BUK7L3R3-34BRC
N沟道TrenchPLUS标准水平FET
牧师02 - 2007年9月26日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
N沟道增强型功率场效应晶体管（ FET）在一个塑料包装
采用恩智浦高性能汽车（ HPA ）的TrenchMOS技术，具有很
低通态电阻，内部栅极电阻，静电放电（ ESD）保护
二极管和钳位二极管，保证防止MOSFET的雪崩。
1.2产品特点
I
内部栅极电阻
I
175
°C
评级
I
Q101标准
I
ESD和过电压保护
1.3应用
I
汽车系统
I
电机，灯具和螺线管
I
通用开关电源
I
12 V负载
1.4快速参考数据
I
E
DS （ AL ）S
≤
1.9 J
I
I
D
≤
75 A
I
R
DSON
= 2.9毫欧（典型值）
I
P
合计
≤
298 W
2.管脚信息
表1中。
针
1
2
3
mb
钉扎
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;连接到漏极（D）的
G
mb
D
简化的轮廓
符号
S
sym094
1 2 3
SOT78C （TO- 220）
恩智浦半导体
BUK7L3R3-34BRC
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3.订购信息
表2中。
订购信息
包
名字
BUK7L3R3-34BRC
TO-220
描述
VERSION
塑料单端封装;散热器安装; 1安装孔; 3导致SOT78C
类型编号
BUK7L3R3-34BRC_2
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
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4.极限值
表3中。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压（直流）
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V ;看
图2
I
DM
P
合计
I
DG （CL）的
I
GS （ CL ）
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
漏极 - 栅极钳位电流
栅极 - 源极钳位电流
储存温度
结温
反向漏电流
峰值反向漏电流
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
重复的漏源雪崩
能源
静电放电电压
所有引脚;人体模型; R = 1.5 kΩ的
C = 100 pF的
C = 250 PF
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
电压被钳位限制。
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
请参考文献9397 750 12572了解更多信息。
最大值没有报价。请参考应用笔记
AN10273
了解更多信息。
一）重复评价德网络中定义
图14 。
b）单脉冲雪崩额定值的限制通过T
J（下最大）
175
°C.
三）重复雪崩额定值受170的平均结温
°C.
[2]
[3][4]
[3]
条件
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
[1]
最大
34
34
±20
218
75
75
872
298
50
10
50
+175
+175
218
75
872
1.9
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
mA
mA
mA
°C
°C
A
A
A
J
R
GS
= 20 k
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
SEE
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
SEE
图1
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
连续
t
p
= 5毫秒;
δ
= 0.01
源极 - 漏极二极管
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
34 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;开始
T
j
= 25
°C
[5]
[2]
[3][4]
-
-
-
-
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）R
V
ESD
-
-
J
-
-
8
8
kV
kV
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120
P
DER
(%)
80
03aa16
250
I
D
(A)
200
003aaa861
150
100
40
(1)
50
0
0
50
100
150
T
mb
(
°
C)
200
0
0
50
100
150
200
T
mb
(°C)
P
合计
P
DER
=
-----------------------
×
100
%
-
P
合计
(
25°C
)
看图1，归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
10
4
I
D
(A)
10
3
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
V
GS
≥
10 V
（ 1 ）上限为75 a由于包
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度
003aaa862
t
p
= 10
s
100
s
(1)
10
2
DC
1毫秒
10毫秒
10
100毫秒
1
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
（ 1 ）上限为75 a由于包
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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