飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
出色的耐用性
源底消除了直流隔离，减少
共模电感
专为宽带运营（ HF至800兆赫）
内部输入阻尼出色的稳定性比
整个频率范围内。
应用
在通信发射器应用
高频800 MHz的频率范围内。
3
4
MBK777
BLF647
钉扎 - SOT540A
针
1
2
3
4
5
排水1
排水2
门1
门2
源，连接到FL法兰
描述
1
2
5
描述
硅N沟道增强模式横向D- MOS
推挽晶体管中的一个SOT540A包有陶瓷
帽。公共源极连接到所述安装
FL法兰。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的源测试电路。
的模式
手术
CW ， AB类
2-tone,
AB类
f
（兆赫）
600
f
1
= 600; f
2
= 600.1
V
DS
(V)
28
28
P
L
(W)
120
120（ PEP）的
顶视图
Fig.1简化外形。
G
p
（ dB）的
>14.5
>14.5
η
D
(%)
>55
>40
d
im
（ DBC）
≤26
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
T
mb
≤
25
°C
条件
65
分钟。
马克斯。
65
±15
18
290
+150
200
V
V
A
W
°C
°C
单位
2001年11月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
BLF647
应用信息
RF性能在一个共同的源AB类电路。牛逼
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.2 K / W ，除非另有规定ED 。
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
CW ， AB类
2音， AB类
f
（兆赫）
600
f
1
= 600; f
2
= 600.1
800
f
1
= 800; f
2
= 800.1
V
DS
(V)
28
28
32
32
P
L
(W)
120
120（ PEP）的
150
150（ PEP）的
G
p
（ dB）的
>14.5
>14.5
（典型值） 。 12.5
（典型值） 。 13
η
D
(%)
>55
>40
（典型值） 。 60
（典型值） 。 45
d
im
（ DBC）
≤26
典型值。
30
坚固耐用的AB类操作
该BLF647是能够承受的负荷不匹配对应于驻波比= 10 ：通过在所有阶段1
满足下列条件： V
DS
= 28 V ; F = 100MHz的额定负载功率。
该BLF647能够在额定功率条件下承受突然的电源或负载失配误差。
阻抗
（每科）
在f = 600 MHz时， P
L
= 120 W，V
DS
= 28 V和I
DQ
= 1位：Z
in
= 1.0 + j2.0
和Z
L
= 2.7 + j0.7
.
在f = 800 MHz时， P
L
= 150 W，V
DS
= 32 V和I
DQ
= 1位：Z
in
= 1.0 + j3.8
和Z
L
= 1.8 + j0.7
.
2001年11月27日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
在600 MHz的应用
MGW540
BLF647
MGW541
手册， halfpage
20
80
Gp
手册， halfpage
0
Gp
（ dB）的
15
η
D
(%)
60
暗淡
（ DBC）
20
d3
η
D
10
40
40
d5
5
20
60
0
0
50
100
150
PL （ PEP ） （ W）
0
200
80
0
50
100
150
PL （ PEP ） （ W）
200
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 A.
2音：F
1
= 600兆赫（ -6分贝） ; F
2
= 600.1兆赫（ -6分贝）
在600 MHz的测试电路进行测量。
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 A.
2音：F
1
= 600兆赫（ -6分贝） ; F
2
= 600.1兆赫（ -6分贝）
在600 MHz的测试电路进行测量。
Fig.3
功率增益和漏极效率为功能
峰值包络功率负荷;典型
值。
Fig.4
互调失真的函数
峰值包络输出功率;典型值。
MGW542
手册， halfpage
20
80
Gp
Gp
（ dB）的
15
η
D
(%)
60
η
D
10
40
5
20
0
0
50
100
150
PL （W）的
0
200
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 ; CW ， AB类; F = 600 MHz的;
在600 MHz的测试电路进行测量。
Fig.5
功率增益和漏极效率为功能
负载功率;典型值。
2001年11月27日
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
特点
高功率增益
简单的电源控制
出色的耐用性
源底消除了直流隔离，减少
共模电感
专为宽带运营（ HF至800兆赫）
内部输入阻尼出色的稳定性比
整个频率范围内。
应用
在通信发射器应用
高频800 MHz的频率范围内。
3
4
MBK777
BLF647
钉扎 - SOT540A
针
1
2
3
4
5
排水1
排水2
门1
门2
源，连接到FL法兰
描述
1
2
5
描述
硅N沟道增强模式横向D- MOS
推挽晶体管中的一个SOT540A包有陶瓷
帽。公共源极连接到所述安装
FL法兰。
快速参考数据
射频性能在T
h
= 25
°C
在一个共同的源测试电路。
的模式
手术
CW ， AB类
2-tone,
AB类
f
（兆赫）
600
f
1
= 600; f
2
= 600.1
V
DS
(V)
28
28
P
L
(W)
120
120（ PEP）的
顶视图
Fig.1简化外形。
G
p
（ dB）的
>14.5
>14.5
η
D
(%)
>55
>40
d
im
（ DBC）
≤26
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
DS
V
GS
I
D
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
小心
此产品是在防静电包装供给以防止因运输过程中的静电放电损坏
和处理。欲了解更多信息，请参阅飞利浦规格： SNW -EQ- 608 SNW - FQ- 302A和SNW - FQ- 302B 。
T
mb
≤
25
°C
条件
65
分钟。
马克斯。
65
±15
18
290
+150
200
V
V
A
W
°C
°C
单位
2001年11月27日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
BLF647
应用信息
RF性能在一个共同的源AB类电路。牛逼
h
= 25
°C;
R
日MB -H
= 0.2 K / W ，除非另有规定ED 。
操作模式
CW ， AB类
2音， AB类
CW ， AB类
2音， AB类
f
（兆赫）
600
f
1
= 600; f
2
= 600.1
800
f
1
= 800; f
2
= 800.1
V
DS
(V)
28
28
32
32
P
L
(W)
120
120（ PEP）的
150
150（ PEP）的
G
p
（ dB）的
>14.5
>14.5
（典型值） 。 12.5
（典型值） 。 13
η
D
(%)
>55
>40
（典型值） 。 60
（典型值） 。 45
d
im
（ DBC）
≤26
典型值。
30
坚固耐用的AB类操作
该BLF647是能够承受的负荷不匹配对应于驻波比= 10 ：通过在所有阶段1
满足下列条件： V
DS
= 28 V ; F = 100MHz的额定负载功率。
该BLF647能够在额定功率条件下承受突然的电源或负载失配误差。
阻抗
（每科）
在f = 600 MHz时， P
L
= 120 W，V
DS
= 28 V和I
DQ
= 1位：Z
in
= 1.0 + j2.0
和Z
L
= 2.7 + j0.7
.
在f = 800 MHz时， P
L
= 150 W，V
DS
= 32 V和I
DQ
= 1位：Z
in
= 1.0 + j3.8
和Z
L
= 1.8 + j0.7
.
2001年11月27日
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飞利浦半导体
产品speci fi cation
UHF功率LDMOS晶体管
在600 MHz的应用
MGW540
BLF647
MGW541
手册， halfpage
20
80
Gp
手册， halfpage
0
Gp
（ dB）的
15
η
D
(%)
60
暗淡
（ DBC）
20
d3
η
D
10
40
40
d5
5
20
60
0
0
50
100
150
PL （ PEP ） （ W）
0
200
80
0
50
100
150
PL （ PEP ） （ W）
200
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 A.
2音：F
1
= 600兆赫（ -6分贝） ; F
2
= 600.1兆赫（ -6分贝）
在600 MHz的测试电路进行测量。
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 A.
2音：F
1
= 600兆赫（ -6分贝） ; F
2
= 600.1兆赫（ -6分贝）
在600 MHz的测试电路进行测量。
Fig.3
功率增益和漏极效率为功能
峰值包络功率负荷;典型
值。
Fig.4
互调失真的函数
峰值包络输出功率;典型值。
MGW542
手册， halfpage
20
80
Gp
Gp
（ dB）的
15
η
D
(%)
60
η
D
10
40
5
20
0
0
50
100
150
PL （W）的
0
200
T
h
= 25
°C;
V
DS
= 28 V ;我
DQ
= 1 ; CW ， AB类; F = 600 MHz的;
在600 MHz的测试电路进行测量。
Fig.5
功率增益和漏极效率为功能
负载功率;典型值。
2001年11月27日
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QQ：2880707522 复制
