BLP1010
PN
结
Si
光电池
描述
工½在½频区域的 Si 光电池，可接收波长处于峰值波长附近的光信号
。
应用
遥控电路
光纤通信
结构
芯片结构：平面PN型结构
电极：顶部铝硅
外½图和尺寸
阳极
P
芯片尺寸：10 mm × 10 mm
芯片厚度：300±25m
阴极
N
纵向结构
N
P
N
N
芯片结构：平面PN型结构
电极：铝硅
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总
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BLP1010
光电特性
(Ta=25°)
参数
符号
测试条件
最小值 典型值 最大值
30
50
单½
nA
V
暗电流
I
D
V
R
= 10V E = 0mW /厘米
2
反向暗电流
反向击穿电压
2
反向
击穿V
BR
I
R
= 100μA ， H = 0mV /厘米
电压
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