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BUK7210-55B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本01 - 2008年12月11日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用恩智浦高性能汽车（ HPA）的TrenchMOS技术。这
产品的设计，并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2特点和优点
185℃额定
Q101标准
标准电平兼容
极低的通态电阻
1.3应用
12 V及24 V负载
汽车系统
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
V
DS
I
D
快速参考
条件
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图1 ;
SEE
图3 ;
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图10 ;
SEE
图9
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
55 V;
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
感性负载
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
55
75
单位
V
A
漏 - 源电压
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
185 °C
漏电流
符号参数
静态特性
R
DSON
漏源
导通状态电阻
-
8.5
10
m
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
漏源
雪崩能量
-
-
173
mJ
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
BUK7210-55B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
mb
管脚信息
符号
G
D
S
D
描述
门
漏
来源
安装底座;连接
漏
2
1
3
简化的轮廓
[1]
mb
图形符号
D
G
mbb076
S
SOT428
（ SC- 63 ; DPAK ）
[1]
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2 。
3.订购信息
表3中。
订购信息
类型编号
包
名字
描述
BUK7210-55B
SC-63;
塑料单端表面安装封装（ DPAK ） ; 3引线（ 1
DPAK
铅裁剪）
VERSION
SOT428
BUK7210-55B_1
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产品数据表
版本01 - 2008年12月11日
2 14
恩智浦半导体
BUK7210-55B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
图3 ;
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图1 ;
SEE
图3 ;
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
T
mb
= 25 °C;
T
mb
= 25 °C;
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
雪崩耐用性
不重复
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
55 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
漏源雪崩牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;非钳位感性负载
能源
[1]
[2]
[3]
电流是由功耗芯片等级的限制。
连续电流通过封装的限制。
电流是由功耗芯片等级的限制。
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
185 °C
R
GS
= 20 kΩ的; 25℃
≤
T
j
≤
185 °C
[1]
民
-
-
-20
-
-
[2]
-
-
-
-55
-55
[2]
[3]
-
-
-
-
最大
55
55
20
89.6
65.5
75
335
167
185
185
75
89.6
335
173
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲
T
mb
= 25°C ;看
图2
源极 - 漏极二极管
BUK7210-55B_1
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3 14
恩智浦半导体
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N沟道的TrenchMOS标准水平FET
100
I
D
(A)
75
003aac284
在75A ，由于封装封顶
120
P
DER
(%)
80
03no96
50
40
25
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
0
0
50
100
150
T
mb
(°C)
200
图1 。
标准化的连续漏极电流为
的安装基座温度功能
图2 。
归一化的总功耗为
的安装基座温度功能
003aac272
10
3
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
2
t
p
= 10
μ
s
100
μ
s
上限为75 a由于包
DC
1毫秒
10毫秒
100毫秒
10
1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图3 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
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5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
条件
民
-
典型值
-
最大
0.95
单位
K / W
自从看到热阻
图4
路口安装
BASE
热阻从安装在一个印刷电路板;垂直
结到环境
在静止空气中;最小的足迹
R
号（j -a）的
-
75
-
K / W
1
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
d = 0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
10
-2
P
003aac273
δ
=
单发
t
p
T
t
p
T
t
10
-3
1e-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图4 。
从结点作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗安装基座
BUK7210-55B_1
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