BC847DS
45 V ， 100毫安NPN / NPN通用晶体管
版本01 - 2009年8月25日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
NPN / NPN通用晶体管对小SOT457 （ SC - 74 ）表面贴装
器件（SMD ）塑料封装。
1.2产品特点
I
I
I
I
I
I
低集电极电容
低集电极 - 发射极饱和电压
紧密匹配的电流增益
减少了元件和电路板空间的数量
晶体管之间无相互干扰
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
I
通用开关和放大器阳离子
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
首席执行官
I
C
h
FE
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
直流电流增益
V
CE
= 5 V ;我
C
= 2毫安
条件
开基
民
-
-
200
典型值
-
-
300
最大
45
100
450
单位
V
mA
每个晶体管
恩智浦半导体
BC847DS
45 V ， 100毫安NPN / NPN通用晶体管
2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
5
6
钉扎
描述
发射TR1
基地TR1
收藏家TR2
发射TR2
基地TR2
收藏家TR1
1
2
sym020
简化的轮廓
6
5
4
图形符号
6
5
4
TR2
1
2
3
TR1
3
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BC847DS
SC-74
描述
塑料表面贴装封装（ TSOP6 ） ; 6引线
VERSION
SOT457
类型编号
4.标记
表4 。
BC847DS
标记代码
标识代码
ZL
类型编号
5.极限值
表5 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
每个器件
P
合计
总功耗
T
AMB
≤
25
°C
[1]
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
单脉冲;
t
p
≤
1毫秒
T
AMB
≤
25
°C
[1]
民
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
45
6
100
200
200
250
380
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
mW
每个晶体管
BC847DS_1
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
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2 12
恩智浦半导体
BC847DS
45 V ， 100毫安NPN / NPN通用晶体管
表5 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
参数
结温
环境温度
储存温度
条件
民
-
55
65
最大
150
+150
+150
单位
°C
°C
°C
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
500
P
合计
（ mW）的
400
006aab621
300
200
100
0
75
25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
每个器件：功率降额曲线SOT457 （ SC- 74 ）
6.热特性
表6 。
符号
R
号（j -a）的
R
日（J -SP ）
每个器件
R
号（j -a）的
[1]
热特性
参数
从热阻
结到环境
从热阻
结点到焊点
从热阻
结到环境
在自由空气
[1]
条件
在自由空气
[1]
民
-
-
典型值
-
-
最大
500
250
单位
K / W
K / W
每个晶体管
-
-
328
K / W
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡和标准的足迹。
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BC847DS
45 V ， 100毫安NPN / NPN通用晶体管
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
10
2
δ
=1
0.75
0.50
0.33
0.20
0.10
0.05
0.02
10
0.01
0
006aab622
1
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
FR4 PCB，标准的足迹
图2 。
每个晶体管：结点的瞬态热阻抗至环境如脉冲持续时间的函数;
典型值
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
每个晶体管
I
CBO
集电极 - 基极截止V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A
当前
V
CB
= 30 V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
V
EB
= 6 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 5 V
I
C
= 10
A
I
C
= 2毫安
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 10毫安;我
B
- 0.5毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 5毫安
I
C
= 2毫安
I
C
= 10毫安
-
200
-
-
-
-
580
-
280
300
55
200
755
1000
650
-
-
450
100
300
850
-
700
770
mV
mV
mV
mV
mV
mV
-
-
-
-
-
-
15
5
100
nA
A
nA
条件
民
典型值
最大
单位
I
EBO
h
FE
基极 - 发射极电压V
CE
= 5 V
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45 V ， 100毫安NPN / NPN通用晶体管
表7中。
特征
- 续
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
C
c
C
e
f
T
NF
条件
民
-
-
100
-
典型值
1.9
11
-
1.9
最大
-
-
-
-
单位
pF
pF
兆赫
dB
集电极电容V
CB
= 10 V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
V
EB
= 0.5 V ;我
C
= i
c
= 0 A;
F = 1 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10毫安;
F = 100 MHz的
V
CE
= 5 V ;我
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 k;
F = 10 Hz至15.7千赫
V
CE
= 5 V ;我
C
= 0.2毫安;
R
S
= 2 k ; F = 1千赫
B = 200赫兹
-
3.1
-
dB
600
h
FE
006aaa533
0.20
I
C
(A)
0.16
006aaa532
I
B
（毫安）= 4.50
4.05
3.60
3.15
2.70
2.25
1.80
1.35
0.90
400
(1)
0.12
(2)
0.08
200
(3)
0.45
0.04
0
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
（MA ）
0
0
2
4
6
8
10
V
CE
(V)
V
CE
= 5 V
(1) T
AMB
= 100
°C
(2) T
AMB
= 25
°C
(3) T
AMB
=
55 °C
T
AMB
= 25
°C
图3 。
每个晶体管：直流电流增益的函数
集电极电流;典型值
图4 。
每个晶体管：集电极电流的函数
的集电极 - 发射极电压;典型值
BC847DS_1
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