超低功耗CMOS SRAM
256K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV4016
n
特点
宽V
CC
低工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
工作电流： 12毫安（最大） ，在100ns内
1毫安（最大） ，以1MHz
待机电流为0.1uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 3.0V
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.25uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616UV4016是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为262,144和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
为0.1uA的电流为2.0V / 25
O
为100ns ，在C和最大访问时间
85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV4016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV4016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV4016DC
BS616UV4016AC
BS616UV4016EC
BS616UV4016AI
BS616UV4016EI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
4.0uA
2.0uA
2.0mA
15mA
1.0mA
12mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
2.0uA
1.0uA
1.5mA
13mA
0.8mA
10mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP II- 44
BGA-48-0608
TSOP II- 44
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
n
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A5
A6
A7
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BS616UV4016EC
BS616UV4016EI
1024 x 4096
4096
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
16
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV4016
1
修订版1.6
五月。
2006
BS616UV4016
n
引脚说明
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入
功能
这18个地址输入端选择262,144中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV4016
2
修订版1.6
五月。
2006
BS616UV4016
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
O
O
测试条件
分钟。
1.9
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
--
12
15
V
--
mA
--
--
1.0
2.0
mA
--
--
0.1
0.25
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
2.0
4.0
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CC （ MAX 。 ）
为10mA / 13毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为1.0uA / 2.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616UV4016
3
修订版1.6
五月。
2006
BSI
n
特点
超低功耗/高速CMOS SRAM
256K ×16位
BS616UV4016
宽V
CC
工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
(V
CC
_min 。 = 1.65V 25
O
C)
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
C-等级： 10毫安（最大）工作电流
I级： 12毫安（最大）工作电流
0.3uA （典型值） CMOS待机电流
V
CC
= 3.0V
C-等级： 13毫安（最大）工作电流
I级： 15毫安（最大）工作电流
0.45uA （典型值） CMOS待机电流
高速存取时间：
-85
85ns （最大）
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.2V
n
描述
该BS616UV4016是一款高性能，超低功耗的CMOS静态
随机存取存储器由16位组织为262144的单词和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供兼具高
与典型的CMOS待机电流的速度和低功耗的特点，
0.3uA在2.0V / 25
O
85ns的在85℃和最大访问时间
O
C.
容易记忆膨胀是由一个低有效芯片提供使能（CE ）
和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出驱动器。
该BS616UV4016具有自动断电功能，减少了
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV4016可在DICE的形式， JEDEC标准的44针
TSOP II型和48球BGA封装。
n
产品系列
产品
家庭
BS616UV4016DC
BS616UV4016EC
BS616UV4016AC
BS616UV4016DI
BS616UV4016EI
BS616UV4016AI
-40
O
C至+ 85
O
C
1.9V ~ 3.6V
85/100
8.0uA
5.0uA
15mA
12mA
+0
O
C至+70
O
C
1.8V ~ 3.6V
85/100
6.0uA
3.0uA
13mA
10mA
操作
温度
V
CC
范围
速度
（纳秒）
C-级： 1.8 3.6V
I级： 1.9 3.6V
功耗
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=3.0V V
CC
=2.0V V
CC
=3.0V V
CC
=2.0V
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
骰子
TSOP2-44
BGA-48-0608
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
IO0
IO1
IO2
IO3
VCC
GND
IO4
IO5
IO6
IO7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
IO15
IO14
IO13
IO12
GND
VCC
IO11
IO10
IO9
IO8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
n
框图
BS616UV4016EC
BS616UV4016EI
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 4096
2048
IO0
.
.
.
.
.
.
IO15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
1
A
B
C
D
E
F
G
H
UB
IO8
IO9
VSS
VCC
IO14
IO15
NC
2
OE
LB
IO10
IO11
IO12
IO13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
IO1
IO3
IO4
IO5
WE
A11
6
NC
IO0
IO2
VCC
VSS
IO6
IO7
NC
16
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
GND
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV4016
1
修订版1.3
九月
2005
BSI
n
引脚说明
BS616UV4016
功能
这18个地址输入选择在RAM中的262,144个16位字中的一个
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入1
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果任一芯片使能是不活动的，则取消选择器件并处于待机
功率模式。 IO引脚将处于高阻抗状态时，该设备是
取消选择。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在对IO
销;当WE为低电平时，在IO管脚的数据的内容就被写入到所选择的
存储器位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，则数据将存在于IO引脚和它们
将被启用。 IO引脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
IO0 - IO15数据输入/输出
端口
V
CC
GND
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV4016
2
修订版1.3
九月
2005
BSI
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
BS616UV4016
n
工作范围
单位
V
O
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40至+85
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
VCC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
W
MA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在功能操作
或高于任何其他条件，在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
O
O
参数
电源
测试条件
分钟。
1.9
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
-0.3
(2)
1.4
2.0
--
--
V
输入高电压
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
V
I / O
= 0V至V
CC
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
输出高电压
操作
当前
动力
供应
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V,
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
V
CC
-0.2
2.4
--
--
V
--
--
12
15
V
--
mA
待机电流
–
TTL
--
--
0.3
0.45
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
5.0
8.0
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C.
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： VCC + 1.0V的情况下脉冲宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. I
CCSB1(MAX)
3.0 / 6.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616UV4016
3
修订版1.3
九月
2005
BSI
n
AC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
读周期
JEDEC
PARANETER
参数
名字
名字
描述
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
数据字节的控制访问时间
输出使能到输出有效
片选到输出低Z
数据字节控制到输出低Z
输出使能到输出低Z
芯片选择到输出高Z
数据字节控制到输出高Z
输出使能到输出高Z
从地址变化数据保持
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
（ CE）
（ LB ， UB ）
周期时间： 85ns
(V
CC
=1.9~3.6V)
分钟。典型值。马克斯。
85
--
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
85
85
40
40
--
--
--
35
35
35
--
O
O
BS616UV4016
周期时间： 100ns的
(V
CC
=1.9~3.6V)
分钟。典型值。马克斯。
100
--
--
--
--
15
15
15
--
--
--
15
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
100
100
50
50
--
--
--
40
40
40
--
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
AVAX
t
AVQX
t
ELQV
t
BLQV
t
GLQV
t
ELQX
t
BLQX
t
GLQX
t
EHQZ
t
BHQZ
t
GHQZ
t
AVQX
t
RC
t
AA
t
ACS
t
BA
(1)
t
OE
t
CLZ
t
BE
t
OLZ
t
CHZ
t
BDO
t
OHZ
t
OH
注意：
1. t
BA
是为40ns / 50ns的（ @速度= 85ns / 100ns的）与地址切换;吨
BA
为85ns / 100ns的（ @速度= 85ns / 100ns内）没有地址切换
n
开关波形（读周期）
读周期1
(1,2,4)
t
RC
地址
t
OH
D
OUT
t
AA
t
OH
读周期2
CE
(1,3,4)
t
ACS
t
BA
LB ， UB
t
BE
D
OUT
t
CLZ
(5)
t
CHZ
t
BDO
(5)
R0201-BS616UV4016
5
修订版1.3
九月
2005
超低功耗CMOS SRAM
256K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV4016
特点
宽V
CC
低工作电压：
C-等级： 1.8V 3.6V
I级： 1.9V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
工作电流： 12毫安（最大） ，在100ns内
1毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 1 /为2uA （最大值）的八十五分之七十
V
CC
= 3.0V
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
2毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 2 / 4uA的（最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616UV4016是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为262,144和
经营形成了广泛的1.8V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
的电流的2 / 4uA的在Vcc = 2 / 3V系统在85℃及最大存取时间
100ns.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV4016具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV4016可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV4016DC
BS616UV4016AC
BS616UV4016EC
BS616UV4016AI
BS616UV4016EI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
骰子
2.0uA
1.0uA
1.5mA
13mA
0.8mA
10mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
4.0uA
2.0uA
2.0mA
15mA
1.0mA
12mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
A12
框图
A12
A11
A10
A9
A8
A5
A6
A7
A4
A3
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
BS616UV4016EC
BS616UV4016EI
1024 x 4096
4096
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
256
列解码器
8
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
A13 A14 A15 A16 A17 A0 A1 A2
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留随时修改文档内容，恕不另行通知。
R0201-BS616UV4016
1
调整
1.7
十月
2008
BS616UV4016
引脚说明
名字
A0 - A17地址输入
CE芯片使能输入
功能
这18个地址输入端选择262,144中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV4016
2
调整
1.7
十月
2008
BS616UV4016
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
1.8V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
测试条件
分钟。
1.9
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
V
CC
+0.3
(3)
单位
V
输入低电压
-0.3
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1.4
2.2
--
--
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
(4)
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
0.2
0.4
--
12
15
1.0
2.0
0.5
1.0
2.0
4.0
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
--
V
--
mA
--
--
mA
--
--
0.1
0.25
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
为10mA / 13毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为1.0uA / 2.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
R0201-BS616UV4016
3
调整
1.7
十月
2008
QQ：2881677436 复制
