TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM200GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
2
余吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
t
P
= 1毫秒
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
= 80°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
1200
200
370
400
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
1470
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
200
A
I
FRM
400
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
2
余吨
6,84
kA
2
s
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 200A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 8毫安，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
V
CE坐
分钟。
-
-
4,5
典型值。
2,1
2,4
5,5
马克斯。
2,6
T.B.D.
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
T.B.D.
-
C
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
13
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
水库
I
CES
-
-
-
T.B.D.
20
500
-
-
500
-
400
nF
A
A
nA
I
GES
-
准备：马克·闵采尔
批准：延斯Thurau
出版日期： 1999年2月12日
修订： 1
1(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM200GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 4,7, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
MODUL Leitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻，接线端子 - 芯片
T
C
=25°C
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 4,7, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 90nH
I
C
= 200A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 4,7, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 90nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V ，R
G
= 4,7
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=900V, V
CEmax
=V
CES
-L
SCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
-
-
1250
16
-
-
A
nH
E
关闭
-
25
-
MWS
E
on
-
18
-
MWS
t
f
-
-
0,06
0,09
-
-
s
s
t
D，关
-
-
0,54
0,59
-
-
s
s
t
r
-
-
0,09
0,1
-
-
s
s
t
D，上
-
-
0,09
0,09
-
-
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
-
0,5
-
m
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 200A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 200A ， - 迪
F
/ DT = 2100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
7
16
-
-
MWS
MWS
Q
r
-
-
24
43
-
-
μAs
μAs
I
RM
-
-
180
240
-
-
A
A
V
F
分钟。
-
-
典型值。
1,8
1,7
马克斯。
2,3
T.B.D.
V
V
2(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM200GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1瓦/米* K /
λ
油脂
= 1瓦/米* K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
典型值。
-
-
0,010
马克斯。
0,085
0,15
-
K / W
K / W
K / W
T
vj
-
-
150
°C
T
op
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
螺丝M5
M1
3
AL
2
O
3
20
mm
11
mm
225
6
Nm
终端M6
终端M4
G
2,5
1,1
300
5,0
2,0
Nm
Nm
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
3(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM200GA120DLC
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
400
360
320
280
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
C
[A]
240
200
160
120
80
40
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
400
360
VGE = 17V
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
320
280
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
I
C
[A]
240
200
160
120
80
40
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
4(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM200GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
400
360
320
280
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
C
[A]
240
200
160
120
80
40
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
400
360
320
280
TJ = 25°C
TJ = 125°C
I
F
= F（V
F
)
I
F
[A]
240
200
160
120
80
40
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
V
F
[V]
5(8)
DB_BSM200GA120DLC_V.xls
QQ：2881677436 复制
