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BUF650
硅NPN高电压开关晶体管
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
简单的关断晶体管
（ SWOT ）
HIGH SPEED技术
平面钝化
100 kHz的开关频率
非常低开关损耗
非常低的动态饱和
非常低的工作温度
优化RBSOA
高反向电压
14283
应用
电子镇流器电路
开关模式电源
绝对最大额定值
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
g
测试条件
符号
V
首席执行官
V
CEW
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
400
500
700
9
10
15
5
7.5
70
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
例
≤
25
°
C
最大热阻
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
1.78
单位
K / W
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
1 (8)
BUF650
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压（图1）
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
g
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V ;牛逼
例
= 150
°
C
I
C
= 300毫安; L = 125 mH的;
I
措施
= 100毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 1.6 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 5 A;我
B
= 1.6 A
I
C
= 1.6 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 5 A;我
B
= 1.6 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 1.6 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 5 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10 A
V
S
= 50 V ; L = 1 mH的;我
C
= 10 A;
I
B1
= 3.3 A; -I
B2
= 1 A;
–V
BB
= 5 V
I
C
= 5 A;我
B
= 1 ， T = 1
m
s
I
C
= 5 A;我
B
= 1 ， T = 3
m
s
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1 MHz的
符号
I
CES
I
CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEW
民
典型值
最大
50
0.5
单位
m
A
mA
V
V
V
V
V
V
400
9
0.1
0.2
0.9
1
15
15
7
4
500
0.2
0.4
1
1.2
集电极 - 发射极电压工作
V
动态饱和电压
y
g
增益带宽积
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
5.5
1.5
4
10
2.5
V
V
兆赫
2 (8)
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
BUF650
开关特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
电阻性负载（图2）
启动时间
I
C
= 1.6 A;我
B1
= 0.4 A; -I
B2
= 0.8 A;
;
;
;
V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
启动时间
I
C
= 5 A;我
B1
= 1 ; -I
B2
= 2.5 A;
;
;
;
V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
感性负载（图3）
贮存时间
I
C
= 1.6 A;我
B1
= 0.4 A; -I
B2
= 0.8 A;
;
;
;
V
钳
= 300 V ; L = 200
m
H
下降时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5 A;我
B1
= 1 ; -I
B2
= 2.5 A;
;
;
;
V
钳
= 300 V ; L = 200
m
H
符号
t
on
t
s
t
f
t
on
t
s
t
f
t
s
t
f
t
s
t
f
民
典型值
0.15
2.2
0.3
0.4
1.2
0.1
2.2
0.15
1.1
0.05
最大
0.25
3
0.4
0.6
1.5
0.15
3
0.25
1.5
0.15
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
94 8863
V
S2
+
10 V
I
B
I
C
w
I5
I
措施
I
C
C
V
S1
+
0至30 V
V
（ BR ） CEO
t
p
T
t
p
3脉冲
+
L
C
V
CE
V
（ BR ） CEO
+
0.1
+
10毫秒
I
（ BR ）R
100 m
W
图1.测试电路V
(BR)CE0
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
3 (8)
BUF650
94 8852
I
B
I
B1
0
t
R
C
–I
B2
I
C
(1)
I
B1
R
B
V
BB
+
V
CE
I
B
V
CC
I
C
0.9 I
C
0.1 I
C
t
r
t
d
t
on
t
t
s
t
关闭
t
f
（ 1 ）快速的电子开关
对于开关特性图2.测试电路 - 阻性负载
94 8853
I
B
I
B1
L
C
0
–I
B2
I
C
(2)
(1)
I
B1
R
B
V
BB
I
B
V
CE
V
钳
I
C
V
CC
0.9 I
C
t
+
（ 1 ）快速的电子开关
（ 2 ）快恢复整流
0.1 I
C
t
t
s
t
r
对于开关特性图3.测试电路 - 感性负载
4 (8)
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
BUF650
典型特征
(T
例
= 25
_
C除非另有说明）
12
P
合计
- 总功耗（ W）
I
C
- 集电极电流（ A）
10
8
6
4
2
0
0
95 10562
100
1.78 K / W
10
12.5 K / W
1
25 K / W
0.1
0.01
0.001
50 K / W
R
thJA
= 85 K / W
0.1 ×1
C
＆ LT ;我
B2
< 0.5 ×1
C
V
CESAT
＆ LT ; 2V
100
200
300
400
500
600
95 10563
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
例
(
°C
)
图4. V
CEW
- 图
V
CESAT
- 集电极发射极饱和电压（ V）
10
I
C
- 集电极电流（ A）
1000mA
780mA
580mA
6
400mA
10
图7： P
合计
与T
例
I
C
= 1A
1
8
2A
4A
8A
4
2
190mA
95mA
I
B
= 49毫安
6A
0.1
0
0
95 10566
4
8
12
16
20
0.01
0.01
0.1
1
10
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
95 10567
I
B
- 基本电流（ A）
图5.我
C
与V
CE
h
FE
- 正向直流电流传输比
h
FE
- 正向直流电流传输比
100
100
图8. V
CESAT
与我
B
125°C
25°C
10
T
j
= 75°C
10V
10
5V
V
CE
= 2V
1
0.01
95 10564
0.1
1
10
100
95 10565
1
0.01
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
I
C
- 集电极电流（ A）
图6.
FE
与我
C
图9. ^ h
FE
与我
C
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
5 (8)
BUF650
硅NPN高电压开关晶体管
特点
D
D
D
D
D
D
D
D
D
简单的关断晶体管
（ SWOT ）
HIGH SPEED技术
平面钝化
100 kHz的开关频率
非常低开关损耗
非常低的动态饱和
非常低的工作温度
优化RBSOA
高反向电压
14283
应用
电子镇流器电路
开关模式电源
绝对最大额定值
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
g
测试条件
符号
V
首席执行官
V
CEW
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
价值
400
500
700
9
10
15
5
7.5
70
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°
C
°
C
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
基峰电流
总功耗
结温
存储温度范围
T
例
≤
25
°
C
最大热阻
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
结案件
测试条件
符号
R
thJC
价值
1.78
单位
K / W
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
1 (8)
BUF650
电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
集电极截止电流
集电极 - 发射极击穿
电压（图1）
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
g
直流正向电流传输比
测试条件
V
CE
= 700 V
V
CE
= 700 V ;牛逼
例
= 150
°
C
I
C
= 300毫安; L = 125 mH的;
I
措施
= 100毫安
I
E
= 1毫安
I
C
= 1.6 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 5 A;我
B
= 1.6 A
I
C
= 1.6 A;我
B
= 0.4 A
I
C
= 5 A;我
B
= 1.6 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 10毫安
V
CE
= 2 V ;我
C
= 1.6 A
V
CE
= 2 V ;我
C
= 5 A
V
CE
= 5 V ;我
C
= 10 A
V
S
= 50 V ; L = 1 mH的;我
C
= 10 A;
I
B1
= 3.3 A; -I
B2
= 1 A;
–V
BB
= 5 V
I
C
= 5 A;我
B
= 1 ， T = 1
m
s
I
C
= 5 A;我
B
= 1 ， T = 3
m
s
I
C
= 500毫安; V
CE
= 10 V;
F = 1 MHz的
符号
I
CES
I
CES
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
CESAT
V
BESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
V
CEW
民
典型值
最大
50
0.5
单位
m
A
mA
V
V
V
V
V
V
400
9
0.1
0.2
0.9
1
15
15
7
4
500
0.2
0.4
1
1.2
集电极 - 发射极电压工作
V
动态饱和电压
y
g
增益带宽积
V
CEsatdyn
V
CEsatdyn
f
T
5.5
1.5
4
10
2.5
V
V
兆赫
2 (8)
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
BUF650
开关特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明
参数
测试条件
电阻性负载（图2）
启动时间
I
C
= 1.6 A;我
B1
= 0.4 A; -I
B2
= 0.8 A;
;
;
;
V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
启动时间
I
C
= 5 A;我
B1
= 1 ; -I
B2
= 2.5 A;
;
;
;
V
S
= 250 V
贮存时间
下降时间
感性负载（图3）
贮存时间
I
C
= 1.6 A;我
B1
= 0.4 A; -I
B2
= 0.8 A;
;
;
;
V
钳
= 300 V ; L = 200
m
H
下降时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 5 A;我
B1
= 1 ; -I
B2
= 2.5 A;
;
;
;
V
钳
= 300 V ; L = 200
m
H
符号
t
on
t
s
t
f
t
on
t
s
t
f
t
s
t
f
t
s
t
f
民
典型值
0.15
2.2
0.3
0.4
1.2
0.1
2.2
0.15
1.1
0.05
最大
0.25
3
0.4
0.6
1.5
0.15
3
0.25
1.5
0.15
单位
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
m
s
94 8863
V
S2
+
10 V
I
B
I
C
w
I5
I
措施
I
C
C
V
S1
+
0至30 V
V
（ BR ） CEO
t
p
T
t
p
3脉冲
+
L
C
V
CE
V
（ BR ） CEO
+
0.1
+
10毫秒
I
（ BR ）R
100 m
W
图1.测试电路V
(BR)CE0
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
3 (8)
BUF650
94 8852
I
B
I
B1
0
t
R
C
–I
B2
I
C
(1)
I
B1
R
B
V
BB
+
V
CE
I
B
V
CC
I
C
0.9 I
C
0.1 I
C
t
r
t
d
t
on
t
t
s
t
关闭
t
f
（ 1 ）快速的电子开关
对于开关特性图2.测试电路 - 阻性负载
94 8853
I
B
I
B1
L
C
0
–I
B2
I
C
(2)
(1)
I
B1
R
B
V
BB
I
B
V
CE
V
钳
I
C
V
CC
0.9 I
C
t
+
（ 1 ）快速的电子开关
（ 2 ）快恢复整流
0.1 I
C
t
t
s
t
r
对于开关特性图3.测试电路 - 感性负载
4 (8)
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
BUF650
典型特征
(T
例
= 25
_
C除非另有说明）
12
P
合计
- 总功耗（ W）
I
C
- 集电极电流（ A）
10
8
6
4
2
0
0
95 10562
100
1.78 K / W
10
12.5 K / W
1
25 K / W
0.1
0.01
0.001
50 K / W
R
thJA
= 85 K / W
0.1 ×1
C
＆ LT ;我
B2
< 0.5 ×1
C
V
CESAT
＆ LT ; 2V
100
200
300
400
500
600
95 10563
0
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
T
例
(
°C
)
图4. V
CEW
- 图
V
CESAT
- 集电极发射极饱和电压（ V）
10
I
C
- 集电极电流（ A）
1000mA
780mA
580mA
6
400mA
10
图7： P
合计
与T
例
I
C
= 1A
1
8
2A
4A
8A
4
2
190mA
95mA
I
B
= 49毫安
6A
0.1
0
0
95 10566
4
8
12
16
20
0.01
0.01
0.1
1
10
V
CE
- 集电极发射极电压（V ）
95 10567
I
B
- 基本电流（ A）
图5.我
C
与V
CE
h
FE
- 正向直流电流传输比
h
FE
- 正向直流电流传输比
100
100
图8. V
CESAT
与我
B
125°C
25°C
10
T
j
= 75°C
10V
10
5V
V
CE
= 2V
1
0.01
95 10564
0.1
1
10
100
95 10565
1
0.01
0.1
1
10
100
I
C
- 集电极电流（ A）
I
C
- 集电极电流（ A）
图6.
FE
与我
C
图9. ^ h
FE
与我
C
得力风根半导体
修订版C2 ， 18月， 97
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