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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第802页 > BSS79B
SOT23 NPN硅平面
开关晶体管
第2期？九月95
PARTMARKING细节 -
7
BSS79B - CE
BSS79C - CF
BSS79B
BSS79C
C
B
E
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
P
合计
t
j
:t
英镑
价值
75
40
6
800
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
电气特性（在T
AMB
= 25°C).
参数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
分钟。
75
40
6
10
10
10
0.3
1.0
40
100
250
8
10
10
225
60
120
300
集电极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极基极截止电流
发射基地截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
静态前进
当前
传输比
跃迁频率
集电极 - 基极电容
延迟时间
马克斯。
单位
V
V
V
A
条件。
I
C
=10
A
I
C
=10mA
IE=10
A
V
CB
=60V
V
CB
= 60V ，T
AMB
=150
o
C
V
BE
=3.0V
I
C
= 150毫安，我
B
=15mA
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V
I
C
= 150毫安，V
CE
=10V
发射极 - 基极击穿电压V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
C
敖包
t
d
t
r
t
s
t
f
nA
nA
V
V
BSS79B
BSS79C
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
V
CE
= 20V ，我
C
=20mA
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2
=15mA
V
CC
= 30V ，我
C
=150mA
I
B1
=I
B2
=15mA
上升时间
贮存时间
下降时间
页码
BSS79 ， BSS81
硅NPN开关晶体管
高直流电流增益： 0.1毫安500毫安
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BSS80 ， BSS82 （ PNP ）
3
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 77 °C
结温
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs



2
1
VPS05161
TYPE
BSS79B
BSS79C
BSS81B
BSS81C
记号
CES
CFS
CDS
CGS
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
BSS79
40
75
6
800
1
100
200
330
150
BSS81
35
单位
V
V
mA
A
mA
mW
°C
-65 ... 150

220
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Nov-30-2001
BSS79 ， BSS81
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100 A,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
h
FE
I
EBO
I
CBO
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
V
40
35
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
10
nA
A
nA
-
20
35
25
50
35
75
40
100
25
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
120
300
-
-
V
-
-
-
-
-
-
0.3
1.3
1.2
2.0
BSS79
BSS81
V
（ BR ） CBO
75
6
-
-
-
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/82C
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1 ）脉冲测试：吨
≤=300s,
D = 2%
V
CESAT
V
BESAT
-
-
2
Nov-30-2001
BSS79 ， BSS81
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
延迟时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
上升时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
= 15毫安，
V
BE （OFF）的
= 0.5 V
贮存时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=I
B2
= 15毫安
下降时间
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=I
B2
= 15毫安
t
f
-
-
60
t
英镑
-
-
250
t
r
-
-
25
t
d
-
-
10
ns
C
cb
-
6
-
pF
f
T
-
250
-
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
测试电路
延迟和上升时间
30 V
200
OSC 。
9.9 V
0
619
0.5 V
存储和下降时间
30 V
~100
s
＆ LT ; 5纳秒
16.2 V
0
-13.8 V
~ 500
s
EHN00045
200
OSC 。
1 k
-3.0 V
EHN00046
示波器：
R
＆ GT ; 10万
C
<为12pF
t
r
＆ LT ;为5ns

3
Nov-30-2001
BSS79 ， BSS81
总功耗
P
合计
=
F（T
S
)
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CB
)
f
= 1MHz的
10
2
pF
C
cb
5
BSS 81分之79
EHP00672
360
mW
300
270
P
合计
240
210
180
150
120
90
60
30
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
1
5
°C
150
T
S
10
0
10
-1
5
10
0
5
10
1
V
V
CB
5
10
2
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BSS 81分之79
EHP00673
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20V
10
3
兆赫
T
BSS 81分之79
EHP00674
t
p
D
=
T
t
p
f
T
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
2
10
2
5
2
10
0
10
-6
10
1
10
0
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
Ι
C
4
Nov-30-2001
BSS79 ， BSS81
饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
EHP00756
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10V
10
3
BSS 81分之79
EHP00676
2
Ι
C
mA
10
2
5
V
CE
V
BE
h
FE
5
150 C
25 C
10
2
10
1
-50 C
5
5
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0 V 1.2
V
BE坐
,
V
CE坐
10
1
-1
10
10
0
10
1
10
Ι
C
2
10毫安
3
延迟时间
t
d
=
f
(I
C
)
上升时间
t
r
=
f
(I
C
)
10
3
ns
t
d
,
t
r
5
V
CC
= 30 V
h
FE
= 10
t
r
10
2
BSS 81分之79
EHP00677
贮存时间
t
英镑
=
f
(I
C
)
下降时间
10
3
ns
t
英镑
,
t
f
5
BSS 81分之79
t
f
=
f
(I
C
)
EHP00678
t
r
V
BE
= 5 V
t
英镑
10
2
h
FE
= 10
5
V
BE
= 2 V
t
d
t
d
5
t
f
h
FE
= 10
h
FE
= 20
V
BE
= 0 V
10
1
10
0
5
10
1
5
10
2
5毫安
10
3
10
1
1
10
5
10
2
mA
5
10
3
Ι
C
Ι
C
5
Nov-30-2001
硅NPN开关晶体管
BSS 79
BSS 81
q
高直流电流增益
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补型： 80 BSS ，BSS 82 （ PNP ）
TYPE
BSS 79 B
BSS 79
BSS 81 B
BSS 81
记号
CES
CFS
CDS
CGS
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-S503
Q62702-S501
Q62702-S555
Q62702-S605
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 77 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
1)
2)
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
值
BSS 81
BSS 79
40
6
800
1
100
200
330
150
– 65 … + 150
35
75
单位
V
mA
A
mA
mW
C
R
日JA
R
日JS
≤
290
≤
220
K / W
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BSS 79
BSS 81
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BSS 79
BSS 81
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 60 V
V
CB
= 60 V,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 3 V
直流电流增益
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安，
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 10 V
1)
BSS 79 B / 81 B
BSS 79 C / 81
BSS 79 B / 81 B
BSS 79 C / 81
BSS 79 B / 81 B
BSS 79 C / 81
BSS 79 B / 81 B
BSS 79 C / 81
BSS 79 B / 81 B
BSS 79 C / 81
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
1.2
2.0
–
–
0.3
1.3
V
(BR)CE0
40
35
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
20
35
25
50
35
75
40
100
25
40
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
120
300
–
–
V
–
–
–
–
10
10
10
nA
A
nA
–
75
6
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安，
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1)
脉冲测试条件：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BSS 79
BSS 81
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
开路输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安，
I
B1
=
I
B2
= 15毫安，
V
BE
= 0.5 V
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
–
–
250
6
–
–
兆赫
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
t
d
t
r
t
英镑
t
f
–
–
–
–
–
–
–
–
10
25
250
60
ns
ns
ns
ns
测试电路
延迟和上升时间
存储和下降时间
示波器：
R
＆ GT ; 100千欧
<
12 pF的
t
r
＆ LT ;
5纳秒
半导体集团
3
BSS 79
BSS 81
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
cb
=
f
(V
CB
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V
半导体集团
4
BSS 79
BSS 81
饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
)
I
C
=
f
(V
CE坐
)
h
FE
= 10
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 10 V
延迟时间
t
d
=
f
(I
C
)
上升时间
t
r
=
f
(I
C
)
贮存时间
t
英镑
=
f
(I
C
)
下降时间
t
f
=
f
(I
C
)
半导体集团
5
SMD型
硅NPN开关晶体管
BSS79,BSS81
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
IC
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高直流电流增益： 0.1毫安到500毫安。
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，T
S
= 77
结温
储存温度
结 - 焊接点
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
BSS79
40
75
6
800
1
100
200
330
150
-65到+150
220
K / W
BSS81
35
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
mW
0-0.1
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1
SMD型
BSS79,BSS81
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/81C
直流电流增益*
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/81C
BSS79/81B
BSS79/82C
集电极 - 发射极饱和电压*
V
CE （ SAT ）
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极 - 基极电容
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
*脉冲测试：吨
300ìs ，D = 2％。
*
V
BE （ SAT ）
f
T
建行
td
tr
TSTG
tf
I
C
= 150毫安，我
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
能力= 20 mA ，V
CE
= 20 V ， F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15
毫安，V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
= 15
毫安，V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
=I
B2
= 15毫安
V
CC
= 30 V，I
C
= 150毫安，我
B1
=I
B2
= 15毫安
IC = 500 mA时， VCE = 10 V
h
FE
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
I
C
= 1毫安， V
CE
= 10 V
BSS79
BSS81
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10 μA ，我
E
= 0
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10 μA ，我
C
= 0
I
CBO
I
EBO
V
CB
= 60 V，I
E
= 0
V
CB
= 60 V，I
E
= 0 , T
A
= 150
V
EB
= 3 V，I
C
= 0
I
C
= 100μA ，V
CE
= 10 V
符号
Testconditons
晶体管
IC
民
40
35
75
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
10
10
10
20
35
25
50
35
75
nA
ìA
nA
I
C
= 150毫安， V
CE
= 10 V
40
100
25
40
120
300
0.3
1.3
1.2
2.0
250
6
10
25
250
60
兆赫
pF
ns
ns
ns
ns
V
h
FE
分类
TYPE
秩
记号
TYPE
秩
记号
B
CDS
B
CES
BSS81
C
CGS
BSS79
C
CFS
2
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供货商
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厂家
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封装
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