bq2202
NV SRAM控制器，带有复位
特点
概述
该CMOS bq2202非易失性SRAM
控制器具有复位提供了所有的
为将一种必要的功能
标准的CMOS或两个存储体
SRAM成非易失性读/写
内存。
精密比较器监视
5V V
CC
输入一个彻头彻尾的容忍
条件。当外的宽容
德T E CT版， T他吨を合 DITI的E D
芯片使能输出被强制inac-
略去写保护的两家银行
SRAM 。
电源外部SRAM的是
从V切换
CC
供给到所述
电池备用电源为V
CC
DE-
珊瑚礁。在随后的权力 - 起来时，
V
OUT
供应自动
从备用电源切换到
在V
CC
供应量。外部的SRAM
为写保护，直到加电
有效的情况存在。复位输出
放提供电源故障和电源上
重置系统。
上电过程中有效的操作，
输入解码器选择的两个一
SRAM的银行。
电源监控和切换
对于静态存储器的非易失性控制
写保护控制
输入解码器可控制
最多2个银行的SRAM
3伏的初级细胞输入
3伏充电电池IN-
PUT /输出
复位输出系统上电
RESET
L E S S小吨公顷 10N的芯片é é NABL
传播延迟
5 ％或10 ％电源供电
引脚连接
引脚名称
V
OUT
RST
THS
CE
CE
CON1
,
CE
CON2
A
BC
P
BC
S
NC
V
CC
V
SS
电源输出
复位输出
阈值的选择输入
芯片使能有效低输入
空调的芯片使能输出
银行选择输入
3V备用电源输入
3V可充电备用电源输入/输出
无连接
+5伏电源输入
地
VOUT
BCP
NC
A
NC
NC
THS
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
BCS
CE
CECON1
CECON2
NC
RST
NC
16引脚窄DIP或SOIC
PN220201.eps
功能说明
两家银行的CMOS静态RAM可电池备份
用V
OUT
和空调的芯片使能输出引脚
从bq2202 。作为电压输入V
CC
压摆率下降
在停电期间，这两个条件使芯片
输出，CE
CON1
和CE
CON2
，被迫不活动
独立的芯片使能输入端的CE。
本次活动无条件写保护外
SRAM为V
CC
下降到超出容限的门槛
V
PFD
. V
PFD
选择由阈值选择输入，
THS 。如果THS被连接到V
SS
，掉电检测OC-
小人在4.62V典型的5 ％电源供电。
1997年9月
如果THS被连接到V
CC
，掉电检测发生在
4.37V典型的10 ％电源供电。对THS销
必须连接到V
SS
或V
CC
正确操作。
如果存储器访问是在过程中的任何两个克斯特的
在SRAM的NAL银行掉电检测，即
存储周期继续完成前的记忆
被写保护。如果存储器周期未终止
在时间t
WPT
（ 150μsec最大） ，这两个芯片恩
能够输出无条件驱动为高，直写
保护控制的SRAM 。
1
bq2202
由于供应持续下降近V
PFD
时，内部
开关设备强制V
OUT
到内部备份恩
ERGY来源。 CE
CON1
和CE
CON2
保持高由
V
OUT
能量源。
在上电期间，V
OUT
切换回5V电源
帘布层为V
CC
上升到高于备用电池的输入电压
采购V
OUT
。输出CE
CON1
和CE
CON2
举行
闲置时间t
CER
（ 120毫秒最大值）之后的
电力供应已达到V
PFD
独立于行政长官
输入，以允许处理器稳定。
上电过程中的有效操作， CE输入传递
通过对其中的两个CE的
CON
有propa-输出
的gation延迟小于10ns的。行政长官输入输出
两个CE之一
CON
输出引脚;视
银行级选择输入A，如图所示TA-真相
BLE 。
银行选择输入A通常依赖于高阶AD-
打扮引脚使大量非易失性存储器可以被去
签订使用密度较低的存储装置。非易失性
和解码由硬件实现联播所示
在网络连接gure 1 。
在T中的复位输出（ RST ）变为有效
PFD
(150sec
最大）V后
PFD ，
并且一直有效，最少
40毫秒（ 120毫秒最大）上电后会返回有效。该
RST输出可被用作所述的上电复位为一微
处理器。访问外部RAM可以开始时
RST返回无效。
能量的单元格输入-BC
P
，BC
S
设置在两个备份能量源输入
bq2202 -一次电池公元前
P
和二次电池公元前
S
.
主细胞输入被设计为接受任何3V革命制度党
玛丽电池（不可充电的） ，典型地某些类型的
锂化学。如果不使用一次电池，所述
BC
P
引脚应接地。二次电池的输入
BC
S
被设计为接受恒定电压电流 -
有限的可充电电池。
在正常的5V电源的有效运行， 3.3V输出
在BC
S
脚是限流内部。
5V
VOUT
VCC
bq2202
从地址
解码器
A
CE
BCP
THS
RST
VSS
FG220201.eps
VCC
CMOS
SRAM
CE
VCC
CMOS
SRAM
CE
CECON1
CECON2
BCS
微处理器
图1.硬件接线图（ 5 ％电源供电）
1997年9月
2
bq2202
如果不被使用的二次电池中， BC
S
引脚必须
直接连接到V
SS
。如果两个输入端时，在
停电在V
OUT
和CE
CON
输出被强制
由二次电池，只要它大于高
2.5V 。只有二次电池通过所述数据reten-装
该SRAM和灰电流，直到在公元前电压
S
引脚低于2.5V 。当（如果）在BC上的电压
S
低于2.5V时，内部隔离开关automati-
美云从二次电池的传递负载
原代细胞。
为了防止电池的消耗，当没有有效的数据到
保留，V
OUT
，CE
CON1
和CE
CON2
在内部异
从公元前迟来
P
和BC
S
由之一：
s
s
VPFD
VCC
VSO
电池为BC的初始连接
P
或BC
S
or
呈现在CE上的隔离信号。
CE
700ns
0.5 VCC
一个有效的隔离信号需要CE低V
CC
十字架
双方V
PFD
和V
SO
在掉电。见图
2.在时间这两个点之间， CE必须
带到V
CC
（ 0.48 0.52 ），并至少保持
700ns 。隔离信号是无效的，如果CE超过V
CC
*
0.54在V之间的任何点
CC
交叉V
PFD
和V
SO
.
电池被连接到V
OUT
，CE
CON1
和
CE
CON2
立即在随后的应用和
去除V的
CC
.
TD220201.eps
图2.电池隔离信号
真值表
输入
CE
H
L
L
A
X
L
H
CE
CON1
H
L
H
产量
CE
CON2
H
H
L
1997年9月
3
bq2202
绝对最大额定值
符号
V
CC
V
T
T
OPR
T
英镑
T
BIAS
T
SOLDER
I
OUT
注意：
参数
直流电压施加于V
CC
相对于V
SS
直流电压施加在任意引脚不包括V
CC
相对于V
SS
工作温度
储存温度
在偏置温度
焊接温度
V
OUT
当前
价值
-0.3到+7.0
-0.3到+7.0
0至+70
-40至+85
-55到+125
-40至+85
260
200
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
°C
mA
10秒
V
T
≤
V
CC
+ 0.3
广告
工业“N”
条件
如果可能会出现永久性设备损坏
绝对最大额定值
被超过。功能操作
化应仅限于本数据手册详细介绍了建议的直流工作条件。曝光
一定要超过操作限制时间会影响器件的可靠性长时间条件。
建议的直流工作条件
（ TA = TOPR ）
符号
V
CC
V
BCP
V
BCS
V
SS
V
IL
V
IH
THS
注意：
备份电池输入电压
电源电压
输入低电压
输入高电压
阈值的选择
参数
电源电压
最低
4.75
4.50
2.0
2.5
0
-0.3
2.2
-0.3
典型
5.0
5.0
-
-
0
-
-
-
最大
5.5
5.5
4.0
4.0
0
0.8
V
CC
+ 0.3
V
CC
+ 0.3
V
V
V
V
V
V
CC
＆ LT ; V
BC
单位
V
V
THS = V
SS
THS = V
CC
笔记
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或V
BC
.
1997年9月
4
bq2202
DC电气特性
（ TA = TOPR ， VCC = 5V
±
10%)
符号
I
LI
V
OH
V
OHB
V
OL
I
CC
V
PFD
V
SO
I
CCDR
V
OUT1
V
OUT2
V
BC
参数
输入漏电流
输出高电压
V
OH
，备用电源
输出低电压
工作电源电流
最低
-
2.4
V
BC
- 0.3
-
-
4.55
掉电检测电压
电源开关过电压
数据保留模式
当前
V
OUT
电压
V
OUT
电压
活动备份电池电压
BC
S
电荷输出内部
阻力
BC
S
充电输出电压
V
OUT
当前
V
OUT
当前
4.30
-
-
V
CC
- 0.2
V
CC
- 0.3
V
BC
- 0.2
-
-
500
3.0
-
-
典型
-
-
-
-
3
4.62
4.37
V
BC
-
-
-
-
V
BCS
V
BCP
1000
3.3
-
100
最大
±
1
-
-
0.4
6
4.75
4.50
-
100
-
-
-
-
-
1750
3.6
160
-
单位
A
V
V
V
mA
V
V
V
nA
V
V
V
V
V
V
mA
A
在V空载
OUT
，CE
CON1
,
和CE
CON2
V
CC
＆ GT ; V
BC
, I
OUT
= 100毫安
V
CC
＆ GT ; V
BC
, I
OUT
= 160毫安
V
CC
＆ LT ; V
BC
, I
OUT
= 100A
V
BCS
＆ GT ; 2.5V
V
BCS
＆ LT ; 2.5V
V
BCSO
≥
3.0V
V
CC
＆ GT ; V
PFD
， RST处于非活动状态，
充满电或无负载
V
OUT
≥
V
CC
- 0.3V
V
OUT
≥
V
BC
- 0.2V
条件/注意事项
V
IN
= V
SS
到V
CC
I
OH
= -2.0mA
V
BC
＆ GT ; V
CC
, I
OH
= -10A
I
OL
= 4.0毫安
在V空载
OUT
，CE
CON1
,
和CE
CON2
THS = V
SS
THS = V
CC
R
BCS
V
BCSO
I
OUT1
I
OUT2
注意：
典型值指示器件的工作在T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V或V
BC
.
电容
（ TA = 25°C ， F = 1MHz时， VCC = 5.0V ）
符号
C
IN
C
OUT
注意：
1997年9月
参数
输入电容
输出电容
最低
-
-
典型
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
条件
输入电压= 0V
输出电压= 0V
这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
5
QQ：2880707522 复制
