【BSS 89SIPMOS小信号晶体管 N沟道增强型逻辑电平 VGS （ TH）= 0.8...2.0】,IC型号BSS89E6325,BSS89E6325 PDF资料,BSS89E6325经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSS 89

SIPMOS

小信号晶体管

N沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= 0.8...2.0V

销1

G

TYPE

销2

D

记号

3脚

S

V

DS

240 V

I

D

0.3 A

R

DS （ ON）

6

包

BSS 89

TYPE

BSS 89

BSS 89

BSS 89

TO-92

SS89

订购代码

Q62702-S519

Q62702-S619

Q62702-S385

磁带和卷轴信息

E6288

E6296

E6325

最大额定值

参数

符号

值

单位

漏源电压

漏极 - 栅极电压

R

GS

= 20 k

V

DS

V

DGR

240

V

240

V

GS

门源电压

ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883

连续漏电流

T

A

= 25 C

±

20

1级

A

0.3

I

D

直流漏电流，脉冲

T

A

= 25 C

I

Dpuls

1.2

P

合计

功耗

T

A

= 25 C

W

1

数据表

1

05.99

BSS 89

最大额定值

参数

符号

值

单位

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

1)

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

T

j

T

英镑

R

thJA

-55 ... + 150

-55 ... + 150

C

≤

125

E

55 / 150 / 56

K / W

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 C

V

（ BR ） DSS

V

240

-

-

栅极阈值电压

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

0.8

I

DSS

1.5

2

A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 C

V

DS

= 60 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

-

-

-

I

GSS

0.1

10

-

1

100

0.2

nA

栅极 - 源极漏电流

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

-

R

DS （ ON）

10

100

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.3 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.3 A

-

-

4.5

5.3

6

10

数据表

2

05.99

BSS 89

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

值

典型值。

马克斯。

单位

跨

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 0.3 A

g

fs

S

0.14

0.33

-

pF

-

115

155

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

C

国际空间站

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

C

OSS

-

C

RSS

15

25

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

-

t

D（上）

8

12

ns

导通延迟时间

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

G

= 50

-

t

r

5

8

上升时间

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

G

= 50

-

t

D（关闭）

10

15

打开-O FF延迟时间

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

G

= 50

-

t

f

30

40

下降时间

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

G

= 50

-

20

27

数据表

3

05.99

BSS 89

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

值

典型值。

马克斯。

单位

逆二极管连续正向电流

T

A

= 25 C

I

S

A

-

-

0.3

逆二极管直流，脉冲

T

A

= 25 C

I

SM

-

V

SD

-

1.2

V

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 0.6 A

-

0.9

1.4

数据表

4

05.99

BSS 89

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.32

1.2

W

A

1.0

P

合计

0.9

0.8

I

D

0.24

0.20

0.7

0.6

0.5

0.12

0.4

0.3

0.2

0.04

0.1

0.0

0

20

40

60

80

100

120

C

160

0.00

0

20

40

60

80

100

120

C

160

0.08

0.16

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

=25C

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

=

(T

j

)

285

V

275

V

（ BR ） DSS

270

265

260

255

250

245

240

235

230

225

220

215

-60

-20

20

60

100

C

160

T

j

数据表

5

05.99

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