BFP360W
NPN硅晶体管RF
初步数据
低电压/低电流操作
对于低噪声放大器
对于振荡器高达3.5 GHz和噘> 10 dBm的
低噪声系数为1.0分贝1.8 GHz的
3
4
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA
1
结 - 焊接点
2)
2
1
VPS05605
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BFP360W
最大额定值
参数
记号
引脚配置
FBS
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
包
-
SOT343
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)
T
S
6
15
15
2
35
4
210
150
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
V
mA
mW
°C
95°C
单位
260
K / W
Jun-16-2003
BFP360W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
Transitor芯片的数据：
fF
ps
mA
V
ns
-
-
-
-
度
-
fF
-
-
-
V
fF
-
V
eV
K
1
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到：
HTTP // www.infineon.com / silicondiscretes
4
Jun-16-2003
m
V
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
AF =
0.0689
20
2.4
60
1.4
7.31
400
9.219
1.336
0.864
1.92
0
0
fA
V
-
V
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
KF -
147
77.28
6
0.3
0.1
78.2
1.3
0.115
0
0.486
0
0
0.954
1E-14
-
mA
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
NK =
1
150
1
20
74
0.35
0.5
0.198
473
0.129
0.75
1.11
0.5
-
fA
-
fA
A
BFP360W
NPN硅晶体管RF
初步数据
低电压/低电流操作
对于低噪声放大器
对于振荡器高达3.5 GHz和噘> 10 dBm的
低噪声系数为1.0分贝1.8 GHz的
3
4
结温
环境温度
储存温度
热阻
参数
1
T
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
S
2For计算的
R
请参考应用笔记热阻
thJA
1
结 - 焊接点
2)
2
1
VPS05605
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BFP360W
最大额定值
参数
记号
引脚配置
FBS
1 = E 2 = C 3 = E 4 = B -
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
符号
R
thjs
包
-
SOT343
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
1)
T
S
6
15
15
2
35
4
210
150
-65 ... 150
-65 ... 150
价值
V
mA
mW
°C
95°C
单位
260
K / W
Jun-16-2003
BFP360W
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
Transitor芯片的数据：
fF
ps
mA
V
ns
-
-
-
-
度
-
fF
-
-
-
V
fF
-
V
eV
K
1
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。
包装等效电路：
L
BI
=
L
BO
=
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效高达6GHz
有关示例，并准备使用参数
请联系您当地的英飞凌科技
分销商或销售办事处获得英飞凌
技术的CD - ROM或互联网看到：
HTTP // www.infineon.com / silicondiscretes
4
Jun-16-2003
m
V
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
AF =
0.0689
20
2.4
60
1.4
7.31
400
9.219
1.336
0.864
1.92
0
0
fA
V
-
V
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
KF -
147
77.28
6
0.3
0.1
78.2
1.3
0.115
0
0.486
0
0
0.954
1E-14
-
mA
-
A
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
NK =
1
150
1
20
74
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0.5
0.198
473
0.129
0.75
1.11
0.5
-
fA
-
fA
A
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