BAS70
HiRel它
硅肖特基二极管
HiRel它
离散和微波
半导体
普通二极管用于高速
开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封微波包装
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号: 5512/020
Variant类型第01号
防静电:静电放电
敏装置,
观察处理注意事项!
TYPE
BAS70 -T1 ( QL )
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
包
T1
1
2
( QL )质量等级:
P:专业品质
H:高相对质量
S:空间品质
ES : ESA空间品质
(见订货举例为了说明)
IFAG IMM RPD HIR
1第3
V2 , Februar 2011
BAS70
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
功耗
2)
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
T
SOL
T
j
R
日(J -C )
值
70
70
85
250
-55到+150
-55到+150
+250
150
100
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
结温
热阻结案件
电气特性
在T
A
= 25℃ ;除非另有说明
参数
3)
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
DC特性
反向电流1 ,V
R
=70V
反向电流2 ,V
R
=56V
正向电压1 ,我
F1
=1mA
正向电压2 ,我
F2
=10mA
正向电压3 ,我
F3
=15mA
微分正向电阻
I
F2
= 10毫安,我
F3
=15mA
AC特性
总电容
V
R
= 0V ; F = 1MHz的
注意事项:
1.) t
为10ms ,占空比= 10 %
2. )当T
例
= 125°C 。对于T
例
> 125°C降额要求。
3. )在5秒。最大。同一终端不得resoldered ,直至3个分钟后。
V
F
4)
I
R1
I
R2
V
F1
V
F2
V
F3
R
FD
-
-
0,30
0,60
0,80
24
-
-
0,38
0,70
0,85
30
2
0,1
0,44
0,78
1,00
32
A
A
V
V
V
C
T
1,2
1,5
2
pF
4.)
R
FD
=----------------
一个5×10-3
IFAG IMM RPD HIR
2 3
V2 , Februar 2011
BAS70
T1套餐
X1
B
Y1
Y2
C
2
A
符号
A
B
C
D
E
F
G
H
1
F
D
E
G
G
H
毫米波
民
最大
1,30
1,45
1,15
1,35
-
0,40
0,10
0,50
-
0,30
0,06
0,10
5,50
-
0,40
0,60
版2011-02
出版
英飞凌科技股份公司
85579位于德国Neubiberg的
英飞凌科技股份公司2011
版权所有。
请注意!
本文档中给出的信息应当在任何情况下被视为保证
条件或特性( “ Beschaffenheitsgarantie ”)。对于任何实例或
本文中给出的提示,本文所述和/或有关的任何信息,任何典型值
应用程序的设备的,英飞凌在此声明,任何和所有担保和
任何形式的法律责任,包括但不侵犯知识产权的担保限制
一个第三方的知识产权。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的更多信息,请
请联系您最近的英飞凌科技厅( www.infineon.com ) 。
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。为
对有问题的类型信息,请联系离您最近的英飞凌科技
的网络连接CE 。
英飞凌组件只能用于生命支持设备或系统中使用
的表达英飞凌科技的书面批准,如果有这样的组件故障可以
合理预期造成生命支持设备或系统的故障,或者影响
的安全性或该设备或系统的有效性。
生命支持设备或系统的目的是要植入在人体内,或者以
支持和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,这是合理的
假设用户或其他人的健康可能受到威胁。
IFAG IMM RPD HIR
3 3
V2 , Februar 2011
HiRel它
硅肖特基二极管
特点
HiRel它
离散和微波半导体
通用二极管,高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封微波包装
合格
ESA / SCC详细规格。编号: 5512/020
BAS 70
T1
ESD :电子
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge敏感器件,观察处理注意事项!
TYPE
BAS70 -T1 ( QL )
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
包
T1
( QL )质量等级: P:专业品质,订货代码: Q62702A1173
H:高相对质量,
S:空间品质,
订货代码:要求
订货代码:要求
ES : ESA空间品质,订货代码: Q62702A674
(见
章订购说明
订购的例子)
表1
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
结温
热阻结案件
1)
最大额定值
符号
限值
70
70
85
250
-
55 + 150
-
65 + 150
+ 250
150
100
单位
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
°
C
K / W
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
T
SOL
T
j
R
日(J -C )
t
10毫秒,占空比= 10
%
半导体集团
1
草案A03 1998-04-01
BAS 70
为了说明
全部类型的变体,包括变型和质量水平必须由订购者指定。
为
HiRel它
离散和微波半导体的订货代码指定设备
家人和质量水平而已。
订购方式:
订购代码: QE
BAS70- ( X) ( QL )
( X) :包装变
( QL ) :质量水平
订购示例:
订货代码: Q62702A674
BAS70 -T1 ES
对于BAS70在T1包装; ESA空间质量水平
进一步资料
请参阅我们的WWW-页:
二维离散和射频半导体(小信号半导体)
www.siemens.de/semiconductor/products/35/35.htm
HiRel它
离散和微波半导体
www.siemens.de/semiconductor/products/35/353.htm
也请联系我们的营销部门:
电话: + 89 6362 4480
传真: + 89 6362 5568
电子邮件: martin.wimmers@hl.siemens.de
半导体集团
3
草案A03 1998-04-01
BAS70...
HiRel它硅肖特基二极管
HiRel它的离散和微波半导体
通用二极管,高速开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封microwaver包
欧空局
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号: 5512/020
输入变式第01号
BAS70-T1
1
2
ESD
(
E
LECTRO
s
TATIC
d
ischarge )敏感器件,观察处理防范!
TYPE
BAS70-T1
包
T1
CON组fi guration
单身
记号
-
( QL )测试等级:P :专业测试
H:高相对质量
S:空间品质
ES : ESA合格
最大额定值
参数
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
SOL
T
英镑
价值
单位
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
总功耗
2)
工作温度范围
焊接温度
3)
储存温度
1
t≤10ms,
3
中
70
70
85
250
-55 ... 150
250
-55 ... 150
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
占空比= 10 %
2
At
T
例
= 125°C 。为
T
例
> 125°C降额要求
持续5秒。最大。终端不得resoldered ,直至3个分钟后。
1
2007-08-20
BAS70...
热阻
参数
热阻结案件
符号
R
日(J -C )
价值
100
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
反向电流1
I
R1
-
-
2
V
R1
= 70 V
单位
A
反向电流2
V
R2
= 56 V
I
R2
V
F1
-
-
0.1
V
正向电压1
0.3
0.6
0.8
正向电压2
I
F2
= 10毫安
V
F1
0.38
0.7
0.85
0.44
0.78
1
0.3
0.6
0.8
0.38
0.7
0.85
30
0.44
0.78
1
32
微分正向电阻
1)
I
F2
= 10毫安,
I
F3
= 15毫安
R
FD
24
AC特性
二极管电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
1
C
T
1.2
1.5
2
pF
V
F
R
FD = ---------------------
一个5×10-3
2
2007-08-20
BAS70...
版2006-02-01
出版
英飞凌科技股份公司
81726慕尼黑,德国
英飞凌科技股份公司2007年。
版权所有。
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在此库门给出的信息应当在任何情况下被视为保证
条件或特征( “ Beschaffenheitsgarantie ”)。相对于任何
本文所给出的例子或提示,本文中所述的任何典型的值和/或任何信息
关于设备的应用,英飞凌在此声明,任何
和所有保证和任何形式的法律责任,包括但不限于对担保
不侵犯任何第三方的知识产权。
信息
有关技术,交货条款及条件和价格的进一步信息
请联系您最近的英飞凌科技厅(
www.infineon.com
).
警告
由于技术要求组件可能含有危险物质。
有关类型的信息有问题,请联系距您最近的
英飞凌科技办公室。
英飞凌组件只能用于生命支持设备使用,或
与英飞凌科技的明确书面许可,系统如果发生故障
这样的组件可以合理预期引起的,该故障
生命支持设备或系统中,或以影响的安全性或有效性
设备或系统。
生命支持设备或系统的目的是在人体内被植入,
或支持和/或维护以及维持和/或保护人的生命。如果他们失败了,
这是合理的假设,该用户或其他人的健康
可能受到威胁。
4
2007-08-20
BAS70
HiRel它
硅肖特基二极管
HiRel它
离散和微波
半导体
普通二极管用于高速
开关
电路保护
电压钳位
高电平检测和混合
密封微波包装
空间QUALI网络版
ESA / SCC详细规格。编号: 5512/020
Variant类型第01号
防静电:静电放电
敏装置,
观察处理注意事项!
TYPE
BAS70 -T1 ( QL )
记号
-
订购代码
见下文
引脚配置
包
T1
1
订购代码:
订购代码:
订购代码:
订购代码:
2
( QL )质量等级:
P:专业品质,
H:高相对质量,
S:空间品质,
ES : ESA空间品质,
Q62702A1173
根据要求
根据要求
Q62702A674
(见订货举例为了说明)
半导体集团
1 4
B草案, 99年9月
BAS70
最大额定值
参数
反向电压
正向电流
正向电流浪涌
1)
功耗
2)
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度
3)
结温
热阻结案件
电气特性
在T
A
= 25℃ ;除非另有说明
参数
DC特性
反向电流1
V
R
=70V
反向电流2
V
R
=56V
正向电压1
I
F1
=1mA
正向电压2
I
F2
=10mA
正向电压3
I
F3
=15mA
微分正向电阻
4)
I
F2
= 10毫安,我
F3
=15mA
AC特性
总电容
V
R
= 0V ; F = 1MHz的
注意事项:
1.) t
≤
为10ms ,占空比= 10 %
2. )当T
例
= 125°C 。对于T
例
> 125°C降额要求。
3. )在5秒。最大。同一终端不得resoldered ,直至3个分钟后。
V
F
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
T
op
T
英镑
T
SOL
T
j
R
日(J -C )
值
70
70
85
250
-55到+150
-55到+150
+250
150
100
单位
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
°C
K / W
符号
分钟。
I
R1
I
R2
V
F1
V
F2
V
F3
R
FD
-
-
0,30
0,60
0,80
24
值
典型值。
-
-
0,38
0,70
0,85
30
马克斯。
2
0,1
0,44
0,78
1,00
32
单位
A
A
V
V
V
C
T
1,2
1,5
2
pF
4.)
R
FD
=----------------
一个5×10-3
半导体集团
2 4
B草案, 99年9月
BAS70
为了说明:
全部类型的变体,包括包装变种和质量水平必须由订购者指定。
为
HiRel它
离散和微波半导体的订货代码指定器件系列
只有质量水平。
订购方式:
订货代号:Q ..........
BAS70- ( X) ( QL )
( X) :包装变
( QL ) :质量水平
订购示例:
订货代码: Q62702A674
BAS70 -T1 ES
对于BAS70在T1包装; ESA空间质量水平
更多信息:
请参阅我们的WWW-页:
- 离散和射频半导体(小信号半导体)
www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
-
HiRel它
离散和微波半导体
www.infineon.com/products/discrete/hirel.htm
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电话:
传真:
电子信箱:
地址:
++89 234 24480
++89 234 28438
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英飞凌半导体,
高频产品市场
P.O.Box 801709 ,
D- 81617慕尼黑
半导体集团
3 4
B草案, 99年9月
BAS70
T1套餐
X1
B
Y1
Y2
C
2
A
符号
A
B
C
D
E
F
G
H
1
D
F
E
G
G
H
毫米波
民
最大
1,30
1,45
1,15
1,35
-
0,40
0,10
0,50
-
0,30
0,06
0,10
5,50
-
0,40
0,60
出版英飞凌半导体,
高频产品市场,邮政信箱801709 ,
D- 81617慕尼黑。
英飞凌科技股份公司1998年版权所有。
至于第三方专利或其他权利
而言,只有承担责任的每组件
本身,而不是应用程序,进程和电路
组件或组件内实施。
该信息描述和组件的类型应
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交货条件和权利,改变设计保留。
有关技术,交付和价格问题,请
在德国与半导体集团的办事处或
该
英飞凌
技术
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和
代表世界各地的公司(地址列表) 。
由于技术要求组件可能含有
危险物质。有关在类型信息
问题,请联系您最近的英飞凌
科技办公室,半导体集团。
英飞凌半导体是CECC认证
和QS9000制造商(包括ISO 9000 ) 。
半导体集团
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B草案, 99年9月