BSS8402DW
互补对增强型MOSFET
这个空间高效的设备包含一个电隔离的互补对
的增强型MOSFET （一个N沟道和一个P沟道） 。它
是在一个非常小的SOT- 363（ SC70-6L ）封装。该器件非常适用于
便携式应用中的电路板空间非常珍贵。
SOT- 363
4
5
6
2
1
3
特点
免费双
低导通电阻
低栅极阈值电压
快速开关
可提供无铅电镀（ 100 ％雾锡完成）
6
5
4
应用
开关电源
手提电脑，掌上电脑
Q
1
Q
2
标识代码： S82
最大额定值 - 共有设备
等级
总功率耗散（注1 ）
工作结存储温度范围
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
D
T
J
, T
英镑
1
2
3
价值
200
-55到+150
单位
mW
°C
最大额定值N - 通道 - Q
1
, 2N7002
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
< 1.0Mohm
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续（注1 ）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
价值
60
60
±20
115
单位
V
V
V
mA
最大额定值P - 通道 - Q
2
， BSS84
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
GS
< 20Kohm
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续（注1 ）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
价值
-50
-50
±20
130
单位
V
V
V
mA
热特性
特征
热阻，结到环境（注1 ）
符号
R
thJA
价值
625
单位
° C / W
注1： FR- 5板1.0× 0.75× 0.062英寸的最小推荐焊盘布局
9/15/2005
第1页
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BSS8402DW
电气特性 - N - CHANNEL - Q
1
, 2N7002
开关特性（注2 ）
参数
符号
条件
民
60
T
J
=25°C
T
J
=125°C
-
-
-
典型值
80
-
-
-
最大
-
1.0
500
±10
单位
V
A
nA
漏源击穿电压BV
DSS
I
D
= 10μA ，V
GS
= 0V
零栅极电压漏极电流
门体漏
基本特征（注2 ）
参数
栅极阈值电压
符号
条件
民
1.0
-
-
0.5
0.08
典型值
1.6
1.8
2.0
1.65
-
最大
2.5
4.5
7.0
-
-
单位
V
欧
A
S
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
,
V
GS
= 5V ，我
D
= 0.05A
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5A
I
DSS
I
GSS
V
DS
= 60V, V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
T
J
= 25 ° C除非另有说明
静态漏源导通ResistanceR
DS （ ON）
通态漏电流
正向跨导
动态特性
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关特性
参数
导通延迟时间
打开-O FF延迟时间
符号
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
I
D（上）
V
GS
= 10V, V
DS
= 7.5V
g
FS
V
DS
= 10V ，我
D
= 0.2A
条件
V
DS
= 25V,
V
GS
= 0V,
F = 1.0MHz的
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
50
25
5.0
单位
pF
pF
pF
条件
民
-
-
典型值
-
-
最大
20
20
单位
ns
ns
t
D（上）
V = 30V ， I = 0.2A ， R = 150ohm
L
DD
D
R
根
= 25ohm ，V
根
= 10V
t
D（关闭）
注意使用最小化自加热2.持续时间短的测试脉冲
9/15/2005
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