【飞利浦半导体产品speci fi cation功率MOS晶体管逻辑电平FET概述N沟道增强模式逻辑电】,IC型号BUK581-60A,BUK581-60A PDF资料,BUK581-60A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

概述

N沟道增强模式

逻辑电平场效应功率

晶体管在一个塑料外壳

适于表面贴装

应用程序。

该装置适用于在使用中

汽车和通用

开关应用。

BUK581-60A

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

P

合计

T

j

R

DS （ ON）

参数

漏源电压

漏电流（ DC ）

总功耗

结温

漏极 - 源极导通状态

阻力;

V

GS

= 5 V

马克斯。

60

1.5

1.5

150

0.40

单位

V

A

W

C

钉扎 - SOT223

针

1

2

3

4

门

漏

来源

漏极（选项卡）

描述

引脚配置

4

符号

d

g

1

2

3

s

极限值

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

符号

V

DS

V

DGR

±V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流（ DC ）

漏电流（ DC ）

漏极电流（脉冲峰值）

总功耗

储存温度

结温

条件

-

R

GS

= 20 k

-

T

AMB

= 25 C

T

AMB

= 100 C

T

AMB

= 25 C

T

AMB

= 25 C

-

-

分钟。

-

-

-

-

-

-

-

- 55

-

马克斯。

60

60

15

1.5

1

6

1.5

150

150

单位

V

V

V

A

A

A

W

C

C

热阻

符号

R

日J- SP

R

日J- AMB

参数

从结点到焊点

1

从结点到环境

条件

安装在任何PCB 。

安装在印刷电路板图18的

分钟。

-

-

典型值。

14

-

马克斯。

17

85

单位

K / W

K / W

1

温度测量的漏卡焊点。

1995年10月

1

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

静态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TO ）

I

DSS

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿

电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

条件

V

GS

= 0 V ;我

D

= 0.25毫安

V

DS

= V

GS

; I

D

- 0.1毫安

V

DS

= 60 V; V

GS

= 0 V;

V

DS

= 60 V; V

GS

= 0 V ;牛逼

j

= 125 C

V

GS

=

±15

V; V

DS

= 0 V

V

GS

= 5 V ;我

D

= 1.5 A

分钟。

60

1.0

-

-

-

-

BUK581-60A

典型值。

-

1.5

1

0.1

10

0.28

马克斯。

-

2.0

10

1.0

100

0.40

单位

V

V

A

mA

nA

动态特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D ON

t

r

t

D OFF

t

f

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反馈电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

条件

V

DS

= 25 V ;我

D

= 1.5 A

V

GS

= 0 V; V

DS

= 25 V ; F = 1 MHz的

V

DD

= 30 V ;我

D

= 3 A;

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

;

R

根

= 50

分钟。

1.0

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

2.2

170

60

25

7

45

15

25

马克斯。

-

300

100

50

10

55

25

35

单位

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

反向二极管极限值和特性

T

j

= 25 C除非另有说明

符号

I

DR

I

DRM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续反向漏

当前

脉冲反向漏电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

条件

-

-

I

F

= 1.5 A; V

GS

= 0 V

I

F

= 1.5 A; -dI

F

/ DT = 100 A / μs的;

V

GS

= -10 V; V

R

= 30 V

分钟。

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

0.85

30

50

马克斯。

1.5

6

1.1

-

-

单位

A

A

V

ns

nC

雪崩限值

符号

W

DSS

参数

漏源不重复

非钳位电感关断

能源

条件

I

D

= 1.5 A; V

DD

< 25 V

V

GS

= 5 V ;

GS

= 50

T

AMB

= 25 C

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

10

单位

mJ

1995年10月

2

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

BUK581-60A

120

110

100

PD ％

归一化功率降额

10

ID / A

S/

ID

VD

BUK581-60A

TP = 100美元

1毫秒

10毫秒

DC

100毫秒

1s

10 s

80

70

60

50

40

30

20

10

0

0

20

40

60

80

TAMB / C

100

120

140

1

0.1

0.01

0.1

R

D

S(

O

90

N

)=

1

10

VDS / V

100

图1 。归一化的功率耗散。

PD ％ = 100

P

D

/P

D 25 C

= F （T

AMB

)

ID％

归一化电流降额

图4 。安全工作区域T

AMB

= 25 C

I

D

＆放大器;我

DM

= F（V

DS

); I

DM

单脉冲;参数t

p

ID / A

10

BUK581-60A

4.5

5

4

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

5

4

3

3.5

2

3

1

VGS / V = 2.5

0

20

40

60

80

TAMB / C

100

120

140

0

0

2

4

VDS / V

6

8

10

图2 。正常化的连续漏极电流。

ID％ = 100

I

D

/I

D 25 C

= F （T

AMB

） ;条件： V

GS

≥

5 V

图5 。典型的输出特性，T

j

= 25 C.

I

D

= F（V

DS

） ;参数V

GS

RDS （ ON） /欧姆

3

BUK581-60A

4

1E+02

第i个J- AMB / （K / W）

D=

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

BUKX81

1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

3.5

1E+01

1E+00

P

D

t

p

D=

t

p

T

0.4

0.3

4.5

5

1E-01

T

t

0.2

0.1

0

1E-05

1E-03

T / S

1E-01

1E+01

1E+03

VGS / V = 10

1E-02

1E-07

0

1

2

ID / A

3

4

5

如图3所示。瞬态热阻抗。

Z

日J- AMB

= F（T） ;参数D = T

p

/T

图6 。典型通态电阻，T

j

= 25 C.

R

DS （ ON）

= F（我

D

） ;参数V

GS

1995年10月

3

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

BUK581-60A

5

ID / A

BUK581-60A

VGS （ TO ） / V

马克斯。

2

4

TJ / C = 25

3

分钟。

1

150

典型值。

2

1

0

0

1

2

VGS / V

3

4

5

0

-60

-40

-20

0

20

40

60

TJ / C

80

100

120

140

图7 。典型的传输特性。

I

D

= F（V

GS

） ;条件： V

DS

= 25 V ;参数T

j

GFS / S

BUK581-60A

图10 。栅极阈值电压。

V

GS （ TO ）

= F （T

j

） ;条件：我

D

= 0.1毫安; V

DS

= V

GS

ID / A

亚阈值传导SIZE 1

3

2.8

2.6

2.4

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1E-02

1E-03

2%

98 %

1E-04

典型值

1E-05

1E-06

1E-07

0

1

2

ID / A

3

4

5

0

0.4

0.8

1.2

VGS / V

1.6

2

2.4

图8 。典型的跨导，T

j

= 25 C.

g

fs

= F（我

D

） ;条件： V

DS

= 25 V

a

图11 。亚阈值漏电流。

I

D

= F（V

GS

） ;条件：T已

j

= 25 ℃; V

DS

= V

GS

BUK581-60A

归一化的RDS（ON ） = F （TJ）

1000

C / pF的

1.5

1.0

100

西塞

0.5

科斯

CRSS

0

10

-60 -40 -20

0

20

40 60

TJ / C

80

100 120 140

0

10

20

VDS / V

30

40

图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。

一 - R的

DS （ ON）

/R

DS （ ON） 25 C

= F （T

j

); I

D

= 1.5 A; V

GS

= 5 V

图12 。典型的电容，C

国际空间站

, C

OSS

, C

RSS

.

C = F（V

DS

） ;条件： V

GS

= 0 V ; F = 1 MHz的

1995年10月

4

启1.100

飞利浦半导体

产品speci fi cation

功率MOS晶体管

逻辑电平FET

BUK581-60A

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

VGS / V

VDS / V = 12

48

BUK581-60A

120

110

100

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

WDSS ％

正常化雪崩能量

0

2

4

QG / NC

6

8

10

20

40

60

80

100

TAMB / C

120

140

图13 。典型导通栅极电荷特性。

V

GS

= F （Q

G

） ;条件：我

D

= 1.5 A;参数V

DS

IF / A

BUK581-60A

图15 。正常化雪崩能量等级。

W

DSS

（％）= F（T

AMB

） ;条件：我

D

= 1.5 A

5

+

4

TJ / C = 150

3

25

VDD

L

VDS

VGS

-

-ID/100

T.U.T.

R 01

分流

2

0

1

RGS

0

0

0.5

VSDS / V

1

1.5

图14 。典型的反向二极管电流。

I

F

= F（V

SDS

） ;条件： V

GS

= 0 V ;参数T

j

图16 。雪崩能量测试电路。

2

W

DSS

=

0.5

LI

D

BV

DSS

/ （ BV

DSS

V

DD

)

1995年10月

5

启1.100

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-

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