
--
--
--
4
47
--
10
--
610
--
53
--
--
32
--
A
V
°C
K
V
mV
9.5
7.5
4.5
13
11
7
A
T
j
=-40 °C
:
I
L（ OL ）
T
j
=25 ..150°C:
10
10
2
--
--
3
200
150
4
mA
V
负载开路检测电压
11
） （关条件）
V
OUT （ OL ）
T
j
=-40..150°C:
内部输出上拉下来
（引脚1
or
7到2） ，
V
OUT
=5 V,
T
j
=-40..150°C
R
O
4
10
30
k
9
)
集成的保护功能被设计为防止在所描述的故障条件下的IC破坏
数据表。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。保护功能不
设计用于连续重复操作。
10
）需要150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第8页） 。
11)
所需的负载开路检测关断状态外部上拉电阻。
半导体集团
5
2003-Oct-01
PROFET BTS 611 L1
双通道海赛德智能电源开关
特点
过载保护
电流限制
短路保护
热关断
过电压保护（包括负载突降）
感性负载的快速退磁
反向电池保护
1)
与欠压和过压关断
自动重启动和滞后
开漏输出诊断
开路负载检测在ON状态
CMOS兼容输入
地面和损失的损失
V
bb
保护
静电放电
（ ESD）保护
产品概述
过压保护
工作电压
V
BB （ AZ ）
V
bb的（上）
43
5.0 ... 34
两
V
V
渠道：
导通状态电阻
R
ON
负载电流（ ISO ）
I
L（ ISO）的
电流限制
I
L（血肌酐）
每
并行
200
100 m
2.3
4.4
A
4
4
A
TO-220AB/7
应用
7
1
1
7
7
C
诊断与兼容的电源开关
标准
反馈12 V和24 V DC接地负载
各类阻性，感性的和capacitve
负载
替代机电继电器，熔断器和分立电路
直脚
SMD
1
概述
N沟道垂直功率FET与电荷泵，接地参考CMOS兼容输入和诊断
反馈，单片集成在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式的保护完全保护
功能。
电压
来源
过压
保护
当前
限制1
门1
保护
+ V BB
4
V
逻辑
电压
传感器
电平转换器
整流器1
收费
泵1
收费
泵2
对于限制
松开
IND 。负载1
负载开路
短到VBB
检测1
当前
限2
门2
保护
OUT1
3
6
5
温度
传感器1
1
IN1
IN2
ESD
ST
逻辑
电平转换器
整流器2
对于限制
松开
IND 。负载2
负载开路
短到VBB
2检测
OUT2
温度
传感器2
R
O1
GND
R
O2
7
负载
PROFET
2
GND
信号地
负载GND
1
)
与外部电流限制（例如电阻R
GND
=150
)
在GND连接，电阻器串联ST
连接，反向负载电流受限于连接的负载。
半导体集团
1
12.96
BTS 611 L1
针
1
2
3
4
5
6
7
符号
OUT1 （负载， L）
GND
IN1
VBB
ST
IN2
OUT2 （负载， L）
功能
输出1 ，被保护的高侧功率输出信道1的
逻辑地
输入端1 ，将激活的情况下的逻辑高信号的信道1
正电源电压，
标签短路到该引脚
诊断反馈：开漏输出，低故障
输入2 ，激活的情况下的逻辑高信号的信道2
输出2 ，受保护的高侧功率输出信道2的
最大额定值
at
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
参数
电源电压（过电压保护页4 ）
电源电压为充分短路保护
T
开始
=-40 ...+150°C
负载突降保护
2
)
V
LoadDump
=
U
A
+
V
s
,
U
A
= 13.5 V
R
I
3
)
= 2
,
R
L
= 5.3
,
t
d
= 200毫秒， IN =低或高
负载电流（短路电流，见第5页）
工作温度范围
存储温度范围
功耗（ DC ） ，T
C
≤
25 °C
感性负载关断能耗，单脉冲
V
bb
= 12V,
T
，开始
= 150°C,
T
C
= 150 ℃的常量。
一个信道，
I
L
= 2.3 A，Z
L
= 89 mH为0
:
两个平行的渠道，
I
L
= 4.4 A，Z
L
= 47 mH为0
:
请参阅第9页上的图
符号
V
bb
V
bb
值
43
34
60
自限
-40 ...+150
-55 ...+150
36
290
580
1.0
2.0
-10 ... +16
±2.0
±5.0
单位
V
V
V
A
°C
W
mJ
V
负载dump4
)
I
L
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
静电放电能力（ ESD ）
（人体模型）
输入电压（直流）
电流通过输入端子（DC）的
电流通过状态引脚（ DC）
看到内部电路图第7页
IN：
V
ESD
所有其它引脚：
kV
V
mA
ACC 。 MIL- STD883D ，方法3015.7和ESD ASSN 。性病。 S5.1-1993
V
IN
I
IN
I
ST
2
)
3)
4)
电源电压高于V高
BB （ AZ ）
需要一个外部电流限制为GND和状态引脚，如有
150
电阻在GND连接和15 kΩ电阻串联在状态引脚。电阻为
保护输入的集成。
R
I
=甩负荷试验脉冲发生器的内部电阻
V
负载突降
是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
半导体集团
2
BTS 611 L1
热特性
参数和条件
热阻
符号
民
--
--
--
芯片 - 的情况下，两个通道：
R
thJC
每个通道：
结 - 环境（自由空气） ：
R
thJA
SMD版本， PCB上的元件
5)
:
值
典型值
最大
--
3.5
--
7.0
--
75
37
单位
K / W
电气特性
参数和条件，
每个通道
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
负载切换功能和特点
通态电阻（引脚4比1或7 ）
I
L
= 1.8 A
T
j
=25 °C:
R
ON
T
j
=150 °C:
每个通道
额定负载电流， ISO标准（引脚4比1或7 ）
V
ON
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
每个通道：
I
L（ ISO）的
两个平行的渠道：
输出电流（引脚
1
或7 ），而GND断开
或GND拉升，
V
bb
=30 V,
V
IN
= 0时，看到图
第8页
开启时间
IN
到90％
V
OUT
:
打开-O FF时间
IN
至10％
V
OUT
:
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
上压摆率
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
压摆率关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 12
,
T
j
=-40...+150°C
--
1.8
3.5
--
160
320
2.3
4.4
--
200
400
--
--
10
m
A
mA
s
I
L（ GNDhigh ）
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
80
80
0.1
0.1
200
200
--
--
400
400
1
1
V / μs的
V / μs的
5
)
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜面积Vbb的
连接。 PCB是垂直的不吹气。
半导体集团
3
BTS 611 L1
参数和条件，
每个通道
at
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12伏，除非另有说明
符号
值
民
典型值
最大
单位
保护功能
初步峰值短路电流限制（引脚4到1
或7）
T
j
=-40°C:
T
j
=25°C:
T
j
=+150°C:
重复短路停机电流限制
T
j
=
T
jt
（见时序图，第11页）
输出钳位（感性负载开关关闭）
at
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）的
I
L
= 40毫安：
热过载跳闸温度
热滞
电池反接（引脚4比2 ）
9
)
反向电池电压下降
(V
OUT
＆ GT ; V
bb
)
I
L
= -1.8 A，每个通道
T
j
=150 °C:
诊断特性
负载开路检测电流
（视情）
I
L（ SCP ）
5.5
4.5
2.5
9.5
7.5
4.5
4
47
--
10
--
610
13
11
7
--
53
--
--
32
--
A
I
L（血肌酐）
--
A
V
°C
K
V
mV
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
-V
bb
-V
ON （转）
41
150
--
--
--
T
j
=-40 °C
:
I
L（ OL ）
T
j
=25 ..150°C:
10
10
2
--
--
3
200
150
4
mA
V
负载开路检测电压
10
） （关条件）
V
OUT （ OL ）
T
j
=-40..150°C:
内部输出上拉下来
（引脚1
or
7到2） ，
V
OUT
=5 V,
T
j
=-40..150°C
R
O
4
10
30
k
9
)
要求150
电阻接地连接。逆向负载电流通过固有漏 - 源
二极管具有由所连接的负载进行限制。注意，该功耗是高于正常
操作条件下，由于在整个本征漏极 - 源极二极管的电压降。温度
保护不动作电流反向操作过程中！输入和状态电流必须被限制（见
最大。收视率第2页和电路第8页） 。
10)
所需的负载开路检测关断状态外部上拉电阻。
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
