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BAW56
威世半导体
小信号开关二极管,双
特点
硅外延平面二极管
快速开关共阳极双二极管
该二极管也可在其他配置可供选择
其中包括:一个具有类型指定BAL99 ,一
双阳极到阴极与型号标识
BAV99 ,和一个双共阴极型
指定BAV70 。
2
1
1
2
3
3
17033
机械数据
案例:
SOT- 23塑料外壳
重量:
约。 8.8毫克
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 15 K /盒GS08 / 3
零件表
部分
BAW56
订购代码
BAW56 - GS18或BAW56 - GS08
JD
记号
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
=工作峰值反向电压
- 阻断电压DC
正向电流(连续)
非重复峰值正向
当前
t
p
= 1
s
t
p
= 1毫秒
t
p
= 1 s
功耗
1)
测试条件
符号
V
R
, V
RM
价值
70
单位
V
I
F
I
FSM
I
FSM
I
FSM
P
DISS
250
2.0
1.0
0.5
350
1)
mA
A
A
A
mW
设备上的玻璃基板,看布局
文档编号85549
修订版1.6 , 09 -JUL- 04
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1
BAW56
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
ambiant空气
结温
存储温度范围
1)
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测试条件
符号
R
thJA
T
J
T
S
价值
430
150
- 65至+ 150
单位
° C / W
°C
°C
设备上的玻璃基板,看布局
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
测试条件
I
F
= 1毫安
I
F
= 10毫安
I
F
= 50毫安
I
F
= 150毫安
反向电流
V
R
= 70 V
V
R
= 70 V,T
j
= 150 °C
V
R
= 25 V ,T
j
= 150 °C
二极管电容
反向恢复时间
V
F
= V
R
= 0中,f = 1 MHz的
I
F
= 10 mA至我
R
= 1毫安,
V
R
= 6 V ,R
L
= 100
符号
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
合计
t
rr
民
典型值。
最大
0.715
0.855
1.0
1.25
2.5
100
30
2
6
单位
V
V
V
V
A
A
A
pF
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
1000
I
F
- 正向电流(mA )
100
T
j
= 100
°
C
10
1
0.1
125
°
C
0.01
14356
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
- 正向电压( V)
图1.正向电流与正向电压
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消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
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2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
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可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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