BSP19AT1G
NPN硅外延
晶体管
该系列NPN硅外延晶体管是专为使用
作为通用放大器和开关应用。该
设备被容纳在所述的SOT- 223封装,其目的是为
中等功率表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
高电压: V
( BR ) CEO
250和350 V
采用SOT - 223封装可以用波或回流焊接
SOT- 223封装可以确保水平安装,从而提高了
SOT-
-223包装
NPN硅高压
晶体管表面贴装
集热2,4
BASE
1
辐射源3
热传导,并允许焊点的外观检查
焊接过程中所形成的引线吸收热应力,
消除了损坏的管芯的可能性
PNP补是BSP16T1
潮湿敏感度等级( MSL ) : 1
防静电:人体模型( HBM ) = 4 KV
机器模型( MM ) = 400 V
这些设备是有铅
- 免费,无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
4
记号
图
4
集热器
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压(开基)
集电极 - 基极电压(发射极开路)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流( DC )
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
350
400
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
3
CASE 318E
TO-261AA
风格1
1
BASE
AYW
SP19A
G
G
2
集热器
3
辐射源
热特性
特征
总功率耗散@ T
A
= 25C
(注1 )
减免上述25℃
热阻,结 - 到 - 环境
结温和存储温度范围
符号
P
D
最大
0.8
6.4
R
θJA
T
英镑
156
--65到150
单位
W
毫瓦/°C的
° C / W
C
A
=大会地点
Y
=年
W
=工作周
SP19A =具体设备守则
G
=铅 - 免费套餐
(注:微球可在任一位置)
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.装置安装在FR-4玻璃环氧印刷电路板利用最小
推荐的足迹。
订购信息
设备
BSP19AT1G
包
SOT--223
(铅 - 免费)
航运
1000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年9月 - 修订版8
-
1
出版订单号:
BSP19AT1/D
BSP19AT1G
包装尺寸
SOT-
-223 ( TO-
-261)
CASE 318E - 04
ISSUE
D
b1
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
A1
b
b1
c
D
E
e
e1
L
L1
H
E
民
1.50
0.02
0.60
2.90
0.24
6.30
3.30
2.20
0.85
0.20
1.50
6.70
0
MILLIMETERS
喃
最大
1.63
1.75
0.06
0.10
0.75
0.89
3.06
3.20
0.29
0.35
6.50
6.70
3.50
3.70
2.30
2.40
0.94
1.05
------
------
1.75
2.00
7.00
7.30
10
--
民
0.060
0.001
0.024
0.115
0.009
0.249
0.130
0.087
0.033
0.008
0.060
0.264
0
英寸
喃
0.064
0.002
0.030
0.121
0.012
0.256
0.138
0.091
0.037
------
0.069
0.276
--
最大
0.068
0.004
0.035
0.126
0.014
0.263
0.145
0.094
0.041
------
0.078
0.287
10
4
H
E
1
2
3
E
e1
b
e
A
θ
L
L1
C
0.08 (0003)
θ
A1
风格1 :
PIN 1 。
2.
3.
4.
BASE
集热器
辐射源
集热器
焊接足迹*
3.8
0.15
2.0
0.079
2.3
0.091
2.3
0.091
6.3
0.248
2.0
0.079
1.5
0.059
mm
英寸
SCALE 6 : 1
*关于我们铅的更多信息 - 免费策略和焊接
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
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和
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4
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