Warning: file_get_contents(https://uploadfile.51dzw.com/pdf_txt_cn/pdf7_html/PHILIPS/BFG93A-X_datasheet_1173920/pg_0002.txt): Failed to open stream: HTTP request failed! HTTP/1.1 404 Not Found in D:\website_51dzw\www.51dzw.com2024\2012\Include\Function.php on line 242
【BFG93A威世德律风根硅NPN平面RF晶体管静电敏感器件。遵守的注意事项来处理。应用RF放大器高达】,IC型号BFG93A,BFG93A PDF资料,BFG93A经销商,ic,电子元器件-51电子网
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BFG93A
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
RF放大器高达GHz的范围内。
特点
D
高功率增益
D
低噪声系数
D
高转换频率
2
1
94 9279
13 579
3
4
BFG93A标记: R8
塑料外壳( SOT 143 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器, 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
12
2
50
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BFG93A
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 30毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
10
m
A
V
( BR ) CEO
12
V
V
CESAT
0.1 0.4
V
h
FE
40 90 150
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
测试条件
V
CE
= 5 V,I
C
= 30 mA时, F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
F = 800 MHz时,我
C
= 5毫安
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
F = 800 MHz时,我
C
= 25毫安
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 25 mA时, F = 800 MHz的
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 25 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 25毫安,
IM
= 60分贝,
f
1
= 806兆赫,女
2
= 810兆赫,
Z
S
= Z
L
= 50
W
V
CE
= 8 V,I
C
= 25 mA时, F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
V
1
= V
2
典型值
6
0.45
0.2
1.25
1.6
2.1
16
9
260
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
mV
功率增益
线性输出电压 - 2
音互调测试
三阶截点
IP
3
31
DBM
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2 (4)
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
BFG93A
威世德律风根
BFG93A的mm尺寸
96 12240
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
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3 (4)
BFG93A
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
数据表
书, halfpage
M3D071
BFG93A ; BFG93A / X
NPN 6 GHz的宽带晶体管
产品speci fi cation
取代1995年的数据09月25日
1998年09月23日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
特点
高功率增益
低噪声系数
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
在UHF宽带应用
和微波范围。
描述
在一个4针,双发射极的NPN晶体管
SOT143B塑料封装。
钉扎
BFG93A
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
顶视图
MSB014
描述
手册, 2列
4
3
1
2
BFG93A/X
1
2
3
4
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT143B 。
记号
类型编号
BFG93A
BFG93A/X
CODE
R8
V15
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
T
s
85
°C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
开基
条件
发射极开路
4.5
分钟。
0.6
6
16
10
1.7
典型值。
马克斯。
15
12
35
300
单位
V
V
mA
mW
pF
GHz的
dB
dB
dB
1998年09月23日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
1. G
UM
是最大单边功率增益,假设S
12
是零和G
UM
分钟。
40
4.5
典型值。
90
0.9
1.9
0.6
6
16
10
1.7
2.3
马克斯。
50
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
单位
nA
参数
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
290
单位
K / W
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
存储温度范围
结工作温度
T
s
85
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
15
12
2
35
300
+150
175
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
S
11 2
) (
1
S
22 2
)
1998年09月23日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
MBG245
400
手册, halfpage
合计
( mW)的
300
P
手册, halfpage
120
MCD087
^ h FE
80
200
40
100
0
0
50
100
150
T (
o
C)
s
200
0
0
10
20
IC (MA )
30
V
CE
= 5 V.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
1.0
手册, halfpage
c重新
(PF )
0.8
MCD088
手册, halfpage
8
MCD089
fT
(千兆赫)
6
0.6
4
0.4
2
0.2
0
0
4
8
12
VCB ( V)
16
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
I
C
= i
c
= 0; F = 1兆赫。
V
CE
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 500兆赫。
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
1998年09月23日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
手册, halfpage
30
MCD090
手册, halfpage
30
MCD091
收益
( dB)的
20
味精
收益
( dB)的
摹UM
20
味精
摹UM
10
10
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
V
CE
= 8 V ; F = 500兆赫。
V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫。
Fig.6
增益集电极电流的功能;
典型值。
Fig.7
增益集电极电流的功能;
典型值。
手册, halfpage
50
MCD092
手册, halfpage
50
MCD093
收益
( dB)的
收益
( dB)的
40
摹UM
40
味精
摹UM
30
味精
30
20
20
g最高
10
g最高
10
0
10
10
2
10
3
f
(兆赫)
10
4
0
10
10
2
10
3
F(兆赫)
10
4
V
CE
= 8 V ;我
C
= 10 mA的电流。
V
CE
= 8 V ;我
C
= 30 mA的电流。
Fig.8
获得作为频率的函数;典型
值。
Fig.9
获得作为频率的函数;典型
值。
1998年09月23日
5
BFG93A ; BFG93A / X
NPN 6 GHz的宽带晶体管
牧师05 - 2007年11月26日
产品数据表
重要通知
尊敬的客户,
从2006年10月1日飞利浦半导体有一个新的商标名称
- 恩智浦半导体,这将在未来的数据表使用与新接触
详细信息。
在数据表在先前飞利浦引用仍然存在,请使用新的链接
如下所示。
http://www.philips.semiconductors.com使用http://www.nxp.com
http://www.semiconductors.philips.com使用http://www.nxp.com (互联网)
sales.addresses@www.semiconductors.philips.com使用salesaddresses@nxp.com
(电子邮件)
在每一页的底部的版权声明(或其他地方的文件,
根据版本)
- 皇家飞利浦电子N.V. (年) 。版权所有 -
被替换为:
- NXP B.V. (年) 。版权所有。 -
如果您有相关的数据资料有任何疑问,请联系我们最近的销售
(通过salesaddresses@nxp.com细节)通过电子邮件或电话连接的CE认证。感谢您
合作与理解,
恩智浦半导体
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
特点
高功率增益
低噪声系数
黄金金属确保
出色的可靠性。
应用
在UHF宽带应用
和微波范围。
描述
在一个4针,双发射极的NPN晶体管
SOT143B塑料封装。
钉扎
BFG93A
1
2
3
4
集热器
BASE
辐射源
辐射源
顶视图
MSB014
描述
手册, 2列
4
3
1
2
BFG93A/X
1
2
3
4
集热器
辐射源
BASE
辐射源
图1 SOT143B 。
记号
类型编号
BFG93A
BFG93A/X
CODE
R8%
MX %
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
C
re
f
T
G
UM
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流( DC )
总功耗
反馈电容
跃迁频率
最大单边
功率增益
T
s
85
°C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
开基
条件
发射极开路
4.5
分钟。
0.6
6
16
10
1.7
典型值。
马克斯。
15
12
35
300
单位
V
V
mA
mW
pF
GHz的
dB
dB
dB
牧师05 - 2007年11月26日
2 13
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
热特性
符号
R
第j个-S
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
参数
收藏家泄漏电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大功率单侧
获得;注1
条件
I
E
= 0; V
CB
= 5 V
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 8 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
F
噪音科幻gure
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 1 GHz的
Γ
s
=
Γ
选择
; I
C
= 5毫安; V
CE
= 8 V;
T
AMB
= 25
°C;
F = 2 GHz的
1. G
UM
是最大单边功率增益,假设S
12
是零和G
UM
分钟。
40
4.5
典型值。
90
0.9
1.9
0.6
6
16
10
1.7
2.3
马克斯。
50
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
dB
单位
nA
参数
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
290
单位
K / W
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
存储温度范围
结工作温度
T
s
85
°C;
注1
开基
集电极开路
条件
发射极开路
65
分钟。
马克斯。
15
12
2
35
300
+150
175
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
S
21 2
=
10日志------------------------------------------------ --------------分贝。
(
1
S
11 2
) (
1
S
22 2
)
牧师05 - 2007年11月26日
3 13
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
MBG245
400
手册, halfpage
合计
( mW)的
300
P
手册, halfpage
120
MCD087
^ h FE
80
200
40
100
0
0
50
100
150
T (
o
C)
s
200
0
0
10
20
IC (MA )
30
V
CE
= 5 V.
Fig.3
图2功率降额曲线。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值。
1.0
手册, halfpage
c重新
(PF )
0.8
MCD088
手册, halfpage
8
MCD089
fT
(千兆赫)
6
0.6
4
0.4
2
0.2
0
0
4
8
12
VCB ( V)
16
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
I
C
= i
c
= 0; F = 1兆赫。
V
CE
= 5 V ;牛逼
AMB
= 25
°C;
F = 500兆赫。
Fig.4
反馈电容的一个函数
集电极 - 基极电压;典型值。
Fig.5
过渡频率的函数
集电极电流;典型值。
牧师05 - 2007年11月26日
4 13
恩智浦
半导体
产品speci fi cation
NPN 6 GHz的宽带晶体管
BFG93A ; BFG93A / X
手册, halfpage
30
MCD090
手册, halfpage
30
MCD091
收益
( dB)的
20
味精
收益
( dB)的
摹UM
20
味精
摹UM
10
10
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
0
0
10
20
30
I C (毫安)
40
V
CE
= 8 V ; F = 500兆赫。
V
CE
= 8 V ; F = 1千兆赫。
Fig.6
增益集电极电流的功能;
典型值。
Fig.7
增益集电极电流的功能;
典型值。
手册, halfpage
50
MCD092
手册, halfpage
50
MCD093
收益
( dB)的
收益
( dB)的
40
摹UM
40
味精
摹UM
30
味精
30
20
20
g最高
10
g最高
10
0
10
10
2
10
3
f
(兆赫)
10
4
0
10
10
2
10
3
F(兆赫)
10
4
V
CE
= 8 V ;我
C
= 10 mA的电流。
V
CE
= 8 V ;我
C
= 30 mA的电流。
Fig.8
获得作为频率的函数;典型
值。
Fig.9
获得作为频率的函数;典型
值。
牧师05 - 2007年11月26日
5 13
不适用于新的设计,这款产品将很快过时
BFG93A
威世半导体
硅NPN平面RF晶体管
特点
高功率增益
低噪声系数
e3
高转换频率
铅(Pb ) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC成分
和WEEE 2002/96 / EC
2
1
3
4
应用
RF放大器高达GHz的范围内。
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
19217
机械数据
案例:
SOT -143塑料外壳
重量:
约。 8.0毫克
标记:
R8
穿针:
1 =收藏家, 2 =基地,
3 =发射器, 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
AMB
60 °C
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
12
2
50
200
150
- 65至+ 150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
最大热阻
参数
交界处的环境
1)
1)
测试条件
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
上玻璃纤维印刷电路板( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
μm
Cu
电气直流特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
V
CESAT
h
FE
40
12
0.1
90
0.4
150
典型值。
最大
100
100
10
单位
μA
nA
μA
V
V
直流正向电流传输比V
CE
= 5 V,I
C
= 30毫安
文档编号85076
修订版1.3 , 08 09月08
www.vishay.com
1
BFG93A
威世半导体
AC电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
测试条件
V
CE
= 5 V,I
C
= 30毫安,
F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
Ω,
F = 800 MHz时,我
C
= 5毫安
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
Ω,
F = 800 MHz时,我
C
= 25毫安
功率增益
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
Ω,
Z
L
= Z
LOPT
,
I
C
= 25 mA时, F = 800 MHz的
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
Ω,
Z
L
= Z
LOPT
,
I
C
= 25 mA时, F = 2 GHz的
线性输出电压 - 双色
互调测试
三阶截点
V
CE
= 8 V,I
C
= 25毫安,
d
IM
= 60分贝,女
1
= 806兆赫,
f
2
= 810兆赫,Z
S
= Z
L
= 50
Ω
V
CE
= 8 V,I
C
= 25毫安,
F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
V
1
= V
2
典型值。
6
0.45
0.2
1.25
1.6
2.1
16
9
260
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
mV
IP
3
31
DBM
包装尺寸(mm)
0.1 [ 0.004 ]最大。
1.1 [0.043]
2.6 [0.102]
2.35 [0.093]
1.8 [0.071]
1.6 [0.063]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.9 [0.035]
0.75 [0.030]
足迹推荐:
3 [0.118]
2.8 [0.110]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.5 [0.020]
0.35 [0.014]
0.15 [0.006]
0.08 [0.003]
1.7 [0.067]
0.9 [0.035] 0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
1.2 [0.047]
1.4 [0.055]
1.2 [0.047]
0.9 [0.035]
0.8 [0.031]
2 [0.079]
2 [0.079]
1.8 [0.071]
0.8 [0.031]
1.9 [0.075]
96 12240
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2
文档编号85076
修订版1.3 , 08 09月08
BFG93A
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
文档编号85076
修订版1.3 , 08 09月08
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3
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
(统称为“Vishay ” ) ,对本文档中的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前,Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的,在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,包括但不限于本文保修
其中,适用于这些产品。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
www.vishay.com
1
BFG93A
威世德律风根
硅NPN平面RF晶体管
静电敏感器件。
遵守的注意事项来处理。
应用
RF放大器高达GHz的范围内。
特点
D
高功率增益
D
低噪声系数
D
高转换频率
2
1
94 9279
13 579
3
4
BFG93A标记: R8
塑料外壳( SOT 143 )
1 =收藏家, 2 =基地3 =发射器, 4 =发射器
绝对最大额定值
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
存储温度范围
测试条件
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
20
12
2
50
200
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
T
AMB
60
°
C
最大热阻
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
测试条件
上玻璃纤维印刷电路板交界处的环境( 25×20× 1.5) mm的
3
镀上35
m
M CU
符号
R
thJA
价值
450
单位
K / W
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
BFG93A
威世德律风根
电气直流特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
集电极截止电流
集电极 - 基极截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 20 V, V
BE
= 0
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
EB
= 2 V,I
C
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
C
= 50 mA时,我
B
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 30毫安
符号最小典型最大单位
I
CES
100
m
A
I
CBO
100 nA的
I
EBO
10
m
A
V
( BR ) CEO
12
V
V
CESAT
0.1 0.4
V
h
FE
40 90 150
AC电气特性
T
AMB
= 25
_
C,除非另有规定编
参数
跃迁频率
集电极 - 基极电容
集电极 - 发射极电容
发射极 - 基极电容
噪声系数
测试条件
V
CE
= 5 V,I
C
= 30 mA时, F = 500 MHz的
V
CB
= 10 V , F = 1兆赫
V
CE
= 10 V , F = 1兆赫
V
EB
= 0.5 V , F = 1兆赫
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
F = 800 MHz时,我
C
= 5毫安
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
F = 800 MHz时,我
C
= 25毫安
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 25 mA时, F = 800 MHz的
V
CE
= 8 V,Z
S
= 50
W
,
Z
L
= Z
LOPT
, I
C
= 25 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 8 V,I
C
= 25毫安,
IM
= 60分贝,
f
1
= 806兆赫,女
2
= 810兆赫,
Z
S
= Z
L
= 50
W
V
CE
= 8 V,I
C
= 25 mA时, F = 800 MHz的
符号
f
T
C
cb
C
ce
C
eb
F
F
G
pe
G
pe
V
1
= V
2
典型值
6
0.45
0.2
1.25
1.6
2.1
16
9
260
最大
单位
GHz的
pF
pF
pF
dB
dB
dB
dB
mV
功率增益
线性输出电压 - 2
音互调测试
三阶截点
IP
3
31
DBM
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FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
BFG93A
威世德律风根
BFG93A的mm尺寸
96 12240
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3 (4)
BFG93A
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和员工的安全和影响公众系统,以及它们的
对环境的影响。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85076
第1版, 11月11日 - 99
RF手册16版
th
应用和设计手册
高性能射频产品
2012年6月
BFG93A
恩智浦可让您释放业绩
新一代射频和微波设计
恩智浦RF手册是市场上最重要的参考工具,为今天的1
RF设计师。它具有我们完整的射频产品系列,从低到高功率信号
空调,通过应用程序和功能组织,并侧重于设计支持。
当涉及到的RF ,在设计师的心目中的第一件事就是为满足
指定的性能。恩智浦带来清晰,你的设计的每一个环节
挑战,让你可以发挥你的RF和微波的性能
设计。恩智浦推出高性能射频技术组合,
让你区分你的产品 - 无论身在何处,在RF领域
你是。这就是为什么客户信任我们与他们的任务关键型设计。
无论是LDMOS和GaN高功率RF应用或Si和
的SiGe :C BiCMOS工艺为您的小信号的需求,我们已经得到了你覆盖。
我们广泛深远的技术组合给你自由
设计与信心。
每年出货超过四十亿的射频产品,恩智浦是一个明确的行业
领先的高性能射频。从卫星接收器,蜂窝基站
电台和广播发射机到ISM (工业,科学,医学)
与航空航天和国防应用中,你会发现高性能
RF产品,这将帮助你在你的产品实现了明显的优势,
你的声誉,与你无关。
所以,如果你正在寻找提高你的RF性能,设计高度
高效的信号链,或者有新的突破与创新的ISM
应用,恩智浦将帮助你释放的表现你
下一代射频和微波设计。
4
恩智浦半导体RF手册16
th
什么是新的?
该RF手册提供了有关射频应用的更新信息
分组如下:无线和宽带通信基础设施,电视
和卫星,便携设备,汽车, ISM ,以及航空航天和国防。
我们详细描述了新的发展,我们的核心技术, QUBiC4
(硅锗碳)和LDMOS 。我们还增加了氮化镓技术,我们的产品
祭。这一关键技术,使高功率放大器提供非常高的
效率在下一代无线通信系统。
新产品包括氮化镓功率放大器中,包覆成型的完整产品线
塑料( OMP ) RF功率晶体管和MMIC产品,我们的第八代
LDMOS晶体管( Gen8 ) 。下一代设备和改进的产品
包括GPS低噪声放大器,中功率放大器,中频增益模块,卫星高频头集成电路
和CATV模块。
我们的产品组合,为无线通信基础设施不断扩大,与
一套完整的放大器(低噪声,可变增益,中等功率和
高功率Doherty放大器) ,混频器, IQ调制和合成,让你
可以构建用于发送阵容了高效的信号链和接收链。
该设计支持部分更新,包括所有可用的工具,
文件,资料和链接,简化设计,在我们的产品中。
我们无情的在我们的射频创新的承诺,并有基础设施和洞察力,以鼓舞信心
在性能关键型应用程序。我们把重点转向复杂的RF问题,所以你可以自由地推
你的应用程序的性能极限,实现您的设计理念,并获得竞争优势的企业。
您正在阅读的是多了指南,它是一个工具,可以让您充分利用自己的射频性能: 16
th
的RF手册。
亲切的问候,
约翰·克罗托
高级副总裁&总经理
业务线的高性能RF
RF手册网页
www.nxp.com/rfmanual
恩智浦半导体RF手册16
th
5
目录
1
1.1
产品应用
1.1.1
1.1.2
1.1.3
9
无线通信基础设施
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
9
基站(所有的蜂窝标准和频率)
______________________________________________________________________________________________________________________________
9
点对点通信
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
12
中继器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
14
1.2
宽带通信基础设施
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.1 CATV光(具有多个外端口光节点)
________________________________________________________________________________________________________________________________
15
1.2.2 CATV电气(线路延伸)
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
16
1.3
电视和卫星
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.1网络接口模块( NIM)的电视接收
___________________________________________________________________________________________________________________________________
17
1.3.2
1.3.3
1.3.4
1.3.5
基本电视调谐器
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
19
卫星室外单元,双低噪声模块( LNB ),与分立元件
______________________________________________________________________________________
20
卫星室外单元,双低噪声模块( LNB ) ,集成混频器/振荡器/下变频器
__________________________________________________
21
卫星多路开关盒 - 4×4 (最高可达16×16) /的DiSEqC / SMATV
________________________________________________________________________________________________________
22
1.4
1.3.6 VSAT
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
23
便携式设备
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
1.4.1
1.4.2
1.4.3
1.4.4
1.4.5
1.4.6
全球定位系统
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
25
FM收音机
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
26
中国移动多媒体广播( CMMB )的UHF频段470 - 862兆赫
_______________________________________________________________________________________
27
蜂窝接收器
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
28
DBDC的802.11n和802.11ac标准的WLAN
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
29
通用射频前端
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
30
SDARS & HD收音机
______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
遥控无钥匙进入系统, RF通用前端的专用天线用于接收和发射
___________________________________________________
32
轮胎压力监测系统
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
33
1.5
汽车
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
31
1.5.1
1.5.2
1.5.3
1.6
1.5.4车载无线接收器( CREST芯片: TEF6860HL , TEF6862HL )
_______________________________________________________________________________________________________________________
34
工业,科学&医疗(ISM )
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.1广播/ ISM
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
35
1.6.2电子计量,通用RF前端与单个天线/ ZigBee的
______________________________________________________________________________________________________________
36
1.6.3射频微波炉上的应用
____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
37
1.6.4射频等离子照明
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
38
1.6.5医学影像
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
39
1.7
航空航天和国防
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
40
1.7.1微波产品L-和S波段雷达和航空电子应用
________________________________________________________________________________________________
40
2
2.1
重点应用,产品&技术
42
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
无线通信基础设施
_____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
42
2.1.1建立与RF元件高效率的信号链传输阵容和接收链
________________________________________________________
42
2.1.2数字宽带VGA具有高线性&柔性电流设置
___________________________________________________________________________________________________
44
2.1.3 Doherty放大器技术,先进设备,最先进的无线基础设施
______________________________________________________________________________________________
46
2.1.4新一代的LDMOS射频功率无线基础设施:恩智浦Gen8
_____________________________________________________________________________
48
宽带通信基础设施
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
49
2.2.1以人为本,保护您的网络:恩智浦CATV C家族为中国广电总局标准
_________________________________________________
49
2.2.2高效的阵容为1 GHz的GaAs模块的可持续CATV网络
___________________________________________________________________________________
52
电视和卫星
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
54
2.3.1与低噪声放大器,以提高调谐器性能的可编程增益&旁路选项
_______________________________________________________________________________
54
2.3.2完整的卫星组合的所有LNB架构
_____________________________________________________________________________________________________________________________
56
2.3.3 VSAT ,通过卫星双向通信
_________________________________________________________________________________________________________________________________________________
58
2.3.4低噪声LO发生器微波毫米波&收音机
___________________________________________________________________________________________________________________
60
便携式设备
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
61
2.4.1 GNSS信号与最小尺寸的最佳接收
______________________________________________________________________________________________________________
61
工业,科学&医疗
___________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
射频功率驱动2.5.1医疗应用
________________________________________________________________________________________________________________________________________________
63
2.5.2 RF驱动的等离子照明
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
64
2.5.3 QUBiC4硅和SiGe :C晶体管的任何RF功能
____________________________________________________________________________________________________________________________
65
2.5.4建立在数十年的创新微波和雷达
___________________________________________________________________________________________________________________
66
在其最好的2.5.5数字广播
_______________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
68
2.5.6设置基准,超低功耗和高性能的无线连接解决方案
______________________________________________________
69
技术
__________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
70
2.6.1第一个主流的半导体公司提供的氮化镓产品
___________________________________________________________________________________________________
70
6
恩智浦半导体RF手册16
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