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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第585页 > BG3123R
BG3123...
双N沟道MOSFET四极管
4
5
6
两个增益控制输入级的UHF
和VHF -tuners如（ NTSC ， PAL ）
优化UHF （AMP ; B ）和甚高频（安培A）
集成门极保护二极管
高AGC范围，低噪声系数，高增益
在增益减少，提高了交叉调制
BG3123
6
5
4
2
1
3
VPS05604
BG3123R
6
5
4
漏
AGC
HF
输入
G2
G1
R
G1
V
GG
高频输出
+ DC
B
A
1
2
3
1
B
A
2
3
GND
EHA07461
ESD
:
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件，观察处理防范！
TYPE
BG3123
BG3123R***
包
SOT363
SOT363
1=G1* 2=G2
1 = G1 ** 2 = S
引脚配置
3=D*
3=D**
4=D**
4=D*
5=S
5=G2
记号
6 = G1 **科斯
6 = G1 * KRS
*对于放大器。 A; **的放大器。 B
***目标数据
180 °旋转的磁带加载方向可用
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
功放。一
功放。 B
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
储存温度
通道温度
±I
G1/2SM
±V
G1/G2S
P
合计
T
英镑
T
ch
符号
V
DS
I
D
25
20
1
6
200
-55 ... 150
150
V
mW
°C
价值
8
单位
V
mA
1
Feb-27-2004
BG3123...
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
电气特性
参数
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 0 V
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
GATE2源漏电流
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4.5 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 60
k,
功放。一
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 50
k,
功放。 B
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
R
thChS
价值
≤
150
单位
K / W
符号
分钟。
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
+I
G1SS
+I
G2SS
I
DSS
I
DSX
-
-
V
G1S(p)
V
G2S(p)
-
-
12
6
6
-
-
-
值
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
15
15
50
50
10
单位
V
A
nA
A
mA
14
14
0.7
0.6
-
-
-
-
V
2
Feb-27-2004
BG3123...
电气特性
参数
符号
分钟。
正向跨导
功放。一
功放。 B
GATE1输入电容
f
= 10MHz时，放大器。一
f
= 10MHz时，放大器。 B
输出电容
f
= 10MHz时，放大器。一
f
= 10MHz时，放大器。 B
功率增益
f
= 800 MHz时，放大器。一
f
= 800 MHz时，放大器。 B
f
= 45 MHz时，放大器。一
f
= 45 MHz时，放大器。 B
噪声系数
f
= 800 MHz时，放大器。一
f
= 800 MHz时，放大器。 B
f
= 45 MHz时，放大器。一
f
= 45 MHz时，放大器。 B
增益控制范围
V
G2S
= 4 ... 0 V ,
f
= 800兆赫
交叉调制
K = 1 ％中，f
w
=50MHz,
f
UNW
=60MHz
X
MOD
amp.A ，
AGC
= 0分贝
功放。 B，
AGC
= 0分贝
功放。 A，
AGC
= 10分贝
功放。 B，
AGC
= 10分贝
功放。 A，
AGC
= 40分贝
功放。 B，
AGC
= 40分贝
-
90
90
-
-
98
98
96
97
91
94
103
104
-
-
-
-
-
-
G
p
F
-
-
-
-
45
1.8
1.8
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
G
p
-
-
-
-
25
24
32
30
-
-
-
-
dB
C
DSS
-
-
1.3
1.1
-
-
dB
C
g1ss
-
-
1.9
1.5
-
-
g
fs
-
-
30
25
-
-
pF
值
典型值。
马克斯。
mS
单位
AC特性
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V， （我
D
= 14 mA）的（通过随机抽样核实）
3
Feb-27-2004
BG3123...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。一
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。 B
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。一
16
mA
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。 B
16
mA
12
12
I
D
8
I
D
A
10
10
8
6
6
4
4
2
2
0
0
10
20
30
40
50
70
0
0
10
20
30
40
50
A
70
I
G1
I
G1
4
Feb-27-2004
BG3123...
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
V
G2S
= 4V,
V
G1S
= V中的参数
功放。一
18
mA
1.5
输出特性
I
D
=
(V
DS
)
V
G2S
= 4V,
V
G1S
= V中的参数
功放。 B
18
mA
1.7
14
1.4
14
12
1.3
1.6
12
I
D
10
8
I
D
1.5
10
8
1.2
1.3
6
4
2
0
0
6
4
2
0
0
1.0
2
4
6
8
10
V
14
2
4
6
8
10
V
14
V
DS
V
DS
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= V中的参数
功放。一
120
门1电流
I
G1
=
(V
G1S
)
V
DS
= 5V,
V
G2S
= V中的参数
功放。 B
120
4
A
A
3
I
G1
I
G1
80
4
3.5
3
80
2.5
60
60
2.5
40
2
40
2
20
20
0
0
0.4
0.8
1.2
V
2
0
0
0.4
0.8
1.2
V
2
V
G1S
V
G1S
5
Feb-27-2004
BG3123...
双N沟道MOSFET四极管
两个增益控制输入级的UHF
和VHF -tuners如（ NTSC ， PAL ）
优化UHF （AMP ; B ）和甚高频（安培A）
集成门极保护二极管
高AGC范围，低噪声系数，高增益
在增益减少，提高了交叉调制
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
4
5
6
1
2
3
BG3123
$
#
＆ QUOT ;
BG3123R
6
5
4
*
)

!
B
A
1
2
3
漏
AGC
RF
输入RG1
VGG
G2
G1
RF输出
+ DC
GND
ESD
（静电
放）
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BG3123
BG3123R
包
SOT363
SOT363
1=G1* 2=G2
1 = G 1 * 2 = S
引脚配置
3=D*
3=D*
4=D**
4=D**
5=S
5=G2
记号
6 = G1 **科斯
6 = G1 ** KRS
*对于放大器。 A; **的放大器。 B
180 °旋转的磁带加载方向可用
1
2007-04-26
BG3123...
最大额定值
参数
漏源电压
连续漏电流
功放。一
功放。 B
门1 / 2门源电流
门1 / 2门源电压
总功耗
储存温度
通道温度
热阻
参数
道 - 焊接点
1)
1
为
符号
V
DS
I
D
价值
8
25
20
单位
V
mA
±I
G1/2SM
±V
G1/G2S
P
合计
T
英镑
T
ch
符号
R
thChS
1
6
200
-55 ... 150
150
V
mW
°C
价值
≤
150
单位
K / W
计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2007-04-26
BG3123...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
I
D
= 10 A,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 0 V
GATE1源击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE2源击穿电压
+I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
GATE1源漏电流
V
G1S
= 6 V,
V
G2S
= 0 V
GATE2源漏电流
V
G2S
= 8 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4.5 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 60 k,
功放。一
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 50 k,
功放。 B
GATE1源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
GATE2源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
V
G2S(p)
-
0.6
-
V
G1S(p)
-
-
14
0.7
-
-
V
-
14
-
I
DSX
mA
I
DSS
-
-
10
A
+I
G2SS
-
-
50
nA
+I
G1SS
-
-
50
A
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
6
6
-
-
15
15
V
（ BR ） DS
12
-
-
V
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-04-26
BG3123...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
正向跨导
功放。一
功放。 B
GATE1输入电容
f
= 10MHz时，放大器。一
f
= 10MHz时，放大器。 B
输出电容
f
= 10MHz时，放大器。一
f
= 10MHz时，放大器。 B
功率增益
f
= 800 MHz时，放大器。一
f
= 800 MHz时，放大器。 B
f
= 45 MHz时，放大器。一
f
= 45 MHz时，放大器。 B
噪声系数
f
= 800 MHz时，放大器。一
f
= 800 MHz时，放大器。 B
f
= 45 MHz时，放大器。一
f
= 45 MHz时，放大器。 B
增益控制范围
V
G2S
= 4 ... 0 V ,
f
= 800兆赫
交叉调制
K = 1 ％中，f
w
=50MHz,
f
UNW
=60MHz
X
MOD
amp.A ，
AGC
= 0分贝
功放。 B，
AGC
= 0分贝
功放。 A，
AGC
= 10分贝
功放。 B，
AGC
= 10分贝
功放。 A，
AGC
= 40分贝
功放。 B，
AGC
= 40分贝
-
90
90
-
-
98
98
96
97
91
94
103
104
-
-
-
-
-
-
G
p
F
-
-
-
-
45
1.8
1.8
1.4
1.6
-
-
-
-
-
-
G
p
-
-
-
-
25
24
32
30
-
-
-
-
dB
C
DSS
-
-
1.3
1.1
-
-
dB
C
g1ss
-
-
1.9
1.5
-
-
g
fs
-
-
30
25
-
-
pF
典型值。
马克斯。
mS
单位
AC特性
V
DS
= 5V,
V
G2S
= 4V， （我
D
= 14 mA）的（通过随机抽样核实）
4
2007-04-26
BG3123...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。一
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
功放。 B
300
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。一
16
mA
漏电流
I
D
=
(I
G1
)
V
G2S
= 4V
功放。 B
16
mA
12
12
I
D
10
I
D
A
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0
10
20
30
40
50
70
0
0
10
20
30
40
50
A
70
I
G1
I
G1
5
2007-04-26
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推荐型号
B32686-A1154-M
B37940K2010C501
BU4822FVE
BUT32V_03
BB644
BU-65171G2-200
BU1574GUW
BUK112-50GL
B43511A4687M087
BD809G
BS-A601RD
BD241CFP
BSN20/T1
B72207S0500K211
BUZ330C67078-S3105-A2
BL59A66
BP1537TC
B-18-1
B32529-C484
BD63847EFV
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BG3123R
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市品优时代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003319701 复制
电话：0755-23612326
联系人：唐
地址：福田区振兴路华康大厦1栋519室
BG3123R
INFINEON
2019
79600
SOT363-6
原装正品 钻石品质 假一赔十
深圳市恒达亿科技有限公司
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电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）
BG3123R
INFINEON
25+
4500
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全新原装现货特价销售！
深圳市欧立现代科技有限公司
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电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
BG3123R
Infineon
24+
4000
SOT363
授权分销 现货热卖
深圳市涛能电子科技有限公司
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地址：深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼，13号楼12楼B座401
BG3123R
INFINEON
21+
6000
原装国内现货
北京元坤国际科技有限公司
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联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BG3123R
INFINEON/英飞凌
21+
14600
SOT363-6
全新原装正品/质量有保证
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BG3123R
INFINEON/英飞凌
2024
20918
SOT-363
原装现货上海库存，欢迎咨询
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