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分立半导体

数据表

BFQ131

NPN晶体管视频

产品speci fi cation

在分离式半导体文件， SC05

1995年9月26日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

特点

低输出电容

高耗散

高增益带宽积。

钉扎

应用

缓冲级的彩色显示器

视频放大器和所述间

视频模块的输入

前级（共源共栅驱动器）中

独立的视频放大器。

快速参考数据

符号

首席执行官

合计

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

跃迁频率

反馈电容

结温

最多至T

= 60

°C;

见图2

= 100毫安; V

= 10 V ;见图4

= 0; V

= 10 V ;见图5

开基

条件

1.2

典型值。

针

描述

BASE

集热器

辐射源

描述

在一个3引脚硅NPN晶体管

塑料SOT54封装。

BFQ131

MSB033

Fig.1简化外形SOT54 。

马克斯。

150

1.9

175

单位

GHz的

°C

1995年9月26日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

合计

英镑

记

1. T

=在集电针的焊接点的温度。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

总功耗

储存温度

结温

最多至T

= 60

°C;

注意1 ;见图2

开基

集电极开路

条件

发射极开路

分钟。

BFQ131

马克斯。

150

1.9

+150

175

单位

°C

手册， halfpage

MBG315

P合计

(W)

1.5

0.5

100

150

TS （

200

图2功率降额曲线。

1995年9月26日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

热特性

符号

第j个-S

记

1. T

=在集电针的焊接点的温度。

特征

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CES

参数

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极截止电流

直流电流增益

跃迁频率

反馈电容

条件

= 0.1毫安;我

= 0

= 0.1毫安;我

= 0

= 18 V; V

= 0

= 25毫安; V

= 10 V;

看科幻G.3

= 100毫安; V

= 10 V;

F = 500 MHz的;见图4

= 0; V

= 10 V ; F = 1兆赫;

见图5

分钟。

1.2

典型值。

参数

热阻结到

焊接点

条件

最多至T

= 60

°C;

注意1 ; P

合计

= 1.9 W

价值

BFQ131

单位

K / W

马克斯。

单位

集电极 - 发射极击穿电压余

= 0.1毫安;我

= 0

GHz的

1995年9月26日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN晶体管视频

BFQ131

MBB361

手册， halfpage

120

手册， halfpage

MBG317

^ h FE

（兆赫）

120

160

I C （毫安）

100

150

IC （MA ）

200

= 10 V ;牛逼

= 25

°C.

= 10 V ; F = 500 MHz的;牛逼

= 25

°C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

过渡频率的函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

MBG316

CRE

（PF ）

1.5

0.5

VCE （ V）

F = 1兆赫;我

= 0; T

= 25°C.

Fig.5

反馈电容的一个函数

集电极 - 发射极电压;典型值。

1995年9月26日

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