飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强模式
垂直的D- MOS晶体管
MDA163
BSN20
手册， halfpage
24
手册， halfpage
80
MDA162
RDSON
()
16
RDSON
()
(1)
60
(2)
40
(3)
8
20
0
1
10
10
2
ID （MA ）
10
3
0
0
2
4
6
8
10
VGS （ V）
T
j
= 25
°C.
(1) V
GS
= 2.5 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 10 V.
V
DS
= 0.1 V ;牛逼
j
= 25
°C.
Fig.7
Fig.6
漏极 - 源极导通电阻为
漏电流的函数;典型值。
漏极 - 源极导通电阻为
栅极 - 源极电压的函数;典型
值。
MRA785
MRA784
手册，
1.2
halfpage
2
手册， halfpage
k
(2)
k
1.1
1.6
(1)
1
1.2
0.9
0.8
0.8
0.7
50
0
50
100
TJ （
o
C)
150
0.4
50
0
50
100
TJ （
o
C)
150
V
gsth
在T
j
k
=
-------------------------------------
-
V
gsth
在25℃下
典型的V
gsth
为1 mA 。
R
DSON
在T
j
k
=
----------------------------------------
-
R
DSON
在25
°C
(1) I
D
= 10毫安; V
GS
= 2.5 V.
(2) I
D
= 100毫安; V
GS
= 10 V.
Fig.8
栅 - 源温度COEF网络cient
阈值电压。
Fig.9
的漏极 - 源极温度系数
通态电阻。
1997年6月18日
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