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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第538页 > BP1A4A
数据表
复合晶体管
BP1系列
片上电阻PNP硅外延晶体管
对于中速开关
该BP1系列是N型小信号晶体管，使元件数量，缩小规模的减少
由于片内电阻设置。该晶体管是特别适合在家用电子电器和OA应用
设备，如录像机和电视。
特点
高达0.7 A的电流驱动器可用
片上偏置电阻
驱动器在低功耗
封装图（单位：mm ）
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体
NEC公司出版的设备“ （文档编号C11531E ）
要知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
BP1系列LISTS
制品
BP1A4A
BP1L2Q
BP1A3M
BP1F3P
BP1J3P
BP1L3N
BP1A4M
R
1
(K)
0.47
1.0
2.2
3.3
4.7
10
R
2
(K)
10
4.7
1.0
10
10
10
10
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D11740EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
BP1系列
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家基地volgate
Colletor到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
注1
I
B（ DC ）
P
T
T
j
T
英镑
评级
25
25
10
0.7
1.0
0.02
250
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
注1
PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
BP1A4A
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
CE （ SAT ）
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
I
C
=
0.3
A，I
B
=
6
mA
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
7
10
200
100
50
0.28
0.4
0.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BP1L2Q
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.3
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
150
100
50
350
300
200
0.30
0.4
0.3
V
V
k
R
1
R
2
329
3.29
470
4.7
611
6.11
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
2
数据表D11740EJ2V0DS
BP1系列
BP1A3M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.2
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
0.7
0.7
1.0
1.0
80
100
50
0.3
0.4
0.3
1.3
1.3
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BP1F3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
h
FE2
注2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.2
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
200
100
50
0.4
0.3
1.54
7
2.2
10
2.86
13
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BP1J3P
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.2
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
2.3
7
3.3
10
200
100
50
470
300
200
0.28
0.4
0.3
4.3
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
数据表D11740EJ2V0DS
3
BP1系列
BP1L3N
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
注2
h
FE2
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.2
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
3.29
7
4.7
10
200
100
50
0.45
0.3
6.11
13
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
V
V
k
k
注2
PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
BP1A4M
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
低电平输出电压
低电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
符号
I
CBO
h
FE1
h
FE2
注2
条件
V
CB
=
22
V，I
E
= 0
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
2.0
V，I
C
=
0.7
A
V
IN
=
5.0
V，I
C
=
0.1
A
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
100
A
分钟。
典型值。
马克斯。
100
单位
nA
200
100
50
0.4
0.3
7
7
10
10
13
13
注2
h
FE3
注2
V
OL
注2
V
IL
注2
R
1
R
2
V
V
k
k
注2
PW≤350
S，值班cycle≤2 ％
4
数据表D11740EJ2V0DS
BP1系列
典型特征（T
a
= 25°C)
°
数据表D11740EJ2V0DS
5
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推荐型号
BRS2B16E
BCN102SBI1.2KF7
B43540F2108M060
BUK7L3R3-34BRC
B25JS100D
B82747-F4602-N1
BAT41WFILM
BLP1010
BAT54-02V
BAV74L
B65843-A100-A87
B82498B3181J000
BQ24155RGYT
B72207S0500K101
BLV934
BPI-3C1-18
BS616LV1615FIP55
B37937K9K062
B32561J6333J
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    BP1A4A
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    -
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