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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第669页 > BTA208X-800E
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
钝化保证减刑
在一个完整的包三端双向可控硅，塑料封套
用于在电机控制电路中使用
或与其它高电感负载。
这些
器件
平衡
该
需求
of
换相
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
BTA208X系列D，E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA208X-
BTA208X-
BTA208X-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
例
符号
T2
主终端2
门
1 2 3
T1
孤立的情况下，
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
hs
≤
73 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
2000年2月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
均方根所有隔离电压
三个端子的外部
散热器
条件
BTA208X系列D，E和F
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
F = 50-60赫兹;正弦
波形;
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
10
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻
结到散热器
热阻
结到环境
条件
全额或半周期
与复合散热器
无散热化合物
在自由空气
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
4.5
6.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208X-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
分钟。
典型值。
...D
0.8
2.0
3.2
7.2
8.2
11.0
5.3
1.3
0.7
0.4
0.1
...D
5
5
5
15
25
25
15
... D， E，F
V
T
V
GT
I
D
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
1.65
1.5
-
0.5
V
V
V
mA
马克斯。
...E
10
10
10
25
30
30
25
...F
25
25
25
30
40
40
30
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
保持电流
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
2000年2月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208X-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
20
BTA208X系列D，E和F
分钟。
...E
60
...F
70
典型值。
...D
60
马克斯。
-
单位
V / μs的
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
5
8.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
5
16
19
100
-
A / MS
... D， E，F
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
2000年2月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA208X系列D，E和F
12
10
P合计/ W
三（最大值） / C
71
= 180
120
1
10
IT （ RMS ） / A
BT137X
80
89
90
60
30
8
73 C
8
6
4
2
0
6
98
4
107
116
125
10
2
0
2
4
6
IT （ RMS ） / A
8
0
-50
0
50
部份效果/ C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
ITSM / A
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与散热器温度T
hs
.
IT （ RMS ） / A
1000
25
20
dI
T
/ dt限制
100
15
10
IT
T
10
10us
我TSM
时间
5
TJ初始= 25℃最高
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
ITSM / A
IT
T
ITSM
时间
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
hs
≤
73C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
80
70
60
50
40
30
1.6
1.4
1.2
1
0.8
TJ初始= 25℃最高
20
10
0.6
0.4
-50
0
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
2000年2月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
三象限三端双向可控硅
保证减刑
BTA208X系列D，E和F
IGT （ TJ ）
IGT(25°C)
3
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
25
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
2.5
20
典型值
VO = 1.264 V
卢比= 0.0378欧姆
最大
2
15
1.5
10
1
0.5
5
0
-50
0
TJ /°C的
50
100
150
0
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
10
第i个J- HS （K / W）
与复合散热器
无散热化合物
单向
双向
3
2.5
1
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- HS
，与
脉冲宽度t
p
.
DICOM / DT （ A / MS ）
100
F型
E键入
D型
3
2.5
2
10
1.5
1
0.5
0
-50
1
0
50
TJ / C
100
150
20
40
60
80
TJ /°C的
100
120
140
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。 Miniumum ，变化率的关键
换向电流Di
COM
/ DT与结
温度，DV
COM
/ DT = 20V / μs的
2000年2月
5
启1.000
分立半导体
数据表
BTA208X系列D，E和F
三象限三端双向可控硅保证
换相
客观的特定网络阳离子
1999年10月
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
概述
钝化保证减刑
在一个完整的包三端双向可控硅，塑料封套
用于在电机控制电路中使用
或与其它高电感负载。
这些
器件
平衡
该
需求
of
换相
性能和门的灵敏度。该
"sensitive gate" E系列和"logic level"
D系列旨在与接口
低功耗的驱动程序，包括微
控制器。
BTA208X系列D，E和F
快速参考数据
符号
参数
BTA208X-
BTA208X-
BTA208X-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
马克斯。
600D
600E
600F
600
8
65
马克斯。
-
800E
800F
800
8
65
单位
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
V
A
A
钉扎 - SOT186A
针
1
2
3
描述
主终端1
引脚配置
例
符号
T2
主终端2
门
1 2 3
T1
孤立的情况下，
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
全正弦波;
T
hs
≤
73 C
全正弦波;
T
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 12 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
条件
分钟。
-
-
-600
600
1
8
马克斯。
-800
800
单位
V
A
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
-
-
-
65
72
21
100
2
5
5
0.5
150
125
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
W
W
C
C
在任何20毫秒
期
-
-
-
-
-40
-
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率应不超过6 A / μs的。
1999年10月
2
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
条件
BTA208X系列D，E和F
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
均方根隔离电压从所有F = 50-60赫兹;正弦
三个端子的外部
波形;
散热器
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
C
ISOL
-
10
-
pF
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
热阻
结到散热器
热阻
结到环境
条件
全额或半周期
与复合散热器
无散热化合物
在自由空气
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
55
马克斯。
4.5
6.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
2
条件
BTA208X-
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 10 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;
T
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 125 C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
-
-
-
1.3
0.7
0.4
0.1
分钟。
典型值。
...D
5
5
5
15
25
25
15
马克斯。
...E
10
10
10
20
30
30
25
1.65
1.5
-
0.5
...F
25
25
25
25
40
40
30
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
单位
I
L
闭锁电流
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
2
设备不会在T2- ， G +象限触发。
1999年10月
3
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
参数
的临界上升率
断态电压
变化率的关键
换向电流
条件
BTA208X-
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
;
T
j
= 110℃ ;指数
波形;门敞开着。
电路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 20V / μs的;门
开路
V
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 110 C;
I
T（ RMS ）
= 8 A;
dV
COM
/ DT = 0.1V / μs的;门
开路
I
TM
= 12 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
;
I
G
= 0.1 A;的dI
G
/ DT = 5 A / μs的
...D
30
BTA208X系列D，E和F
分钟。
...E
60
...F
70
典型值。
马克斯。
-
单位
V / μs的
dI
COM
/ DT
1.8
3.5
4.5
-
A / MS
dI
COM
/ DT
变化率的关键
换向电流
3.5
4.5
5.5
-
A / MS
t
gt
门控开启
时间
-
-
-
2
-
s
1999年10月
4
启1.200
飞利浦半导体
客观的特定网络阳离子
三象限三端双向可控硅
保证减刑
机械数据
尺寸（mm）
净重： 2克
10.3
最大
3.2
3.0
BTA208X系列D，E和F
4.6
最大
2.9最大
凹口（ 2×）
2.5
0.8最大。深度
2.8
6.4
15.8
19
最大。最大。
座位
飞机
15.8
最大
3最大。
不镀锡
3
2.5
13.5
分钟。
1
0.4
M
2
3
1.0 (2x)
0.6
2.54
0.5
2.5
1.3
0.9
0.7
5.08
图1 。 SOT186A ;飞机座位是所有终端电气隔离。
笔记
1.请参考F-信封包安装说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1999年10月
5
启1.200
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B048F030T21
BTB06-600CRG
BZX384C4V7-V
B82476B1333M000
B82479A1105M
B82479-A1105-M
B43896F2476M003
B32669S3305K504
BS62LV1027PIP55
BL-BD0331K
BS616LV8019EC
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