【BSS 83 PSIPMOS小信号三极管特点·P沟道·产品概述漏源电压漏源导通电阻连续漏电流VDSR】,IC型号BSS83P,BSS83P PDF资料,BSS83P经销商,ic,电子元器件-51电子网

BSS 83 P

SIPMOS

小信号三极管

特点

·

P沟道

·

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

3

-60

2

-0.33

V

增强型

W

A

·

额定雪崩

·

逻辑电平

·

dv / dt的额定

2

1

VPS05161

TYPE

BSS 83 P

包

PG-SOT-23

磁带和卷轴

记号

销1

G

销2

S

3脚

D

L6327 ： 3000PCS / R 。

青年大使

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

-0.33

-0.27

单位

A

I

D

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

漏电流脉冲

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

-1.32

9.5

0.036

6

KV / μs的

T

A

= 25 °C

I

D

= -0.33 A ,

V

DD

= -25 V,

R

GS

= 25

W

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

S

= -0.33 A,

V

DS

= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 150 °C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±

20

0.36

-55...+150

55/150/56

V

W

°C

T

A

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

修订版1.2

第1页

2006-12-05

BSS 83 P

热特性

参数

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

马克斯。

150

K / W

单位

R

thjs

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

-1.5

马克斯。

-

-2

A

-

-0.1

-10

2

1.4

-1

-100

3

2

nA

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-60

-1

V

GS

= 0 V,

I

D

= -250 A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= -80 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

W

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A

漏源导通电阻

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.33 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

修订版1.2

第2页

2006-12-05

BSS 83 P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

输入电容

值

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= -0.27 A

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

0.24

-

0.47

62

19

7

23

-

78

24

9

35

S

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

上升时间

t

r

-

71

106

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

56

70

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

下降时间

t

f

-

61

76

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

修订版1.2

第3页

2006-12-05

BSS 83 P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

门源费

值

典型值。

马克斯。

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

0.12

1.1

2.38

-2.94

0.18

1.65

3.57

-

nC

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A

栅漏电荷

V

DD

= -48 ,

I

D

= -0.33 A

栅极电荷总量

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A,

V

GS

= 0至-10 V

栅极电压平台

V

DD

= -48 V ,

I

D

= -0.33 A

参数

反向二极管

逆二极管连续正向电流

符号

分钟。

值

典型值。

-

-0.84

59.4

37.5

马克斯。

-0.33

-1.32

-1.1

89

56

单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

A

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

ns

nC

V

GS

= 0 V,

I

F

= -0.33

反向恢复时间

V

R

= -30 V,

I

F

=

I

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= -30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

修订版1.2

第4页

2006-12-05

BSS 83 P

功耗

漏电流

参数：

V

GS

10 V

BSS 83 P

P

合计

=

f

(T

A

)

BSS 83 P

I

D

=

f

(T

A

)

0.38

-0.36

W

A

0.32

-0.28

0.28

-0.24

P

合计

I

D

-0.20

-0.16

-0.12

-0.08

-0.04

0.00

0

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

-10

1

BSS 83 P

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

BSS 83 P

A

t

P = 88.0μs

100 s

K / W

-10

0

=

/I

D

10

2

I

D

R

D

-10

-1

S(

on

)

1毫秒

Z

thJC

10

1

D = 0.50

10毫秒

V

D

S

0.20

0.10

-10

-2

DC

10

0

0.05

单脉冲

0.02

0.01

-10

-3 -1

-10

0

-10

1

V

-10

2

10

-1 -5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

10 10 10 10 10 10 10 10

s

10

4

V

DS

修订版1.2

第5页

t

p

2006-12-05

1.0版

BSS 83 P

SIPMOS

小信号三极管

特点

·

P沟道

·

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

3

-60

2

-0.33

V

增强型

W

A

·

额定雪崩

·

逻辑电平

·

dv / dt的额定

2

1

VPS05161

TYPE

BSS 83 P

包

SOT-23

订购代码

Q67041-S1416

记号

青年大使

销1

G

销2

S

3脚

D

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

-0.33

-0.27

单位

A

I

D

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

漏电流脉冲

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

-1.32

9.5

0.036

6

KV / μs的

T

A

= 25 °C

I

D

= -0.33 A ,

V

DD

= -25 V,

R

GS

= 25

W

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

S

= -0.33 A,

V

DS

= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 150 °C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±

20

0.36

-55...+150

55/150/56

V

W

°C

T

A

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2003-06-23

1.0版

热特性

参数

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

BSS 83 P

单位

马克斯。

150

K / W

R

thjs

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

-1.5

马克斯。

-

-2

A

-

-0.1

-10

2

1.4

-1

-100

3

2

nA

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-60

-1

V

GS

= 0 V,

I

D

= -250 A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= -80 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

W

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A

漏源导通电阻

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.33 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2003-06-23

1.0版

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

输入电容

BSS 83 P

值

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= -0.27 A

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

0.24

-

0.47

62

19

7

23

-

78

24

9

35

S

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

上升时间

t

r

-

71

106

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

56

70

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

下降时间

t

f

-

61

76

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

第3页

2003-06-23

1.0版

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

门源费

BSS 83 P

值

典型值。

马克斯。

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

0.12

1.1

2.38

-2.94

0.18

1.65

3.57

-

nC

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A

栅漏电荷

V

DD

= -48 ,

I

D

= -0.33 A

栅极电荷总量

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A,

V

GS

= 0至-10 V

栅极电压平台

V

DD

= -48 V ,

I

D

= -0.33 A

参数

反向二极管

逆二极管连续正向电流

符号

分钟。

值

典型值。

-

-0.84

59.4

37.5

马克斯。

-0.33

-1.32

-1.1

89

56

单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

A

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

ns

nC

V

GS

= 0 V,

I

F

= -0.33

反向恢复时间

V

R

= -30 V,

I

F

=

I

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= -30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

第4页

2003-06-23

1.0版

功耗

漏电流

参数：

V

GS

10 V

BSS 83 P

P

合计

=

f

(T

A

)

BSS 83 P

I

D

=

f

(T

A

)

0.38

-0.36

W

A

0.32

-0.28

0.28

-0.24

P

合计

I

D

-0.20

-0.16

-0.12

-0.08

-0.04

0.00

0

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

-10

1

BSS 83 P

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

3

BSS 83 P

A

t

P = 88.0μs

100 s

K / W

-10

0

=

/I

D

10

2

I

D

R

D

-10

-1

S(

on

)

1毫秒

Z

thJC

10

1

D = 0.50

10毫秒

V

D

S

0.20

0.10

-10

-2

DC

10

0

0.05

单脉冲

0.02

0.01

-10

-3 -1

-10

0

-10

1

V

-10

2

10

-1 -5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

10 10 10 10 10 10 10 10

s

10

4

V

DS

第5页

t

p

2003-06-23

SMD型

产品speci fi cation

BSS 83 P

SIPMOS

小信号三极管

特点

·

P沟道

·

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

3

-60

2

-0.33

V

增强型

W

A

·

额定雪崩

·

逻辑电平

·

dv / dt的额定

2

1

VPS05161

TYPE

BSS 83 P

包

SOT-23

订购代码

Q67041-S1416

记号

青年大使

销1

G

销2

S

3脚

D

最大额定值，在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

-0.33

-0.27

单位

A

I

D

T

A

= 25 °C

T

A

= 70 °C

漏电流脉冲

I

PULS

E

AS

E

AR

dv / dt的

-1.32

9.5

0.036

6

KV / μs的

mJ

T

A

= 25 °C

I

D

= -0.33 A ,

V

DD

= -25 V,

R

GS

= 25

W

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

雪崩能量，单脉冲

I

S

= -0.33 A,

V

DS

= -48 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 150 °C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±

20

0.36

-55...+150

55/150/56

V

W

°C

T

A

= 25 °C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 4

SMD型

产品speci fi cation

BSS 83 P

热特性

参数

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚3 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

马克斯。

150

K / W

单位

R

thjs

R

thJA

-

350

300

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

-1.5

马克斯。

-

-2

A

-

-0.1

-10

2

1.4

-1

-100

3

2

nA

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-60

-1

V

GS

= 0 V,

I

D

= -250 A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= -80 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= -60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

V

GS

= -20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

W

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A

漏源导通电阻

V

GS

= -10 V,

I

D

= -0.33 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

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4008-318-123

SMD型

产品speci fi cation

BSS 83 P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

值

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= -0.27 A

输入电容

跨

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

0.24

-

0.47

62

19

7

23

-

78

24

9

35

S

pF

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= -25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

R

G

= 43

W

上升时间

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

t

r

-

71

106

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

56

70

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

下降时间

t

f

-

61

76

V

DD

= -30 V,

V

GS

= -4.5 V,

I

D

= -0.27 A,

R

G

= 43

W

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SMD型

产品speci fi cation

BSS 83 P

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

门源费

值

典型值。

马克斯。

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

0.12

1.1

2.38

-2.94

0.18

1.65

3.57

-

nC

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A

栅漏电荷

V

DD

= -48 ,

I

D

= -0.33 A

栅极电荷总量

V

DD

= -48 V,

I

D

= -0.33 A,

V

GS

= 0至-10 V

栅极电压平台

V

DD

= -48 V ,

I

D

= -0.33 A

参数

反向二极管

逆二极管连续正向电流

符号

分钟。

值

典型值。

-

-0.84

59.4

37.5

马克斯。

-0.33

-1.32

-1.1

89

56

单位

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

A

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

ns

nC

V

GS

= 0 V,

I

F

= -0.33

反向恢复时间

V

R

= -30 V,

I

F

=

I

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= -30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 80 A / μs的

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