飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DS
I
D
I
I
I
F
I
P
P
合计
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续电压
漏源电压
1
连续电流
漏电流
输入电流
目前旗
保障供电电流
热
总功耗
储存温度
结温
2
焊接温度
T
mb
= 25 C
-
连续
焊接过程中
-
-55
-
-
V
PS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25 C
V
PS
= 0 V ;牛逼
mb
= 94 C
-
-
-
-
-
-5
-5
-5
V
IS
= 0 V
-
条件
分钟。
BUK112-50GL
马克斯。
50
自我 -
有限
12
5
5
5
52
175
150
260
单位
V
A
A
mA
mA
mA
W
C
C
C
ESD极限值
符号
参数
静电放电电容
电压
V
C1
V
C2
漏极至源极
输入，标志或保护源
条件
人体模型;
C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
-
4.5
2
kV
kV
分钟。
马克斯。
单位
过载保护限制值
随着保障供应
连接， TOPFET可以保护
自己从两种类型的过载 -
短路和负载
过热。
符号
V
PSP
参数
保护电源电压
3
对于过载情况下的n -MOS
晶体管导通的
栅极和源极快速
放电功率MOSFET
栅极电容。
条件
为有效保护
的漏极电流被限制在
降低功耗的情况下短
电路的负载。请参考过载
的特点。
分钟。
4.5
马克斯。
-
单位
V
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
E
帝斯曼
E
DRM
参数
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
I
DM
= 6 A;吨
mb
= 25C
I
DM
= 3.1 ; V
DD
≤
20 V;
T
mb
≤
120C ; F = 250赫兹
分钟。
-
-
马克斯。
200
20
单位
mJ
mJ
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所需的过载保护电路的正确操作的最小供电电压。
1996年9月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻
结到安装基座
结到环境
-
在自由空气
-
-
条件
分钟。
BUK112-50GL
典型值。
-
60
马克斯。
2.38
-
单位
K / W
K / W
输出特性
T
mb
= 25 ℃; V
PS
= 0 V ，除非另有规定编
符号
V
（ CL ） DSS
I
DSS
参数
关闭状态
漏源电压钳位
漏极 - 源极漏电流
1
条件
I
D
= 10毫安;
V
IS
= 0 V;
-40C
≤
T
mb
≤
150C
分钟。
50
50
-
-
-
-
-
典型值。
-
60
0.5
1
10
70
135
马克斯。
70
70
10
20
100
93
165
单位
V
V
A
A
A
m
m
I
DM
= 0.75 ;吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V
V
DS
= 50 V
T
mb
= 125°C ; V
DS
= 40 V
导通状态
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
I
DM
= 6 A; V
IS
= 4.4 V; V
PS
= 4.5 V
T
mb
= 150 C
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
IG
I
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
输入电流
输入钳位电压
内部串联电阻
过载保护锁存
输入电流
V
PS
= 5 V; V
IS
= 5 V
1.5
3.2
4
mA
V
DS
= 13 V; V
PS
= 0 V ;我
D
= 1毫安
-40C
≤
T
mb
≤
150C
V
IS
= 5 V
I
I
= 1.5毫安
功率MOSFET的栅极
-40C
≤
T
mb
≤
150C
1
0.5
200
6
-
1.5
-
350
7.1
1.5
2
2.5
500
-
-
V
V
A
V
k
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
反向特性
T
mb
= 25 C
符号
-V
DS
-V
IS
-V
PS
-V
FS
参数
反向漏电压
2
反向输入电压
反向保护引脚电压
反向电压标志
条件
-I
D
= 6 A
-I
I
= 5毫安
-I
P
= 5毫安
-I
F
= 5毫安
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.8
0.7
0.7
0.7
马克斯。
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
1
所需的开路负载检测的漏电流被关断时，没有保护的供应，以保证低的关断状态
静态电流。是指开路负载检测特性。
2
保护功能在逆向传导禁用。
1996年9月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
保护电源特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
正常运行或
保护锁
I
PS
, I
PSL
V
（CL）的聚苯乙烯
V
PSR
t
pr
电源电流
钳位电压
过载保护锁存
复位电压
复位时间
V
PS
= 0 V
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-
1.5
-
-
V
PS
= 4.5 V
I
P
= 1.5毫安
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-
-
6
条件
分钟。
BUK112-50GL
典型值。
马克斯。
单位
330
-
7.1
400
450
-
A
A
V
2.1
-
25
-
-
3
-
150
V
V
s
s
开路负载检测特性
可以检测到开路负载条件而TOPFET处于断开状态。
-40C
≤
T
mb
≤
150 ℃; V
PS
= 5 V; V
DS
= 13 V ，除非另有说明
符号
I
DSP
I
DSF
V
ISF
参数
断态漏电流
1
输入阈值电压
2
条件
V
IS
= 0 V
I
F
= 100
A;
I
D
= 100
A;
T
mb
= 25 C
分钟。
0.5
0.4
-
典型值。
1.4
1.1
1.2
马克斯。
2
-
-
单位
mA
mA
V
断状态下的漏电流阈值V
IS
= 0 V ;我
F
= 100
A
真值表
为正常，开路负载和过载条件或保护不足的电源电压。
条件
正常导通状态
正常关闭状态
开路负载
开路负载
负载短路
过温
低保护电压
低保护电压
保护
1
1
1
1
1
1
0
0
输入
1
0
1
0
1
X
1
0
旗
0
0
0
1
1
1
1
1
产量
1
0
1
0
0
0
1
0
为保护'0'等于低，'1'等于高。
输入“0”等于低，'1'等于高， 'X'等于不关心。
对于“0”标志等于低，'1'等于开或高。
对于输出开关'0'等于断， “1”等于上。
1
漏源电流流动时，保护电源是高且输入是低的。
2
对于开路负载指示，V
IS
必须小于V
ISF
.
1996年9月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DS
I
D
I
I
I
F
I
P
P
合计
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续电压
漏源电压
1
连续电流
漏电流
输入电流
目前旗
保障供电电流
热
总功耗
储存温度
结温
2
焊接温度
T
mb
= 25 C
-
连续
焊接过程中
-
-55
-
-
V
PS
= 5 V ;牛逼
mb
= 25 C
V
PS
= 0 V ;牛逼
mb
= 94 C
-
-
-
-
-
-5
-5
-5
V
IS
= 0 V
-
条件
分钟。
BUK112-50GL
马克斯。
50
自我 -
有限
12
5
5
5
52
175
150
260
单位
V
A
A
mA
mA
mA
W
C
C
C
ESD极限值
符号
参数
静电放电电容
电压
V
C1
V
C2
漏极至源极
输入，标志或保护源
条件
人体模型;
C = 100 pF的; R = 1.5 kΩ的
-
-
4.5
2
kV
kV
分钟。
马克斯。
单位
过载保护限制值
随着保障供应
连接， TOPFET可以保护
自己从两种类型的过载 -
短路和负载
过热。
符号
V
PSP
参数
保护电源电压
3
对于过载情况下的n -MOS
晶体管导通的
栅极和源极快速
放电功率MOSFET
栅极电容。
条件
为有效保护
的漏极电流被限制在
降低功耗的情况下短
电路的负载。请参考过载
的特点。
分钟。
4.5
马克斯。
-
单位
V
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
E
帝斯曼
E
DRM
参数
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
I
DM
= 6 A;吨
mb
= 25C
I
DM
= 3.1 ; V
DD
≤
20 V;
T
mb
≤
120C ; F = 250赫兹
分钟。
-
-
马克斯。
200
20
单位
mJ
mJ
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所需的过载保护电路的正确操作的最小供电电压。
1996年9月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻
结到安装基座
结到环境
-
在自由空气
-
-
条件
分钟。
BUK112-50GL
典型值。
-
60
马克斯。
2.38
-
单位
K / W
K / W
输出特性
T
mb
= 25 ℃; V
PS
= 0 V ，除非另有规定编
符号
V
（ CL ） DSS
I
DSS
参数
关闭状态
漏源电压钳位
漏极 - 源极漏电流
1
条件
I
D
= 10毫安;
V
IS
= 0 V;
-40C
≤
T
mb
≤
150C
分钟。
50
50
-
-
-
-
-
典型值。
-
60
0.5
1
10
70
135
马克斯。
70
70
10
20
100
93
165
单位
V
V
A
A
A
m
m
I
DM
= 0.75 ;吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V
V
DS
= 50 V
T
mb
= 125°C ; V
DS
= 40 V
导通状态
R
DS （ ON）
漏源导通电阻
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
I
DM
= 6 A; V
IS
= 4.4 V; V
PS
= 4.5 V
T
mb
= 150 C
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
IG
I
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
输入电流
输入钳位电压
内部串联电阻
过载保护锁存
输入电流
V
PS
= 5 V; V
IS
= 5 V
1.5
3.2
4
mA
V
DS
= 13 V; V
PS
= 0 V ;我
D
= 1毫安
-40C
≤
T
mb
≤
150C
V
IS
= 5 V
I
I
= 1.5毫安
功率MOSFET的栅极
-40C
≤
T
mb
≤
150C
1
0.5
200
6
-
1.5
-
350
7.1
1.5
2
2.5
500
-
-
V
V
A
V
k
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
反向特性
T
mb
= 25 C
符号
-V
DS
-V
IS
-V
PS
-V
FS
参数
反向漏电压
2
反向输入电压
反向保护引脚电压
反向电压标志
条件
-I
D
= 6 A
-I
I
= 5毫安
-I
P
= 5毫安
-I
F
= 5毫安
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.8
0.7
0.7
0.7
马克斯。
-
-
-
-
单位
V
V
V
V
1
所需的开路负载检测的漏电流被关断时，没有保护的供应，以保证低的关断状态
静态电流。是指开路负载检测特性。
2
保护功能在逆向传导禁用。
1996年9月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
保护电源特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
参数
正常运行或
保护锁
I
PS
, I
PSL
V
（CL）的聚苯乙烯
V
PSR
t
pr
电源电流
钳位电压
过载保护锁存
复位电压
复位时间
V
PS
= 0 V
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-
1.5
-
-
V
PS
= 4.5 V
I
P
= 1.5毫安
-40C
≤
T
mb
≤
150C
-
-
6
条件
分钟。
BUK112-50GL
典型值。
马克斯。
单位
330
-
7.1
400
450
-
A
A
V
2.1
-
25
-
-
3
-
150
V
V
s
s
开路负载检测特性
可以检测到开路负载条件而TOPFET处于断开状态。
-40C
≤
T
mb
≤
150 ℃; V
PS
= 5 V; V
DS
= 13 V ，除非另有说明
符号
I
DSP
I
DSF
V
ISF
参数
断态漏电流
1
输入阈值电压
2
条件
V
IS
= 0 V
I
F
= 100
A;
I
D
= 100
A;
T
mb
= 25 C
分钟。
0.5
0.4
-
典型值。
1.4
1.1
1.2
马克斯。
2
-
-
单位
mA
mA
V
断状态下的漏电流阈值V
IS
= 0 V ;我
F
= 100
A
真值表
为正常，开路负载和过载条件或保护不足的电源电压。
条件
正常导通状态
正常关闭状态
开路负载
开路负载
负载短路
过温
低保护电压
低保护电压
保护
1
1
1
1
1
1
0
0
输入
1
0
1
0
1
X
1
0
旗
0
0
0
1
1
1
1
1
产量
1
0
1
0
0
0
1
0
为保护'0'等于低，'1'等于高。
输入“0”等于低，'1'等于高， 'X'等于不关心。
对于“0”标志等于低，'1'等于开或高。
对于输出开关'0'等于断， “1”等于上。
1
漏源电流流动时，保护电源是高且输入是低的。
2
对于开路负载指示，V
IS
必须小于V
ISF
.
1996年9月
4
启1.000
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