LAB
机械数据
尺寸（mm）
10.2
1.3
4.5
SEME
BUL52B
先进
分布式基站设计
高压
高速NPN
硅功率晶体管
专为使用
电子镇流器应用
6.3
3.6直径。
15.1
18.0
1 2 3
1.3
14.0
0.85
0.5
SEMEFAB DESIGNED并扩散DIE
高压
快速开关
高能耗等级
军事和HI- REL VERSIONS
可用在金属和陶瓷
表面贴装封装
2.54 2.54
特点
TO220
多基地，高效的能量分布
横跨造成显著芯片
改进的交换和能源评级
跨越整个温度范围内。
离子注入和高精度屏蔽
特点严格控制批与
批次。
三重保护环的改进控制
高电压。
引脚1 - 基地
2脚 - 集电极
3脚 - 发射极
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ PK ）
I
B
P
合计
T
英镑
Semelab PLC 。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
工作和存储温度范围
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
800V
400V
10V
8A
12A
4A
100W
-55到+ 150°C
预赛。 3/95
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
SEME
BUL52B
测试条件
分钟。
400
800
10
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
集电极 - 发射极耐受电压我
C
= 10毫安
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 800V
T
C
= 125°C
I
B
= 0
V
EB
= 9V
I
C
= 0
I
C
= 100毫安
I
C
= 1A
I
C
= 3A
I
C
= 100毫安
T
C
= 125°C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
T
C
= 125°C
I
B
= 20mA下
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.6A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.6A
V
CE
= 4V
F = 1MHz的
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 3A
I
C
= 1A
V
CE
= 400V
V
10
100
100
10
100
A
A
A
20
15
10
5
30
25
15
0.05
0.1
0.15
0.3
0.8
0.9
0.95
20
40
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
1.1
1.2
兆赫
pF
V
V
45
—
h
FE *
直流电流增益
V
CE （SAT） *
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （SAT） *
基地 - 发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
输出电容
I
C
= 2A
I
C
= 3A
f
t
C
ob
I
C
= 0.2A
V
CB
= 20V
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ
＆ LT ; 2 ％
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
LAB
机械数据
尺寸（mm）
10.2
1.3
4.5
SEME
BUL52B
先进
分布式基站设计
高压
高速NPN
硅功率晶体管
专为使用
电子镇流器应用
6.3
3.6直径。
15.1
18.0
1 2 3
1.3
14.0
0.85
0.5
SEMEFAB DESIGNED并扩散DIE
高压
快速开关
高能耗等级
军事和HI- REL VERSIONS
可用在金属和陶瓷
表面贴装封装
2.54 2.54
特点
TO220
多基地，高效的能量分布
横跨造成显著芯片
改进的交换和能源评级
跨越整个温度范围内。
离子注入和高精度屏蔽
特点严格控制批与
批次。
三重保护环的改进控制
高电压。
引脚1 - 基地
2脚 - 集电极
3脚 - 发射极
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（ PK ）
I
B
P
合计
T
英镑
Semelab PLC 。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
连续集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
工作和存储温度范围
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
800V
400V
10V
8A
12A
4A
100W
-55到+ 150°C
预赛。 3/95
LAB
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
SEME
BUL52B
测试条件
分钟。
400
800
10
典型值。
马克斯。
单位
电气特性
集电极 - 发射极耐受电压我
C
= 10毫安
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 1毫安
I
E
= 1毫安
V
CB
= 800V
T
C
= 125°C
I
B
= 0
V
EB
= 9V
I
C
= 0
I
C
= 100毫安
I
C
= 1A
I
C
= 3A
I
C
= 100毫安
T
C
= 125°C
V
CE
= 5V
V
CE
= 5V
V
CE
= 1V
T
C
= 125°C
I
B
= 20mA下
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.6A
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.4A
I
B
= 0.6A
V
CE
= 4V
F = 1MHz的
I
C
= 1A
I
C
= 2A
I
C
= 3A
I
C
= 1A
V
CE
= 400V
V
10
100
100
10
100
A
A
A
20
15
10
5
30
25
15
0.05
0.1
0.15
0.3
0.8
0.9
0.95
20
40
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
1.1
1.2
兆赫
pF
V
V
45
—
h
FE *
直流电流增益
V
CE （SAT） *
集电极 - 发射极饱和电压
V
BE （SAT） *
基地 - 发射极饱和电压
动态特性
跃迁频率
输出电容
I
C
= 2A
I
C
= 3A
f
t
C
ob
I
C
= 0.2A
V
CB
= 20V
*脉冲测试吨
p
= 300s ,
δ
＆ LT ; 2 ％
Semelab PLC 。
电话（ 01455 ） 556565.电传： 341927.传真：（ 01455 ） 552612 。
预赛。 3/95
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